来源：中国工业网2014-08-12

在10m负载的情况下，通往负载路径上的每m电阻都会使效率下降10，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、mosfet的导通电阻及 mosfet的管芯接线等对效率都有影响。

来源：OFweek电子工程网2014-07-17

1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。...电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。电阻元件的电阻值大小一般与温度有关，衡量电阻受温度影响大小的物理量是温度系数，其定义为温度每升高1℃时电阻值发生变化的百分数。

来源：日经技术在线2014-07-10

坂本向功率半导体的开发人员呼吁，对于耐压超过700v、导通电阻小于25m、饱和电压超过14vds的器件，希望能够以低于1000日元的价格实现。...该公司采用sic二极管的逆变器通过减少开关损耗和导通损耗，大幅降低了转换损失。虽然目前仍需组合使用igbt（绝缘栅双极型晶体管），但今后，通过完全采用sic，估计损耗还将减少60％左右。

来源：中国电力电子产业网2014-06-11

isl85003/3a降压稳压器提供极低的导通电阻rds(on)，利用优化的电流模式控制器进一步提升效率和降低管芯温度，从而使复杂系统保持较低温度和防止产品故障。...18vo 连续3a输出电流o 最低为0.8v +/-1%的可调节输出电压o 500khz开关频率可选o 开关频率可外同步至2mhz* 高效率o 效率高达95%o 45m 和65m的低边和高边mosfet导通电阻

来源：电气自动化技术网2014-05-28

例如变压器及线圈的漏磁、通电平行导线等。...(2) 利用软件方法抑制尖峰干扰对于周期性干扰，可以采用编程进行时间滤波，也就是用程序控制可控硅导通瞬间不采样，从而有效地消除干扰。

来源：电子发烧友2014-04-10

其内部除了工作频率为100khz的电流模式控制器外，还集成了800vcoolmos，导通电阻为2.2ohm，封装为dip7。该芯片内部同时集成了800v的高压启动单元。...原理描述：输入电压经过前级的共模滤波器l1，c20，c21和两个整流桥br1和br2;压敏电阻rv1，rv2，rv3及cx11，cx12，cx13构成过压保护线路;功率电阻r1，r2，r3用于抑制浪涌电流

来源：中国电力电子产业网2014-03-25

oc报警的原因：1)驱动供电的带载能力差，使igbt的导通管压降增大;2)驱动ic或外接功率大器不良，驱动能力变差，使igbt欠激励导通电阻变大; 3)igbt损坏或性能变差，导通通电阻变大; 4)驱动

来源：中国工业网2014-02-26

技巧之四、尽量使用mosfet器件如果设计的led灯具功率不是很高，建议使用集成了mosfet的led驱动器产品，因为这样做的好处是集成mosfet的导通电阻少，产生的热量要比分立的少，另外，就是集成的

来源：UPS应用2014-02-25

据东芝公司资料，1200v/100a的igbt的导通电阻是同一耐压规格的功率mosfet的1/10，而开关时间是同规格gtr的1/10。...它既有功率mosfet易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点。

来源：慕尼黑电子展2014-02-14

在10m负载的情况下，通往负载路径上的每m电阻都会使效率下降10%，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、mosfet的导通电阻及mosfet的管芯接线等对效率都有影响。

来源：南京鹏图电源有限公司2014-01-16

较典型的是高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfets)，其在同步整流器中取代了传统设计中使用的二极管，使压降由0.4v降到0.2v;功率mosfet制造商正在开发导通电阻越来越小的器件，其导通电阻已由

来源：电子发烧友网2013-11-28

超级结mosfet技术能够有效隔离导电区域与电压阻断区域，在导通状态下，重掺杂外延区域可确保导通电阻 足够低;在关断状态下，夹断导电区域，充当电压持续层，可谓是突破硅限制的超级mosfet。

来源：电子产品世界2013-11-19

该公司在icscrm2013发表了相关成果，虽未公布具体的导通电阻值，但与使用约300m厚的基片制造的相同耐压的sbd相比，导通电阻减小了0.4mcm2。...通过减薄sic二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kv以下的低中耐压产品中最为突出。

来源：OFweek半导体照明网2013-11-12

沟道型的导通电阻能够缩小到平面型的几分之一。因此能够进一步降低损耗。降低导通电阻还有助於压缩sic mosfet的成本。因为达到相同的载流量，沟道型的晶片面积要小於平面型。

来源：北极星电力网2013-11-05

今天推出的器件采用新的模拟工艺，导通电阻只有1.5。与前一代产品和在相同占位内具有近似导通电阻的竞争模拟开关相比，这些器件在关闭状态下的源极寄生电容要低50%，电荷注入最多低80%。...器件导通电阻低至1.5，具有11pf的cs(off)的低寄生电容、100ns的开关时间和0.033w的功耗。

来源：eefocus2013-10-11

扬声器和电容电阻等元器件组成，系统使用一片805l为控制芯片。控制和提示系统的基本电路如图1所示。...图1 单片机用电故障控制系统原理图3 工作原理3.1获取故障检测电压由电磁学理论得，通电导线周嗣有电磁场产生。在供电的电线旁安置两个串联的电磁感应线圈(形状为矩形)来获取由导线电流变化产生的信号电压。

来源：电子设计工程2013-08-23

通过boost升压变换器实现dc-dc变换，选用小导通电阻、高开关速度的irf640管为开关管，快速恢复二极管rhrp15120整流，减少反向导通时间，降低损耗。...当主人离开房子的时候可以启动防盗功能，如果两者保持正对，那么在磁铁的作用下，干簧管两端处于导通状态。当门被打开时磁铁和干簧管不再处于正对状态，此时干簧管处于断开状态，系统可以通过短信进行报警。

来源：中国电力电子产业网2013-08-19

高压mosfet泄极的磊晶层(epitaxial)主宰导通电阻的关键部分，无法大幅降低导通阻抗，而igbt内的bjt是双极元件，可大幅降低导通电阻，也就是说其具有低的集射极导通电压(vce(on))。

来源：电子产品世界2012-10-25

pmos 晶体管的低压降;更高可靠性：高脉冲电流额定值可在短路状态下实现高可靠性，延长产品使用寿命;广泛的电源开关系列：tps27081a 可对 ti tps22965 与 tps22929d 等低导通电阻集成型负载开关形成有力互补

来源：南京金通灵2012-06-18

该模块内置mos管以及驱动ic均由我司独立设计开发，内置mos导通电阻极小，小于4毫欧。正由于有这样的特性，mos管在工作的时候，功耗极低，特别是在大电流情况下，尤为突出。...而此时，由于该组的电池片出现反偏，则二极管导通，电流将沿二极管继续形成回路，不再消耗在被遮蔽的电池片上。