2006-10-16

激光技术在传感器行业“大显身手” 根据国家标准gb7665-87，传感器定义为：能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用输出信号的器件装置。...激光调阻是由计算机控制激光的运动，利用高能量的激光脉冲作用于电阻材料上，电阻材料吸收光能后被迅速加热和汽化，材料被蒸发掉，在电阻上形成一个圆形斑点；当一连串部分重叠的激光脉冲打在电阻材料上就会形成一个切口

2006-09-12

b.红表棒今日焦点：接p端时，电阻无穷大，可以断定整流桥故障或起动电阻出现故障。 　　...找出其电压检测电路及检测点，更换损坏的器件。 　　5、上电后显示过电流或接地短路:一般是由于电流检测电路损坏。如霍尔元件、运放等。 　　

2006-07-21

随着产品能效要求的提高以及开关频率的提高，功率ic、mosfet和 igbt将是增长最快的产品，功率ic将向功能更强、体积更小的方向发展， mosfet也将向导通电阻更低、耐压更高和外形更小的方向发展，...晶闸管是较为成熟的半导体功率器件，在工业领域中广泛使用。

2005-12-15

　　由山东大学蒋民华院士等承担的山东省科技攻关项目——纳米材料和器件的制备、表征及其应用，日前通过了山东省科技厅组织的技术鉴定。...该课题首次利用多孔纳米固体研制出zno气敏传感器，成功解决了困扰传感器生产厂家多年的zno气敏传感器本征电阻过高和工作稳定性较差的问题。

2005-12-12

由山东大学蒋民华院士等承担的山东省科技攻关项目——纳米材料和器件的制备、表征及其应用，日前通过了山东省科技厅组织的技术鉴定。...该课题首次利用多孔纳米固体研制出zno气敏传感器，成功解决了困扰传感器生产厂家多年的zno气敏传感器本征电阻过高和工作稳定性较差的问题。

2005-12-06

具体来说，其控制曲线会随着负载的变化而变化；转矩响应慢，电视转矩利用率不高，低速时因定子电阻和逆变器死区效应的存在而性能下降稳定性变差等。对变频器u／f控制系统的改造主要经历了三个阶段。...其一是icbt开关器件发热减少，将曾占主回路发热50－70％的器件发热降低了30％。

2005-11-09

第三，贴片技术的广泛使用，使得部分电容、电阻、二极管体积大大缩小，并且都集成到了pcb板的背面，因此，我们看到电源内部结构比以前要整洁了许多，同时，整洁的内部布局更有利于电源风道的形成，有利于散热。...当然，有变也有不变，即部分器件是不能变的，比如大电容、变压器、开关管、整流管等。 另外，不同产品，其卖点不同，部分元器件也有差异。

2005-02-01

将寄生电阻和电感减至最小 　　第三个重要的考虑是器件的布局、封装的寄生电阻和封装电感。如果cpu电流消耗继续上升，峰值电流可能会大大超过120a，而瞬态响应要求将超过数百a/ms。

2004-05-19

另其他公司产品大多使用可控硅作为输出，由于半导体功率器件的固有可靠性问题，本公司弃之不用，我们的温控器全部采用继电器作为输出部件，因而具有高可靠性、高稳定性、长寿命等优点。 3....硬件方面，现一般电子温控器由于成本及安装尺寸的要求，普遍采用rc电源，这种电源若设计不当极易击穿稳压管和烧毁前端限流电阻，本公司针对此缺点设计了本公司专用电路，确保万无一失，绝对不出这种问题。

2003-03-28

ir公司推出irf8010系列hexfet功率mosfet，比以往的功率器件低10%的导通电阻。新的器件有着很高的电流密度，低的导通电阻，提供系统最大效能和低成本。

2003-03-22

在265vac输入时，无负载情况下的功耗小于300mw，无需检流电阻，提供了系统级的热和电流限保护。...同步整流的效率为90%，无需检流电阻和电流变换器，在欠压和过压情况下都达到etsi标准。有用于过载和开环保护的自动重启功能，电压模式控制使占空比达到70%而无需斜坡补偿，具有欠压关断保护功能。

来源：电子工程专辑2007-04-17

ti全新的tms320c2000系列数字信号控制器也是马达控制的理想选择，该器件采用领先的编译技术，集成片上can2.0b，能为系统设计人员提供32位的运算性能。 传感器...电动缝纫机运行时，有控制pwm载波周期的定时器tb2控制a/d的采样率，用tb0/tb1分别触发两个采样保持通道，因此能提供双采样保持和定时器同步触发通道，在采用电阻采样电流方法时，还可以降低a/d量化误差

来源：电子产品世界2007-04-06

此外，ldo具有可选的输出电压，可省去外部电阻分压器，并减小占用的电路板空间。 　充电器的输入限流最高可调节至2a，并可支持500ma、100ma以及usb挂起模式。...该系列器件工作于扩展级温度范围(-40°c至+85°c)。器件起价为$3.95(1000片起，美国离岸价)。同时还提供评估板，可加速设计进程。

2007-01-23

所有这些交流控制应用都需要一个能够产生大电流和高电压的核心功率器件，目前市场上的核心功率器件主要有mosfet半导体场效应晶体管、双极型功率晶体管和绝缘栅双极型功率晶体管igbt。...mosfet场效应晶体管具有开关速度快和电压型控制的特点，但其通态电阻大，难以满足高压大电流的要求；双极型功率晶体管虽然能满足高耐压大电流的要求，但没有快速的开关速度，属电流控制型器件，需要较大的功率驱动