来源：电子工程世界2012-01-29

2.3新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：硅谷动力2012-01-11

b)、可靠性偏低：对于6脉冲+有源滤波器的ups來说，由于在它的有源滤波器中、使用igbt管作为它的整流器和变换器的功率驱动管，其故障率偏高。

来源：国际电子商情2012-01-06

英飞凌highspeed3igbt引领人们对分立igbt有了新认识，这种技术及其后续研究将对降低igbt的导通和关断损耗持续进行突破创新，从而使新能源的系统设计更经济、高效。

来源：百方网2012-01-04

由传感器偏移或igbt通信产生的直流电流可能会引起网络麻烦。该电流可能会使变压器产生饱和，这样会使网络产生更多损失和更多谐波。对于无变压器配置，这不是个大问题。...而且，应避免由于逆变器igbt切换延迟而产生的直流偏移或使其尽可能的小。该直流偏移可导致网络分配变压器产生饱和。为了减小这个直流偏移，正在开发新的逆变器拓扑技术。

来源：百方网2012-01-04

由传感器偏移或igbt通信产生的直流电流可能会引起网络麻烦。该电流可能会使变压器产生饱和，这样会使网络产生更多损失和更多谐波。对于无变压器配置，这不是个大问题。...而且，应避免由于逆变器igbt切换延迟而产生的直流偏移或使其尽可能的小。该直流偏移可导致网络分配变压器产生饱和。为了减小这个直流偏移，正在开发新的逆变器拓扑技术。

来源：北极星太阳能光伏网2011-12-28

中新网能源频道了解到，区熔单晶硅已成为igbt的主体功能性材料。...2010年中国igbt市场规模约70亿元，未来预计将以25%以上的速度增长。目前全球有近20家区熔单晶硅制造商，其中前5位公司垄断了全球产量95%以上。

来源：互联网2011-12-26

而中环股份成功生长出国内首颗8英寸区熔单晶，既打破了国外对该技术的封锁，也提高了企业的竞争力，促进国内以igbt为代表的新型电力电子器件产业的发展。

来源：湖南在线2011-12-16

投资近3亿元的长沙创芯集成电路项目、投资14亿元的国内最大规模大功率igbt产业基地等相继开工，介面光电、宇顺电子等重大产业项目陆续建成投产，世界知名it企业富士康也助力湖南信息产业发展，其电子书、led

来源：北极星太阳能光伏网2011-12-15

集成电路设备主要应用于集成电路、分立器件、电力电子、太阳能电池（光伏）和tft-lcd以及igbt等领域；高精密电子元件类产品主要应用于包括航空航天在内的军工行业。

来源：北极星电力网2011-12-02

此前，基于igbt模块应用的高效节能电力电子变换装置(ups)产业化项目被列入国家高技术产业发展项目计划，并获得国家发改委资金扶持，科华恒盛的研发成果得到了行业协会与国家部委高度认可。

来源：Solarbe2011-11-23

而去年5月公司公布定增预案，拟融资11亿元投资igbt及光电子器件用区熔单晶硅材料的研发和产业化项目，以及绿色可再生能源太阳能电池用单晶硅材料产业化工程二期项目。

来源：北极星太阳能光伏网2011-11-21

根据此前公布的预案，公司拟非公开发行6000万股-1亿股，募集资金不超过24亿元，投向全资子公司环欧公司的"igbt及光伏电子器件用区熔单晶硅材料的研发和产业化项目"、环欧公司控股80%的中环光伏的"绿色可再生能源太阳能电池用单晶硅材料产业化工程二期项目

来源：21世纪网2011-11-18

igbt芯片主要应用于轨道交通、电动汽车、风力发电、太阳能发电、智能电网等多个产业。...2011年5月25日，中国南车承建的国内最大规模igbt产业化基地在湖南奠基。总投资为14亿元，预计2014年正式投产。

来源：北极星电力网2011-11-15

：瑞萨带霍尔传感器的pmsm 180正弦波驱动方案以及瑞萨基于78ko/dx2d的汽车仪表盘方案与此同时，renesas 功率和模拟器件部分也展出了很多产品,例如广泛用于工业领域的600v 5-50aigbt

来源：全景网络2011-10-18

受到日本地震的影响，半导体元器件的供给制约，日系igbt厂商的生产能力恢复的进度成为整个逆变器上游价格不确定性的重要风险因素。

来源：扬州日报2011-10-08

重点研发生产光伏并网发电系统集成设备、充放电控制器、逆变器、集中和远程监控装置等调度技术和产品；发展超高压和特高压电缆、超导电缆、功能性电缆和特种专用电缆，智能化特高压、高压输配电设备，以及重点研发生产全控型大功率电力电子器件（igbt

来源：北极星太阳能光伏网2011-10-08

逆变器中的升压开关有两个选择：igbt或mosfet。对于需要600v以上额定开关电压的输入级，常常会采用1200vigbt快速开关，如fgl40n120and。...mosfet虽然内置有体二极管，但相比igbt中采用的组合封装二极管，其开关性能很差。新型的场截止igbt能够以10v/ns的速度转换电压，较之以往的旧式产品导通损耗大大改善。

来源：电子元件技术2011-09-29

在图1中，q1和q3被指定为高压侧igbt，q2和q4则是低压侧igbt。该逆变器...发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求，本文介绍了太阳能逆变器的原理及架构，着重介绍了igbt和mosfet技术，实现智能控制是发展太阳能光伏逆变器技术的关键。

来源：全球光伏网2011-09-27

cpssc20ktl-o采用专利的三电平技术、igbt和mosfet并联技术,使效率在全范围内达到最大化,并具备高可靠全数字控制技术、两路最大功率跟踪、以及先进热设计、智能风扇调速等特点,各项指标均高于业界平均水平

来源：新电子2011-09-26

igbt技术演进日趋成熟igbt与n通道(n-ch)型mosfet不同处在于，n-ch型mosfet的基板极性为n；而igbt的基板极性为p。...由igbt的构造图可看出，igbt是由n-ch型的mosfe与pnp型双极面结型晶体管(bipolarjunctiontransistor,bjt)组合而成。