2006-06-13

同时，德州仪器公司将展示一个仅仅占用0.24 平方微米的0.045微米工艺的sram内存单元，到目前为止，它的这一尺寸与其它厂商的类似产品相比较小大约30%。...它能够减小sram单元尺寸的原因就在于它采用了浸没光刻技术。另外，德州仪器公司还对其生产工艺中的许多别的方面进行了改进。它在采用浸没光刻技术方面抢先于其竞争对手。

2006-04-17

三星电子公司去年的 dram芯片、 sram芯片和 nand闪存芯片在全球保持了第一的位置。

2005-12-13

14.3% 的市场份额维持了市场领头羊的位置，与往年增长速度低于市场平均水平不同的是，今年英特尔的增长速度二倍于市场平均水平；三星以7.6%的市场份额排在第二位，它在某些产品领域方面占有优势：dram、sram

2005-09-29

在此协议条款下，好利顺电子有限公司将经销ibm的powerpc微处理器系列、数字视频及静态随机存取存储器(sram)产品。 　　

2005-04-29

台积电表示，继2004年4月成功使用0.065微米工艺制造静态随机存取存储器(sram)并通过功能验证后，2005年将有包含altera在内的更多客户在下半年借用它的0.065微米工艺和生产线制造芯片。

2005-01-26

此次宣布实现了ti在2002年所做的承诺，ti公司当时计划在同一芯片上集成大量的手机电子功能，其中包括数字基带、sram、逻辑器件、rf、电源管理以及模拟功能等，并力争在2004年推出第一款产品的样片。

2004-12-28

其应用包括逻辑器件、sram、混合信号和嵌入式存储器件。这些公司宣称，采用这一技术，sram单元的尺寸可做到0.51～0.682。这一工艺据称可提供多达10个互联级别和9个铜线级别。

2004-08-31

这对于dram、sram、flash等存储器电路门类来看，确有高技术水平取代低技术水平的趋势，因为加工线宽越小、存储电路容量越大。

2004-06-24

相比之下，包括dram、sram、闪存在内的现有内存技术都使用电荷来存储数据。 　　除了不易挥发的特性外，mram的另一个有吸引力的地方就是成本。

2003-09-08

此外还有0.22微米工艺的sram和0.25微米的快擦写存储器。　　宏力半导体公司分两个阶段建设。第一阶段投产的一厂分a、b两部分，分别安装8英寸和12英寸的硅圆片生产设备。

2006-12-25

美司法部调查sram垄断事件 　　6. 惠普超越戴尔成为全球头号pc厂商 　　7. 英特尔发布四核台式机处理器

来源：电子工程专辑2007-04-05

例如，内建足够的sram，无需任何外接闪存，从而节省成本，减小尺寸，”atheros公司移动及嵌入式部门高级产品营销经理srinivaspattamatta提到。

2007-01-17

其sram存储器的待机漏电流仅为常规sram的千分之一。这是由于增大了栅氧化层的厚度和增长了栅极长度。 　　...日本东京大学和神户大学合作开发出采用有机晶体管的sram存储器。通过控制有机晶体管的背栅(back gate)，可补偿性能的降低并提高工作速度和可靠性。