来源：北极星输配电网2018-07-13

进一步地，所述三相半桥电路由绝缘栅双极型晶体管构成。

来源：亮报2018-07-11

近10年来，门极可关断晶闸管gto、绝缘栅双极型晶体管igbt等大功率高压开关器件开断能力不断提高，信息处理技术、控制理论的进步也为灵活交流输电技术迅速发展创造了有利条件。

来源：电力电子网2018-07-06

5、按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(igbt)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。...前者，不具备自关断能力，元器件在导通后即失去控制作用，故称之为半控型普通晶闸管即属于这一类;后者，则具有自关断能力，即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制，故称之为全控型，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管

来源：前瞻产业研究院2018-07-05

◆最后，石墨烯想象空间最大的领域是对硅的替代，成为下一代超高频率晶体管的基础材料，应用于高性能集成电路和新型纳米电子器件中。...然而由于石墨烯本身为导体，单层石墨烯没有带隙(bandgap)，无法实现逻辑电路必需的晶体管开关功能，需要人工植入带隙或采用复合材料的方法，工艺复杂性程度大幅提高，在微电子领域广泛使用还有待时日。

来源：电网技术杂志2018-07-04

柔性直流输电系统的阻尼低、惯性小,直流线路发生故障时故障电流迅速增大,即使闭锁换流站,交流系统也将与绝缘栅双极型晶体管 (insulated gate bipolar transistor,igbt)的反向并联二极管构成三相不控整流电路

来源：亮报2018-06-20

进入90年代以后，随着可关断开关器件的发展，特别是绝缘栅双极型晶体管igbt的广泛应用，采用可关断器件的电压源换流器性能得到了改善，后来被引入到直流输电领域。

来源：国家电网报2018-06-19

作为世界上首个将绝缘栅双极型晶体管(igbt)作为主功率元件的upfc工程，其成功投运意味着国家电网公司在upfc关键技术的掌握上又迈进了一大步。

来源：国家电网报2018-06-19

作为世界上首个将绝缘栅双极型晶体管(igbt)作为主功率元件的upfc工程，其成功投运意味着国家电网公司在upfc关键技术的掌握上又迈进了一大步。

来源：户用光伏网2018-06-01

逆变器主要由晶体管等开关元件构成，通过有规则地让开关元件重复开-关（on-off），使直流输入变成交流输出。当然，这样单纯地由开和关回路产生的逆变器输出波形并不实用。

来源：电子发烧友网2018-05-30

逆变器主要由晶体管等开关元件构成，通过有规则地让开关元件重复开-关（on-off），使直流输入变成交流输出。当然，这样单纯地由开和关回路产生的逆变器输出波形并不实用。

来源：电力电子网2018-05-29

晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。...若在igb模块t的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则mosfet导通，这样pnp晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若igbt的栅极和发射极之间电压为0v，则mosfet截止，切断pnp

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2018-05-24

古瑞瓦特已取得晶体单管压接工艺专利，这种压接工艺确保晶体管能够在长期的工作过程中紧密均匀贴合散热器，确保晶体管长期的散热可靠性，间接地保护逆变器的稳定性和寿命;为了确保电感的质量和可靠性，古瑞瓦特自主研发了密封罐胶电感

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2018-05-21

高品质逆变器内部核心元器件全部采用国际一流品牌;其中开关管元器件，在工艺上采用古瑞瓦特自主创新的晶体管压接技术专利，保证了晶体管的压接牢靠和高效散热，从而保证了产品的高品质和高可靠，如下对比图所示：古瑞瓦特自主专利的晶体压接方式

来源：科华恒盛2018-05-14

以电脑处理器（cpu）为例，从沙子到芯片，需要经过提纯硅、切割成硅圆片、研磨硅圆片、涂抹光刻胶、蚀刻、离子注入、构建晶体管之间连接电路等5000道复杂工序，对生产设备、环境有严苛的要求。

来源：低碳工业网2018-05-08

光伏逆变器分类有关逆变器分类的方法很多，例如：根据逆变器输出交流电压的相数，可分为单相逆变器和三相逆变器;根据逆变器使用的半导体器件类型不同，又可分为晶体管逆变器、晶闸管逆变器及可关断晶闸管逆变器等。

来源：前瞻产业研究院2018-05-02

在电控技术发展领域，igbt，即绝缘栅双极型晶体管的发展对于电控技术的突破和电控成本的降低极为关键。

来源：《电气技术》杂志2018-04-10

电路触发的过零点与实际过零点时间差t由达林顿驱动电路晶体管vt1、vt2和光耦d1的导通延时t1和电容c2、c3的充电时间t2决定。

来源：深圳古瑞瓦特新能源股份有限公司2018-03-19

（2）h5拓扑结构这种拓扑结构相比于全桥只需要增加一个的晶体管，这就是它命名h5的原因。电流续流期间将光伏电池从电网断开，以防止面板两极对地电压随开关频率波动，从而保持共模电压几乎不变。

来源：中国科学报2018-03-02

肖劲松也指出，美国专利布局重点在集成电路、晶体管、传感器、信息存储、增强复合材料等领域，注重对整个产业链的全面布局和保护。

来源：中国能源报2018-02-09

此外，国外申请主体以ibm、intel等大型跨国公司为主，专利布局围绕产业链，重点在集成电路、晶体管、传感器、信息存储、增强复合材料等领域布局，注重对整个产业链的全面布局和保护。