来源：电子发烧友网2013-11-21

今天，不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用，绝缘栅双极晶体管(igbt)都可以提供有效的解决方案，以实现最终产品的高能效和高性能。...两者均可降低并联续流二极管的正向导通电压。

来源：中自网2013-11-06

所有这些交流控制应用都需要能够产生大电流和高电压的核心功率器件，作为新型电力电子器件的代表，igbt(绝缘栅双极型晶体管)越来越受到业界的重视。...igbt是mos结构的双极器件，它兼具功率mosfet(金属氧化物场效应晶体管)的高速性能和双极晶体管的低电阻性能，具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、安全工作区大等优点，这使得

来源：日经BP社2013-11-01

具体而言，就是将半导体开关元件igbt(insulatedgatebipolartransistor：绝缘栅型双极晶体管)把光伏发电的直流电流转换为供电所需的交流电流时的电路构成，由原来的2级细分为3级

来源：eefocus2013-10-23

基本上在整流器和逆变器的控制开关上有几个选择，分别是绝缘栅双极晶体管(igbt, insulated gate bipolar transistor)、门极可关断晶闸管(gto, gate turn off

来源：中国电力电子产业网2013-09-24

据ihs isuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告，由于绿色能源与能源效率得到更多的重视，以及政府投资支持和严格的能源政策，2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(igbt)市场销售额的复合年度增长率将达

来源：半导体应用联盟2013-09-23

据ihs isuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告，由于绿色能源与能源效率得到更多的重视，以及政府投资支持和严格的能源政策，2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(igbt)市场销售额的复合年度增长率将达

来源：中国传动网2013-09-22

由上海永济电机公司设计制造的大功率igbt芯片(绝缘栅双极型晶体管)日前通过专家鉴定。该芯片实现国产化后，将在高铁建设、电力系统、绿色能源、电动汽车等领域每年创造数十亿元的产值。

来源：中国电力电子产业网2013-08-19

由igbt的构造图可看出，igbt是由n-ch型的mosfe与pnp型双极面结型晶体管(bipolarjunctiontransistor，bjt)组合而成。

来源：美国国家仪器(NI)有限公司2013-06-28

目前，最常使用的设备类型之一是绝缘栅双极型晶体管或igbt。20世纪80年代以来，igbt技术已经经过了六次发展，平均每11年，其能源效率提高了一倍。...强大的设计工具、一流的嵌入式处理性能以及高效率的电力电子晶体管推动了数字能源革命的发展。这些功率晶体管将能量转换成数据包，然后在高速嵌入式控制系统的控制下精确地对数据包进行转换和处理。

来源：电源网2013-05-24

5.按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(igbt)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。

来源：证券日报2013-04-24

安艳清向记者介绍，8英寸单晶硅是制成动车igbt(绝缘栅双极型晶体管，半导体器件)的主要原材料。中环股份是全球第二家、全国首家拥有这一技术的公司。

来源：中国知识产权报2013-04-19

绝缘栅双极晶体管(igbt)作为当前电力电子最重要的大功率主流器件之一，主要应用在开关上。该器件是在双极型晶体管和绝缘栅型场效应晶体管基础上发展起来的一种新型复合功率器件。

来源：中国电力电子产业网2013-04-09

vishay推出新款高性能镀金属聚丙烯膜缓冲电容器---vishay roederstein mkp386m，该器件可直接安装在绝缘栅双极型晶体管(igbt)模块上，容量从0.047f到10f，可在+

来源：输配电设备网2013-03-29

(mos控制晶体管)、mct(mos控制晶闸管)，发展到今天的igbt(绝缘栅双极型晶体管)、hvigbt(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)，器件的更新促使变频器的应用领域更为广泛，市场规模随之迅速扩大。

来源：互联网2012-07-17

)，发展到今天的igbt(绝缘栅双极型晶体管)、hvigbt(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)，器件的更新促使变频器的应用领域更为广泛，市场规模随之迅速扩大。

来源：中国设备网2012-06-13

控制晶闸管)，发展到今天的igbt(绝缘栅双极型晶体管)、hvigbt(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)，器件的更新促使变频器的应用领域更为广泛，市场规模随之迅速扩大。

来源：ne21.com2012-06-13

此联合comolefo项目旨在识别和检测绝缘栅双极型晶体管(igbt)的老化机制，它是现代逆变器的主要组件。

来源：ne21.com2012-06-13

此联合comolefo项目旨在识别和检测绝缘栅双极型晶体管(igbt)的老化机制，它是现代逆变器的主要组件。

来源：《Photovoltaics International》2012-05-09

在对硅基mosfet等新材料的要求方面，sic技术在碳化物领域发生了显著的改变，使得mosfet(金氧半场效晶体管)的生产能力远超出了相类似的硅绝缘栅双极型晶体管(insulated-gatebipolartransistor

来源：电子工程世界2012-02-04

3.新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器