2003-11-25

否则，硅衬底将消耗信号功率。 该结构的加工是在ibm的t.j. watson中心采用标准200mm晶圆厂完成的。...首先，采用点转换(spot-conversion)技术耦合光纤及传统硅波导器件；然后，再采用基于输入波导宽度变化的技术将硅波导与光soi波导耦合。

2003-10-09

“绝缘体上硅”是近年发展起来的一种新技术，它通过在晶体管的硅薄层和硅衬底之间使用超薄绝缘氧化层，能够减少电流干扰、降低能耗，显著提高晶体管性能。

2003-09-15

该场效应晶体管克服了使用现代硅锗技术带来的材料和工艺集成的问题，具有很高的电子迁移率。 　　而hot技术可在一片cmos晶圆上结合两层衬底，ibm表示，该技术可使芯片的性能提高40%-50%。 　　

来源：《中国电子报》2007-03-07

而半导体器件的90%以上是硅器件，它们以硅片为基础材料。硅片被称作集成电路的核心材料。直径12英寸硅单晶抛光片主要用于制作0.13微米线宽以下的先进集成电路的衬底。...未来全球对12英寸硅抛光片的需求将以两位数速度增长，预计今年市场需求将达到2000万片。 　　有研硅股负责人表示，目前，国际集成电路规模化生产已经开始采用65纳米技术，纳米尺度的

2007-01-17

他们将含有金属微粒的蛋白质溶液涂布到玻璃和硅衬底上之后，金属微粒就会通过自组装按照基本固定的间隔进行排列。...美国ibm还开发出了基于65nm工艺的soi衬底的混载dram技术。所开发的混载dram的存储单元面积为0.127平方微米，dram的电容器采用了沟道型结构。电源电压为1v。