来源：电力合伙人2016-05-26

功率变换电路1、mos管的工作原理：目前应用最广泛的绝缘栅场效应管是mosfet（mos管），是利用半导体表面的电声效应进行工作的。也称为表面场效应器件。

来源：电力电子产业网2016-04-11

国内加热炉等行业多用电阻炉或中频机组，1975年我国首台晶闸管感应加热中频电源在西安电力整流器厂研制成功，近40年来，随着技术的不断进步，我国感应加热中频电源，应用主功率器件已从最初的单一晶闸管器件扩容为晶闸管、igbt、mosfet

来源：OFweek电子工程网2016-03-14

另外，开关管的驱动波形，mosfet漏源波形等都是接近矩形波形状的周期波。因此，其频率是mhz级别的，这些高频信号对开关电源的基本信号，特别是控制电路的信号造成干扰。

来源：元器件交易网2016-03-08

一、hl7016 应用电路示意图二、主要的参数特性集成功率mosfet1.5mhz同步降压，支持1uh小尺寸电感最大充电电流： 3a集成usb otg升压输出：2.1ahl7016：5v-12v输入工作电压

来源：北极星电力网2016-03-07

电源系统使用高功率半导体开关，例如基于硅的mosfet和基于新型氮化镓(gan)和碳化硅(sic)的mosfet，需要高电流隔离的驱动器去控制开关。...si827x栅极驱动器一流的抗扰性能允许开发人员安全的采用快速开关mosfet或者更快的gan和sic开关实现电源系统，显著提升了系统整体效率，同时增强了可靠性。

来源：第一电动网2016-01-22

开关矩阵需要大量的电子开关，mosfet，但是因为数量多，其控制电路相当复杂，有企业用继电器代替，简化了设计，但是带来了继电器作为一个机械开关的寿命问题和误动作风险。

来源：第一电动网2016-01-21

开关矩阵需要大量的电子开关，mosfet，但是因为数量多，其控制电路相当复杂，有企业用继电器代替，简化了设计，但是带来了继电器作为一个机械开关的寿命问题和误动作风险。

来源：中国测控网2016-01-15

电动汽车中的主要元件有：●用于电动机驱动和逆变器的igbt模块●高压mosfet●大电流滤波电感●平面变压器●光耦●固态继电器●高压分压电阻●ptc热敏电阻限流器●高压二极管●整流桥模块被动元件需要更多空间并具有较高的成本

来源：雷锋网2016-01-08

直到2010年，kis在nature nanotechnology上宣布成功制造出首批基于单层mos2材料的晶体管 (mosfet)，并预测其有望发展成为比传统硅晶体管更节能的小尺寸低电压柔性电子器件。

来源：元器件交易网2016-01-05

电路中mosfet选用了irf4310，该mosfet导通电阻仅为7k，通流能力可达140a。

来源：cnbeta网站2016-01-04

在射频领域，已研制出性能极高的零带隙大面积石墨烯ｍｏｓｆｅｔ、双层石墨烯ｆｅｔ等产品；在石墨烯数字逻辑方面，已出现了双层石墨烯晶体管、纳米带晶体管和隧穿ｆｅｔ及相关电路。

来源：电工学2015-11-27

20世纪60年代以后，电力电子器件经历了scr(晶闸管)、gto(门极可关断晶闸管)、bjt(双极型功率晶体管)、mosfet(金属氧化物场效应管)、sit(静电感应晶体管)、sith(静电感应晶闸管)

来源：电子发烧友2015-11-24

充放电保护电路关键元件 mosfet也有一定比率的短路失效，如果锂电池产量并不大，那么这个效果就不会体现出来。但是锂电池的需求量非常大，仅2014年全球小型锂电池出货量就达56亿颗。

来源：《电网技术》2015-10-23

据统计，ec的故障率高于绝缘栅双极型晶体管、功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide- semiconductor field-effect transistor，mosfet)和功率二极管等其他电力电子设备

来源：电工学习网2015-08-19

这是为确保金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)能保持zvs状态。llc-src的效率只能在一个操作点进行优化。

来源：ZLG致远电子2015-08-17

30mw适用功率等级 ( 5w~10w )图4 非隔离dc-dc应用型号及特点：推荐型号：mp44234-30v输入电压范围内部集成双mosfet，节省续流二极管电路简单，体积小图5 双路ldo应用型号及特点...下面就介绍一下，mps的ac-dc电源、开关降压电源、双路ldo的基本应用于特性：图3隔离ac-dc应用 型号及特点：推荐型号：mp020-5集成700v mosfet原边反馈，无需光耦反馈电路简单，成本低超低待机功耗至

来源：EET2015-07-27

自1957年第一个晶闸管问世以来，大功率的模拟电力电子器件已经走过了近50年的发展历程，可关断晶闸管(gto)、电力晶体管(gtr)、mos可控晶闸管(mct)、电力mosfet以及绝缘栅极双极晶体管(

来源：电子工程专辑2015-07-24

rt是超级电容器的esr、分配损失 (rdist)与自动通道切换的mosfet的 rds(on)之和：rt=esr + rdist+rds(on)在vuv条件下，当允许10%的输入功率损失于rt之中时，

来源：文库2015-07-22

为pwm驱动输出端，直接驱动mosfet;脚8(v)提供正电源电压。mc34261由内部电源、欠压锁定、误差放大器、一象限乘法器、电流传感比较器、零电流检测器、电流检测逻辑及驱动输出等单元电路组成。

来源：电子工程专辑2015-07-15

恩智浦的usbtype-c完整配套系统包括微控制器、高速开关、usb3转接驱动器、esd保护和滤波设备、usbpdphy、cc逻辑控制器、身份验证、负荷开关、交流/直流电源解决方案、mosfet等。