来源：中国节能产业网2015-06-01

2.关键技术(1)高效三相pfc交错技术，采用先进的sic二极管和st的stw57n65m5mosfet来提高pfc部分的效率，减小损耗和原材料的使用。

来源：北极星电力网2015-05-28

使用isl8117，工程师能够设计只需10个元件(包括mosfet和被动元件)的完整dc/dc降压转换解决方案，并实现最高98%的转换效率和达到1.5%的输出电压精度。

来源：电子发烧友2015-05-26

mosfet取代了cascode，该系列电路的关键特性包括：频率反走以保持输出负载条件、限制最大传输功率而不影响待机性能、跳周期运行改进抗电磁干扰性能等等。...图1：ncp107x系列方案2：ncp125x系列安森美半导体的脉宽调制(pwm)系列ncp125x(图2)，它集成了1000 v mosfet和pwm控制器，将双450 v输入与电流平衡串联，而分离的带控制器的高压单一

来源：与非网2015-05-20

4)驱动电路选用东芝半导体公司生产的高速光耦隔离型igbt/mosfet驱动芯片tlp250.tlp250具有隔离电压高、驱动能力强、开关速度快等特点。驱动电路的原理图如图3所示。

来源：物联网在线2015-05-14

将要讨论的具体部位包括sm72295全桥mosfet驱动器，sm72442 mppt控制器，再加上sm3320参考设计和太阳能逆变器资源管理器工具包。...本文将考虑如何其中的一些智能功能可以实现，采用如周围丰富，低功耗微控制器，专用控制器mppt和mosfet / igbt驱动器设备。从德克萨斯仪器公司的广泛组合的例子将用于说明本设计的问题。

来源：EEFOCUS2015-05-13

例如：英飞凌最新推出的500v到800v的coolmos ce系列产品，该产品系列采用的是英飞凌市场领先的超级结技术功率mosfet平台，既保证了coolmos在业界一贯的高品质和高可靠性，同时兼具吸引力的价格

来源：EEFOCUS2015-05-13

诸如模数转换器(adc)，绝缘栅双极型晶体管(igbt)和金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)驱动器、接口驱动器以及运算放大器等ti的处理器和信号链产品有助于电源转换器模块的开发，而这些模块正是燃料电池的核心

来源：与非网2015-04-28

hitfet+(高集成度温度保护mosfet)低边开关具备突出特性，比如诊断功能、数字状态反馈和短路防护以及前所未有的受控斜率调节功能，能轻松平衡开关损失和emc兼容性。...对于需要mosfet保护功能的众多汽车与工业应用而言，hitfet+是正确之选在汽车应用领域，hitfet+产品可驱动电磁阀，实现高达20khz的pwm(脉宽调制)阀门控制。

来源：电子发烧友2015-04-20

其中，由于igbt效率损耗较大导致系统效率偏低，考虑如果采用损耗较小的mosfet，系统效率会至少上升10%~15%.

来源：华强北电子市场2015-04-10

元件并于15mm x 15mm x 4.92mm bga封装中包含了电感、 dc/dc 稳压器、 mosfet及支援零组件。

来源：OFweek 电子工程网2015-04-03

小巧的封装外形和高低边mosfet在封装内的优化互连，可最大限度地降低环路电感，从而实现最优的系统性能。...英飞凌科技股份公司2015年3月24日推出了optimos 5 25v和30v产品家族，它们是采用标准分立式封装的新一代功率mosfet。

来源：英飞凌科技股份公司2015-01-26

led驱动器则是英飞凌目前与将来的重心所在，其产品组合除了大多数人较为熟知的coolmos、optimos等金属氧化物半导体场效晶体管(mosfet)以外，还包括dc/dc led驱动ic及线性led驱动

来源：电子发烧友2015-01-12

灯光控制部分硬件组成框架灯光控制部分硬件组成框图如图1所示，其中各部分接口电路如下：图1 无线灯光控制电路图2 非隔离电源电路图①非隔离电源电路为mcu和无线模块提供工作电压，如图2所示，采用pi的linkswitch-tn，由于功率mosfet

来源：北极星环保网2014-12-26

此外，它还融和了这两种器件的优点，既具有mosfet器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的特性，其频率特性介于mosfet与功率晶体管之间，可正常工作于几十khz频率范围内

来源：中科院半导体研究所2014-12-18

功率器件的运用着重于它的容量(大电流，大电压)、开关频率、通态损耗、串并联使用性等，例如功率mosfet、igbt、gto等。第三代宽禁带半导体材料s

来源：中国电力电子产业网2014-09-29

同我们原先考虑采用的si超结mosfet相比，sic技术能够降低我们逆变器电子中超过30%的损耗。...科锐1200vsicmosfet科锐1200vc2m0080120dmosfet应用在太阳能逆变器的主要电能转换阶段，具有更快的开关特性，开关损耗仅为相应的900vsi超结mosfet的三分之一。

来源：电子工程世界2014-09-17

但是随着 pwm 控制器 ic 的不断发展以及 mosfet 增强和封装技术的进步，开关模式电源 (smps) 已能够克服障碍并主导所有电源级别的市场。

来源：北极星电力网2014-08-25

电力电子功率器件，包括金属氧化物半导体场效应管(mosfet)，绝缘栅双极晶体管芯片(igbt)及模块，快恢复二极管(frd)、功率肖特级二极管，中小功率智能模块，5 英寸以上大功率晶闸管(gto)，集成门极换流晶闸管

来源：电子发烧友2014-08-18

开关电源中的电压电流波形大多为接近矩形的周期波，比如开关管的驱动波形、mosfet漏源波形等。

来源：OFweek电子工程网2014-08-13

是二极管/晶闸管市场的领导者，占有全球34%的份额，拥有两万一千多种不同的功率半导体器件，产品涵盖了芯片、分离二极管/晶闸管、功率模块(igbt/mosfet/二极管/晶闸管)、驱动电路、保护元件以及集成电子系统