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      北极星为您找到“MOSFET”相关结果293

      来源:电子产品世界2015-07-14

      目前,各种固态继电器使用的输出器件主要有晶体三极管(transistor)、单向可控硅(thyristor或scr)、双向可控硅(triac)、mos场效应管(mosfet)、绝缘栅型双极晶体管(igbt

      来源:广州金升阳科技有限公司2015-06-25

      宽禁带宽度材料,sic mosfet具有相当低的漏电流,更适应在高电压环境中的应用;日前,mornsun与sic mosfet行业龙头企业合作,打造了一款sic mosfet专用的隔离转换dc-dc模块电源

      来源:eeworld2015-06-24

      意法半导体最新的碳化硅功率mosfet具有优异的能效和可靠性,为公司的产品阵容增加了导通电阻不同的新产品。...凭借意法半导体独有的封装技术,新的1200v sic功率 mosfet的工作温度高达200 c,适用于高温工作环境,例如太阳能逆变器、电动汽车、混合动力汽车、计算机服务器系统和工业电机。

      来源:广州金升阳科技有限公司2015-06-16

      二、sic mosfet与si igbt性能对比目前市面上常见的sic mosfet电流均不大于50a,以常见的1200v/20a为例,列举了cree公司与rohm公司的sic mosfet管的部分电气参数

      来源:中国节能产业网2015-06-01

      2.关键技术(1)高效三相pfc交错技术,采用先进的sic二极管和st的stw57n65m5mosfet来提高pfc部分的效率,减小损耗和原材料的使用。

      来源:中国节能产业网2015-06-01

      2.关键技术(1)高效三相pfc交错技术,采用先进的sic二极管和st的stw57n65m5mosfet来提高pfc部分的效率,减小损耗和原材料的使用。

      来源:北极星电力网2015-05-28

      使用isl8117,工程师能够设计只需10个元件(包括mosfet和被动元件)的完整dc/dc降压转换解决方案,并实现最高98%的转换效率和达到1.5%的输出电压精度。

      来源:电子发烧友2015-05-26

      mosfet取代了cascode,该系列电路的关键特性包括:频率反走以保持输出负载条件、限制最大传输功率而不影响待机性能、跳周期运行改进抗电磁干扰性能等等。...图1:ncp107x系列方案2:ncp125x系列安森美半导体的脉宽调制(pwm)系列ncp125x(图2),它集成了1000 v mosfet和pwm控制器,将双450 v输入与电流平衡串联,而分离的带控制器的高压单一

      来源:与非网2015-05-20

      4)驱动电路选用东芝半导体公司生产的高速光耦隔离型igbt/mosfet驱动芯片tlp250.tlp250具有隔离电压高、驱动能力强、开关速度快等特点。驱动电路的原理图如图3所示。

      来源:物联网在线2015-05-14

      将要讨论的具体部位包括sm72295全桥mosfet驱动器,sm72442 mppt控制器,再加上sm3320参考设计和太阳能逆变器资源管理器工具包。...本文将考虑如何其中的一些智能功能可以实现,采用如周围丰富,低功耗微控制器,专用控制器mppt和mosfet / igbt驱动器设备。从德克萨斯仪器公司的广泛组合的例子将用于说明本设计的问题。

      来源:EEFOCUS2015-05-13

      例如:英飞凌最新推出的500v到800v的coolmos ce系列产品,该产品系列采用的是英飞凌市场领先的超级结技术功率mosfet平台,既保证了coolmos在业界一贯的高品质和高可靠性,同时兼具吸引力的价格

      来源:EEFOCUS2015-05-13

      诸如模数转换器(adc),绝缘栅双极型晶体管(igbt)和金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)驱动器、接口驱动器以及运算放大器等ti的处理器和信号链产品有助于电源转换器模块的开发,而这些模块正是燃料电池的核心

      来源:与非网2015-04-28

      hitfet+(高集成度温度保护mosfet)低边开关具备突出特性,比如诊断功能、数字状态反馈和短路防护以及前所未有的受控斜率调节功能,能轻松平衡开关损失和emc兼容性。...对于需要mosfet保护功能的众多汽车与工业应用而言,hitfet+是正确之选在汽车应用领域,hitfet+产品可驱动电磁阀,实现高达20khz的pwm(脉宽调制)阀门控制。

      来源:电子发烧友2015-04-20

      其中,由于igbt效率损耗较大导致系统效率偏低,考虑如果采用损耗较小的mosfet,系统效率会至少上升10%~15%.

      来源:华强北电子市场2015-04-10

      元件并于15mm x 15mm x 4.92mm bga封装中包含了电感、 dc/dc 稳压器、 mosfet及支援零组件。

      来源:OFweek 电子工程网2015-04-03

      小巧的封装外形和高低边mosfet在封装内的优化互连,可最大限度地降低环路电感,从而实现最优的系统性能。...英飞凌科技股份公司2015年3月24日推出了optimos 5 25v和30v产品家族,它们是采用标准分立式封装的新一代功率mosfet

      来源:英飞凌科技股份公司2015-01-26

      led驱动器则是英飞凌目前与将来的重心所在,其产品组合除了大多数人较为熟知的coolmos、optimos等金属氧化物半导体场效晶体管(mosfet)以外,还包括dc/dc led驱动ic及线性led驱动

      来源:电子发烧友2015-01-12

      灯光控制部分硬件组成框架灯光控制部分硬件组成框图如图1所示,其中各部分接口电路如下:图1 无线灯光控制电路图2 非隔离电源电路图①非隔离电源电路为mcu和无线模块提供工作电压,如图2所示,采用pi的linkswitch-tn,由于功率mosfet

      来源:北极星环保网2014-12-26

      此外,它还融和了这两种器件的优点,既具有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的特性,其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间,可正常工作于几十khz频率范围内

      来源:中科院半导体研究所2014-12-18

      功率器件的运用着重于它的容量(大电流,大电压)、开关频率、通态损耗、串并联使用性等,例如功率mosfet、igbt、gto等。第三代宽禁带半导体材料s

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