来源：电子工程世界2012-02-04

3.新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：电子工程世界2012-01-29

2.3新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：电子工程世界2011-09-08

igbt技术igbt基本上是具备金属门氧化物门结构的双极型晶体管(bjt)。这种设计让igbt的栅极可以像mosfet一样，以电压代替电流来控制开关。...就以太阳能逆变器应用来说，绝缘栅双极晶体管(igbt)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制，并能使逆并联二极管与igbt配合。

来源：EDN电子设计技术2011-06-01

作为全球领先的功率半导体供应商，英飞凌通过提供igbt(绝缘栅双极型晶体管)、coolmos、optimos和碳化硅等产品，为降低全球能耗作出了巨大贡献。

来源：电子工程世界2011-03-23

)、mgt(mos控制晶体管)、mct(mos控制晶闸管)、igbt(绝缘栅双极型晶体管)、hvigbt(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)的发展过程，器件的更新促进了电力电子变换技术的不断发展。

来源：索比太阳能网2010-11-29

世纪80年代，功率场效应管、绝缘栅型晶体管、mos控制晶闸管等功率器件的诞生为逆变器向大容量方向发展奠定了基础。...第一阶段：20世纪50-60年代，晶闸管scr的诞生为正弦波逆变器的发展创造了条件；第二阶段：20世纪70年代，可关断晶闸管gto及双极型晶体管bjt的问世，使得逆变技术得到发展和应用； 第三阶段：20

来源：索比太阳能网2010-11-26

世纪80年代，功率场效应管、绝缘栅型晶体管、mos控制晶闸管等功率器件的诞生为逆变器向大容量方向发展奠定了基础。...第一阶段：20世纪50-60年代，晶闸管scr的诞生为正弦波逆变器的发展创造了条件；第二阶段：20世纪70年代，可关断晶闸管gto及双极型晶体管bjt的问世，使得逆变技术得到发展和应用； 第三阶段：20

来源：互联网2010-04-19

香港天大能源集团有限公司投资35亿元，以生产锂离子电池及正极材料、电动汽车及配套为主的锦州天路工业园项目；大连佐源集团投资8亿元的食品综合加工基地项目；深圳中洋田电子技术有限公司投资12亿元的聚焦砷化镓太阳能电池及igbt(绝缘栅双极型晶体管

2007-01-23

因此mosfet半导体场效应晶体管和双极型功率晶体管都不能满足小型、高频和高效率的要求，只有绝缘栅双极型功率晶体管igbt集mosfet场效应晶体管的高速性能和双极型功率晶体管的低电阻性能于一体，具有电压型控制