2003-12-17

这名为“采用自组装模板制造低电压、可升级非晶体闪存”报告是在最近的国际电子器件会议(iedm)上发布的。...ibm表示，自组装技术可增强半导体器件的小型化和高性能，该公司预计未来3到5年这项技术在航空产品领域将得到应用。

2003-11-25

ibm光子学研究人员提出一个大有希望解决光ic耦合光纤问题的方案，这有助于实现基于cmos的光电子器件。此项突破采用光电路设计通用的光晶体技术，在标准光纤及片上光波导之间产生高效耦合。...由硅氧化物组成的soi层折射指数很高，这有助于构建光波导器件。通过在soi层内蚀刻规则的孔图案，形成以特殊波长完全反射光振荡模式的光区。

2003-11-05

系统级芯片(soc)技术、神经网络芯片、砷化镓(gａaｓ)、锗硅gｅsｉ 技术、纳电子技术(基于量子效应的单电子器件和量子集成电路)、真空微电子技术、微电子机械系统(mems)技术和生物芯片等，正在成为人们研究的热点

2003-04-21

经历大约30年的研发与应用实践，随着新型电力电子器件和高性能微处理器的应用以及控制技术的发展，变频器的性能价格比越来越高，体积越来越小，而厂家仍然在不断地提高可靠性实现变频器的进一步小型轻量化、高性能化和多功能化以及无公害化而做着新的努力

来源：《中国电子报》2007-03-07

vdmos管普遍用于汽车电子、手机、高频加热、充电器、节能灯等领域，特别是作为电力电子器件，受到市场的追捧，从2001年到2006年，年增长率超过30%。 　　...半导体器件支撑着庞大的信息产业。而半导体器件的90%以上是硅器件，它们以硅片为基础材料。硅片被称作集成电路的核心材料。直径12英寸硅单晶抛光片主要用于制作0.13微米线宽以下的先进集成电路的衬底。

2007-01-22

我国高压电动机多为6kv和10kv等级，由于受到电力电子器件耐压限制，尚难以实现该等级变频器的直接高压输出。...1999年欧洲电机和电力电子制造商协会（cemep）制定了eff1、eff2、eff3三个等级的效率标准，并决定到2003年削减50％低于eff3标准水平的电机生产，2006年以后不再生产。 　　

2007-01-19

例如在《纲要》中，核心电子器件、高端通用芯片与基础软件、超大规模集成电路制造技术及成套工艺便被列为16个重点专项中的2项。 　　

2007-01-17

日本大阪大学产业科技研究所的田仁指出，向生物学习是利用纳米生物材料具有的自组装和复制与生长等特性，制作电子器件。而模仿生物则是指利用电子器件对生物纳米材料所构成的生物功能进行分析的技术。...2006年3月在日本召开的学术会议上，日立制作所和松下电器公司的技术人员介绍了使用蛋白质和dna(脱氧核糖核酸)等纳米生物材料，利用材料自身具有的“自组装”和形成相同图案的“复制与生长”等特性，创作新型的电子器件