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英飞凌、IBM推MRAM原型芯片 取代DRAM、闪存

2004-06-24 00:00关键词:IBM英飞凌DRAM收藏点赞

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      英飞凌IBM二家公司于当地时间本周三本周二宣布,它们已经展示了一款16兆位MRAM(磁性内存)的原型产品,将这种节能内存技术向商业化应用又推进了一步。 

  MRAM是一种非挥发性存储技术,能够在没有电源供应的情况下保存更长时间的信息。这种技术被认为在未来将会取代闪存,甚至可能会取代目前PC中的DRAM。目前,手机、数码相机等数字产品中大量使用了闪存。 

  利用磁阻材料生产的MRAM通过产生使存储单元成为二种磁性状态之一的磁场存储数据。相比之下,包括DRAM、SRAM、闪存在内的现有内存技术都使用电荷来存储数据。 

  除了不易挥发的特性外,MRAM的另一个有吸引力的地方就是成本。与需要使用专门的CMOS生产工艺的闪存不同的是,MRAM可以使用标准的CMOS工艺生产。如果良品率足够高,这将降低MRAM的生产成本。 

  自2000年以来,英飞凌和IBM一直在联合开发MRAM芯片。它们在一份声明中指出,在未来数年后,这一技术即可投入商用。
投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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