来源：OFweek电子工程网2014-08-13

标准产品包括分立器件如晶体管、二极管与晶闸管;功率晶体管如mosfet、igbt等。

来源：中国工业网2014-08-12

在10m负载的情况下，通往负载路径上的每m电阻都会使效率下降10，印制电路板的导线电阻、电感器的串联电阻、mosfet的导通电阻及 mosfet的管芯接线等对效率都有影响。...2014年，随着ic不断提升集成度和智能化以及业界也争相提供更高功率密度的封装，如so8fl、8fl、phasefet、双mosfet封装等，智能功率模块也将获得大的发展，目前ir、安森美、凌力尔特等公司都有布局

来源：电子工程专辑2014-07-15

内部集成mosfet的boost升压控制器可把电池电压升到5v。

来源：北极星电力网2014-07-11

是在纽约证券交易所上市(vsh)的财富1000 强企业，是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：日经技术在线2014-07-09

在600v～6000v耐压领域，瞄准混合动力车及铁道车辆用途的开发日益活跃，这一耐压下的应用需求，目前可通过肖特基势垒二极管(sbd)及mosfet等sic单极性器件满足。

来源：日经技术在线2014-07-09

在600v～6000v耐压领域，瞄准混合动力车及铁道车辆用途的开发日益活跃，这一耐压下的应用需求，目前可通过肖特基势垒二极管(sbd)及mosfet等sic单极性器件满足。

来源：百度文库2014-07-04

一旦电子产品出现故障时，如电子产品输入侧短路或输出侧开路时，则电源必须关闭其输出电压，才能保护功率mosfet和输出侧设备等不被烧毁，否则可能引起电子产品的进一步损坏，甚至引起操作人员的触电及火灾等现象...图2(a)与图2(b)中在mosfet的源极均串入一个限流电阻rsc，在图2(a)中，rsc提供一个电压降驱动晶体管s2导通，在图2(b)中跨接在rsc上的限流电压比较器，当产生过流时，可以把驱动电流脉冲短路

来源：中国电力电子产业网2014-06-11

基于专有的高性能功率fet，isl85003/3a的高边mosfet工作电阻rds(on) 为65m，低边工作电阻为45m。...创新电源管理与精密模拟解决方案领先供应商intersil公司(纳斯达克交易代码：isil)今天宣布，推出带有集成高边和低边mosfet的3a同步降压稳压器---isl85003和isl85003a。

来源：中国电力电子产业网2014-06-04

allegro microsystems, llc宣布推出新型n通道功率mosfet驱动器，能够通过控制相内隔离 mosfet以隔离三相负荷。...在典型的应用中，mosfet将在8秒内启动并在1 秒内关闭。欠压监视器检查泵供应电压是否足够高以确保mosfet维持在安全的导电状态。

来源：中国电力电子产业网2014-05-29

是在纽约证券交易所上市(vsh)的财富1000 强企业，是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：中国电力电子产业网2014-05-29

开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制控制ic和mosfet构成。

来源：新浪地产2014-05-28

开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制控制ic和mosfet构成。

来源：世纪新能源网2014-05-27

其功率一般小于30kw，功率开关管采用小电流的mosfet，拓扑结构采用dc-dc-boost升压和dc-ac全桥逆变两级电力电子器件变换，防护等级一般为ip65。体积较小，可室外臂挂式安装。

来源：北极星电2014-05-13

是在纽约证券交易所上市(vsh)的财富1000 强企业，是全球分立半导体(二极管、mosfet和红外光电器件)和无源电子元件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。

来源：北极星电力网（原创）2014-05-06

双方的这一合作所产生的协作优势包括：例如：sic 电源开关专用的隔离式栅极驱动器hades 技术;高温 sic mosfet;及 sic 传感元件的高温信号调节器。...cissoid 拥有高温隔离式栅极驱动器、高压 sic mosfet 开关等强大的半导体产品与评估套件组合。其他产品还包括直流到直流转换器和线性稳压器、功率驱动器 ic、通用 ic 及分立组件。

来源：深圳市晶福源电子技术有限公司2014-04-29

组串式逆变器：功率小于30kw，功率开关管采用小电流的mosfet，拓扑结构采用dc-dc-boost升压和dc-ac全桥逆变两级电力电子器件变换，防护等级一般为ip65。体积较小，可室外臂挂式安装。

来源：电子发烧友2014-04-10

但coolset开通时，外部mosfet的源极被拉至地，从而齐纳管d10形成反偏，从而使外部mosfet开通;当coolset关断时，电感电流首先对coolset内部的mosfet的漏源电容进行充电，直到

来源：西北工业大学电子信息学院2014-04-08

在mosfet导通时，初级线圈电压上正下负，使得d5截止，此时钳位电路不起作用，而在mosfet有导通到截止的时刻，由高频变压器的漏感产生的尖峰电压会叠加在直流高压和感应电压上，叠加的电压很容易损坏mosfet

来源：我爱方案网2014-04-03

图5中，lt3756为新型大功率led驱动芯片，输入电压6~100v，通过一个外部n沟道mosfet，可以使用标称值为12v的输入驱动20个1a的白光led，效率超过94%，频率范围为100khz~1mhz

来源：北极星电力网2014-03-25

日前，vishay intertechnology, inc宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款igbt和mosfet驱动器vow3120-x017t，扩充其光电子产品组合