来源：中国能源信息网2010-08-19

太阳能电池的种类包括结晶硅型（单晶硅、多晶硅、球状硅以及带状硅）、薄膜硅型以及cis类/cigs型。在海外市场上飞速成长的cdte型太阳能电池，由于难以向附近居民说清楚其安全性，因此此次没有采用。

来源：中国传动网2010-08-13

短时间内，市场需求量的上升是受到了德国需求急升以及多硅晶等原材料价格下降的影响。...2015年结晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池的成本价将下调到每瓦0.8美元和0.55美元。而太阳能电池模块每瓦的平均价格将会不到1美元。模块价格将会以每季度3%的水平平稳下滑。

来源：新华网海南频道2010-07-07

据了解，在硅锭铸造方面，英利使用的大型铸锭炉，采用定向固化系统实现结晶过程，在热场的精确控制下生长出高质量的硅锭。...六九硅业一期多晶硅产能为３０００吨，四期工程全部投产后产能可达１．８万吨。但即便如此，按照英利规划的光伏电池产能，六九硅业只能供给６０％的多晶硅，其余的４０％还需要外采。

来源：国际新能源网2010-06-12

目前，以光电效应工作的薄膜式的太阳能电池按结晶状态可分为结晶系薄膜式和非结晶系薄膜式两大类，而前者又分为单结晶形和多结晶形。按材料可分为硅薄膜形、化合物半导体薄膜形和有机膜形。　　　　

来源：互联网2010-03-15

相关上市公司为：兰花科创、大港股份、中环股份、拓日新能、海通集团、有研硅股。...另外，涉及到太阳能电池的上市公司繁多，按结晶状态可分为结晶系薄膜式和非结晶系薄膜式两大类，而前者又分为单结晶形和多结晶形。

来源：互联网2009-09-24

就太阳能电池种类来看，则2009年结晶硅太阳能电池产量预估将年增20.0%至6.715gw(占整体太阳能电池产量比重为81.0%)、薄膜硅太阳能电池产量估年增40.0%至500mw(6.0%)、cdte

来源：中投顾问2009-06-11

一季度全球光伏产业的惨淡表现并不能阻止德国太阳能组件生产商asola的扩展步伐，近日该公司在德国中部的埃尔富特开辟了一条新的结晶硅太阳能电池组件工厂。...德国多晶硅生产商wacker一季度销售额同比下降14%，德国光伏系统集成商phoenix solar一季度销售额同比下降11.8%，德国太阳能电池制造厂centrosolar一季度销售额同比下降7%，德国硅晶片生产商

来源：www.chinapower.com.cn  2009-03-05

该研究所致力于改善硅结晶和晶圆技术以及结晶硅薄膜技术。2009年及以后 在其它细分市场上，大量公司正投资于德国光伏产业。...仅在今年，该行业就将陆续呈现众多发展：alfasolar 计划在今年春天开设一家高度自动化的结晶硅太阳能电池组件生产中心。

来源：国际能源网2008-12-31

晶体型太阳能电池以多晶硅片为主要的半导体材料，薄膜太阳能电池则是通过使用硅烷，在玻璃等其他材料上喷涂一层硅薄膜而制成。...该公司向柔性薄膜太阳能电池制造商konarka技术公司投资4500万美元，获得后者约20%的股份，双方将致力于新型太阳能电池组件开发；道达尔公司还持有photovoltech公司47.8%股份，该公司主要生产基于结晶硅技术的光伏电池

来源：中国电力新闻网  2008-12-12

nst选定的是“结晶硅太阳能电池的低成本、高效率及制造装备开发”，相应的资金投入，政府预算为205亿韩元，民营资金为83亿韩元。...　 从课题的选定结果来看，lg电子选定了“低成本、大面积硅薄膜太阳能电池制造技术开发”，3年的资金投入，政府预算为246亿韩元，民营资金为158亿韩元。

来源：日经BP社2008-12-09

美洲的结晶硅型所占比例低于40％，但其它3个地区超过了70％。在产能最大的亚洲，结晶硅型的比例非常高，约为90％。美洲产能虽不及亚洲和欧洲，但各类型的构成比例很有特点。...美洲的结晶硅型产能所占比例较低，但a-si型、cigs型和cdte型的比例都很高。

来源：中国电力新闻网2008-09-10

，填补了国内碳化硅市场无大结晶绿硅的空缺。...据该公司经理马永忠介绍，绿硅产品研发成功，填补了国内碳化硅市场无大结晶绿硅的空缺，使碳化硅项目进入低耗量、高回报的阶段。

来源：中国电力新闻网2008-09-01

调查数据显示，2007年结晶硅太阳能电池占太阳能电池市场的近9成。不过，据称今后硅消费量少或者不使用硅的太阳能电池将盛行。...由于薄膜太阳能发电原料费用便宜，制造工序减少，因此今后有望大幅降低生产成本，预计现在人们所了解的非结晶硅串联式构造的太阳能电池将大幅增长。

2003-12-12

（3）通过对硅材料进行成膜和蚀刻处理，形成硅微结晶图案（见图1-c）。 　　ibm预测，今后3～5年内将可以在试制水平上使用该技术。...图中（a）为高分子图案尺寸分布图，（b）为中间工艺的尺寸分布图，（c）为硅微结晶的尺寸分布图）。高分子图案在二氧化硅图案形成后将被删除。

2007-01-17

前者使用除去蛋白质的金属微粒，作为硅结晶的生长核,而后者则将嵌入硅氧化膜中的金属微粒作为电荷的累积层。...其在硅110面形成pmos晶体管，在硅100晶面上形成nmos管。由于110面的空穴迁移率高，从而使pmos管的驱动电流提高了35%。