2005-01-13

测试过程加两次脉冲电压，第一次测真空灭弧室表面漏电流，第二次测真空灭弧室漏电流和动静触头离子电流，用第二次电流减第一次的剩余离子电流来自动查找标定曲线，计算出真空度值，测量三相后，自动打印结果，大屏幕液晶显示

2004-12-28

论文称，它具有0.5na～50na的较宽的关断状态漏电流范围。“而且在这项技术中，我们还提供了附加的低漏电选项用于低功耗器件，门级漏电流小于30 pa/μm，gdil低于10 pa/μm。”

2007-01-17

其微处理器在1.2v驱动时，漏电流仅为100pa/μm。其中nmos管的漏极电流为0.66ma/μm，pmos管的漏极电流为0.38ma/μm。其sram存储器的待机漏电流仅为常规sram的千分之一。