北极星
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      来源:solarF阳光网2013-10-12

      实际上,中国一级c-si组件制造商的出货份额从2011年年初的40%增加到2012年年初的45%,并在2013年q3,出货比例已经达到了50%。...而整个c-si组件价值链的传统成本也出现了下降,对于从硅锭到组件生产等不同的阶段,成本均出现了30%到60%的下降。目前组件转换成本占到组件生产总成本的比例最高,大约三分之一左右。

      来源:solarF阳光网2013-09-13

      最重要的是c-si光伏组件在涨价。中国c-si光伏组件价格在2013年1、2份降至0.53美元/瓦特的低点,但是在今年6、7月份反弹至0.56欧元/瓦特。

      来源:solarzoom2013-09-12

      据了解,课题组采用绝对辐照法溯源至si单位,研制的标准太阳电池具有良好的稳定性,校准装置可以采用模拟光和自然阳光两种方法对标准电池进行校准,其不确定度达到1.6%(k=2)。

      来源:北极星太阳能光伏网(独家)2013-09-06

      发表论文一百多篇,鉴定成果21项,发明专利11项,登记a-si/uc-si电池工艺自动控制软件1项,获市级技术发明一等奖。参加过21世纪新材料丛书编写,主持过国际薄膜光伏发展战略研讨会。

      来源:比特网2013-09-03

      以ibm为例,ibm也采取了类似被集成的角色定位,ibm不做应用,而是专注在基础平台,通过与si、isv合作,为用户提供完整服务。但这并不妨碍ibm成为云计算服务的提供商。

      来源:衡器信息网2013-08-28

      芯片供应商,模块供应商,设备供应商,应用程序和中间件平台,移动通信转售(mvno),系统集成(si)等都可以包括。这些企业还可以进军解决方案领域,向服务业转变。物联网就在你我身边。

      来源:日经能源环境网2013-08-27

      nedo称这是采用a-si、非晶sige(a-sige)和微晶硅三层构造的产品全球首次实现实用化,以前,夏普挑战三结型a-si太阳能电池的开发时,第二层也是a-si,存在层厚较厚的课题。

      来源:PV-TECH2013-08-20

      cigs走下坡尽管公认较非晶硅(a-si)和碲化镉(cdte)替代方案高效,可以导致同等规模较低的成本,然而铜铟镓硒(cigs)薄膜技术公司没有多少好转。

      来源:中国电线电缆网2013-08-16

      以前,si基的混合集成的实际制作工艺一直是相当复杂的,但近来,一些研究机构对传统倒装为基础的混合集成工艺作了改进,取得了较大进展。

      来源:solarF阳光网2013-08-15

      博世太阳能(阿恩施塔特,德国)和哈梅林太阳能研究所(isfh,emmerthal,德国)已经使用离子注入指叉背结背接触(ibc)技术,产生出了22.1%的高效晶体硅(c-si)的太阳能光伏(pv)电池。

      来源:电子发烧网2013-08-01

      ,同时材料制备工艺相对简单,poly-si薄膜电池技术有望使太阳电池组件的成本得到更大程度的降低,从而使得光伏发电的成本能够与常规能源相竞争。...在si薄膜太阳能电池中,大量的载流子复合发生在杂质中心、表面、界面和晶界处l2j在多晶硅薄膜和微晶硅薄膜中,晶界处会有晶界复合。为了减少这些复合。

      来源:semi2013-07-18

      另一方面,在使用sic和gan的时候,设计往往不像过去由si系功率半导体组成的电路那样顺利。其原因有两点,首先是功率半导体的性能参数不同,其次是,与功率半导体组合的周边部件和材料也需要多加注意。...sic器件和gan器件的特点是,工作温度比igbt和传统功率mosfet等si系器件的工作温度更高。有越来越多的技术人员打算在严酷的条件下使用采用sic器件和gan器件的电路,开始对其进行实际评估。

      来源:国际新能源网2013-07-01

      gan和sic器件优势大点兵为了理解gan和sic器件带来的性能优势,lux research分析师建模了分别采用si、sic和gan元器件的三种主要逆变器微型逆变器、串式逆变器和中央逆变器。

      来源:国际电子商情2013-06-25

      除了政策之外,产品效率仍然是业者追求的重点,除了传统硅基(si-base)产品外,tsmcsolar和solarfrontier也展示转换效率超过14%的冠军模组产品,表现出强烈的企图心。

      来源:环球光伏网2013-05-30

      iec 61646测试标准主要以非晶硅(a-si)技术为基础,旨在监测延长暴露在标准气候条件下的组件性能(最大功率)。

      来源:EnergyTrend2013-05-20

      )矽外延片与多晶(multi c-si)矽外延片的平均价格同步上扬,单晶(mono c-si)矽外延片的平均价格为$1.203 usd/piece,涨幅0.59%;而多晶(multi c-si)矽外延片则为

      来源:中国电子报2013-05-09

      2.非晶硅si/n-si异质结太阳能电池日本三洋公司研发了非晶si/n-si异质结结构电池。...由于电池发电的p-n结位于电池背面,ibc电池需要si材料的少数载流子扩散长度远大于si片厚度。高质量si衬底要求及复杂制备工艺,使产业化的ibc电池的制备成本很高。

      来源:国际电子商情2013-05-07

      它将继续是占主导地位的薄膜技术,但isuppli公司预测,先进的asi/si技术,即串联和三结,以及cis/cigs技术,到2013年会与碲化镉平分秋色。...基于硅的薄膜包括非晶(asi)与微晶硅(si)的各种组合,主要根据成本和光吸收能力进行权衡。处于开发或早期生产阶段的是染料敏化太阳能电池(dssc),它使用吸光染料。

      来源:江苏亨通电力电缆有限公司2013-04-25

      总的来说,这些高强度铝合金均属于可热处理的al-mg-si合金系,且经历多年,合金的配方、元素组成基本未变,一直沿用至今,但随着技术的发展,在制造工艺和装备控制等方面有了新的发展。...高强度铝合金产品(以al-mg-si热处理型高强度铝合金导线为例),世界上先进工业国的应用面及发展趋势,铝合金导线与钢芯铝绞线相比,由于其强度高、重量轻,并有较好的导电性能(53%iacs)等优点。

      来源:世纪新能源网2013-04-25

      (multi c-si)矽晶圆的平均价格出现分歧,单晶(mono c-si)矽晶圆的平均价格为$1.216 usd/piece,跌幅0.41 %;而多晶(multi c-si)矽晶圆则为$0.914 usd