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利用安森美半导体IGBT实现高能效的高性能开关应用

2013-11-21 10:56来源:电子发烧友网关键词:IGBT双极晶体管不间断电源收藏点赞

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•5) 不间断电源和太阳能逆变器

安森美半导体用于不间断电源和太阳能逆变器 (包括中点钳位式逆变器) 的1200伏和600伏IGBT(包括NGTB50N120FL2和NGTB50N60FLWG等)采用场截止第一代和场截止第二代工艺,价格低廉,工作可靠,导通电压低,开关损耗小,并联的高速续流二极管正向导通电压低。这些器件适用于电池充电器、不间断电源、功率因数校正、全桥和半桥式太阳能逆变器/变换器、中点钳位式逆变器、升压变换器半/全桥拓扑结构。安森美半导体提供不同功率的逆变器用来测试分立式IGBT和IGBT模块。

图6:中点钳位式逆变器

安森美半导体的客户已成功使用其场截止型第一代IGBTNGTB50N60FLWG开发出了各种应用,如功率10 千伏安、功率因数0.9的不间断电源,以及采用半桥谐振拓扑结构的1450瓦厨用电炉。客户认为,安森美半导体场截止型第一代IGBT的性能达到了市场上最好的性能;其IGBT在电磁炉上的温升低于其它2款IGBT。

未来,安森美半导体将推出超过20款第四代 (场截止型第二代) IGBT以及专用于逆变式电焊机IGBT,并继续开发IGBT模块。无论客户的产品需求如何,安森美半导体总有一款高性能、高能效的IGBT方案能够满足要求,帮助设计工程师设计出高能效及高性能的产品。

投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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