2006-06-13
英特尔公司将在这次会议期间阐述由它开发的三栅极晶体管。据英特尔公司组件研究部门的主管迈克表示,在能耗量相同的情况下,三栅极晶体管的性能将提高35%。...虽然这样的原型产品已经被开发出来,但三栅极晶体管不会被应用在英特尔公司的0.045微米工艺中。他表示,我们认为0.032微米和0.022微米工艺用上三栅极晶体管还是很有机会的。
2003-03-28
另外,新的mosfet最小化输入容抗和栅极电荷,简化驱动电路,同时提高开关性能。 新的特性使新的irf8010 mosfet在隔离的拓扑,高效率ups和dc-dc转换器中,成为首要的理想选择。