北极星

搜索历史清空

  • 水处理
您的位置:电力企业正文

利用安森美半导体IGBT实现高能效的高性能开关应用

2013-11-21 10:56来源:电子发烧友网关键词:IGBT双极晶体管不间断电源收藏点赞

投稿

我要投稿

今天,不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用,绝缘栅双极晶体管(IGBT)都可以提供有效的解决方案,以实现最终产品的高能效和高性能。在节能至上的市场上,电子设计人员首选可以实现高能效的器件,而且要针对不同应用选择合适的IGBT。推动高能效创新的安森美半导体提供丰富的分立式IGBT方案,广泛用于电磁炉、不间断电源(UPS )、太阳能逆变器和逆变电焊机等领域。

IGBT技术概述

IGBT有强耐能量冲击能力和强耐短路电流能力 (5至10微秒)。现有IGBT包括沟道非穿通型 (NPT)、沟道场截止型 (FS) 第一代和沟道场截止型第二代IGBT等类型。随着制造工艺的进步,开始采用50微米晶圆及金属背板,超薄晶圆及其背面处理工艺减少了IGBT的导通和开关损耗。

对比沟道非穿通型和沟道场截止型IGBT可以发现,前者的电场强度在硅漂移区 (n-FZ)线性递减到0,硅漂移区厚度与耐压成线性正比,因此具有高导通压降和高关断损耗;后者用N缓冲层减少了硅漂移区的厚度,实现了超薄晶圆,从而实现了低导通压降和低关断损耗 (图1)。

图1:沟道非穿通型和沟道场截止型IGBT对比

从技术趋势看,6至8英寸晶圆的厚度在不断缩减,从最初的250 μm到目前生产的100 μm和75 μm,还有50 μm和40 μm厚度正在研发当中。可以预期,今后IGBT的性能仍有望提高。

投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

特别声明:北极星转载其他网站内容,出于传递更多信息而非盈利之目的,同时并不代表赞成其观点或证实其描述,内容仅供参考。版权归原作者所有,若有侵权,请联系我们删除。

凡来源注明北极星*网的内容为北极星原创,转载需获授权。

IGBT查看更多>双极晶体管查看更多>不间断电源查看更多>