2004-02-11
威罗纳尔表示,由于新的绝缘材料与现有的硅栅极不兼容,英特尔公司还将在栅极中使用金属材料。 英特尔公司没有披露新材料的成份。
2003-11-12
2003-03-28
另外,新的mosfet最小化输入容抗和栅极电荷,简化驱动电路,同时提高开关性能。 新的特性使新的irf8010 mosfet在隔离的拓扑,高效率ups和dc-dc转换器中,成为首要的理想选择。
2007-01-17
这是由于增大了栅氧化层的厚度和增长了栅极长度。 ...另外可通过加大栅极长度和采用更高的阈值降低器件的漏电流。 目前多核结构分为两种,一种是对称式的,另一种是非对称的。对称的双核结构,可将双核的外部总线连在一起。