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利用安森美半导体IGBT实现高能效的高性能开关应用

2013-11-21 10:56来源:电子发烧友网关键词:IGBT双极晶体管不间断电源收藏点赞

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安森美半导体IGBT产品应用示例

1) 电磁感应加热

安森美半导体的IGBT采用沟道场截止工艺,以合理的价格提供可靠性和优良的开关性能。其600伏30安培和40安培场截止型第一代IGBT导通电压低、开关损耗小,专门为半桥谐振式电磁感应加热设备设计,产品包括NGTB40N60IHLWG和NGTB30N60IHLWG;其1200伏15安培到40安培场截止型第一代IGBT导通电压低、开关损耗小,专门为单端谐振式电磁感应加热设备设计,产品包括NGTB15N120IHLWG、NGTB20N120IHLWG、NGTB25N120IHLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWG和NGTB30N120IHSWG。两者均可降低并联续流二极管的正向导通电压。而近期推出的用于电磁感应加热的15安培到40安培的1200伏和1350伏第二代场截止型IGBT系列可提供更低的开关损耗,工作可靠,适用于各类谐振和软开关应用,典型产品包括NGTB30N120IHR、NGTB30N135IHR、NGTB40N120IHR和NGTB40N135IHR等。这些器件的优点是提升系统开关效率\低功率损耗和节省线路板空间。安森美半导体为此开发了用于IGBT测试的2千瓦单端谐振电磁炉测试平台。

图2:600伏和1200伏电磁感应加热电路

•2) 电机驱动

安森美半导体的通用型600伏非穿通型IGBT包括15到50安培的一系列型号(包括NGTB15N60EG、NGTB30N60FWG和NGTB50N60FWB等),以及通用型1200伏IGBT包括15到40安培的一系列型号 (采用第一代场截止工艺,包括NGTB15N120LWG、NGTB20N120LWG、NGTB25N120LWG、NGTB30N120WG和NGTB40N120LWG),可降低并联续流二极管的正向导通电压,具有导通电压低、开关损耗小、提升系统效率、节省线路板空间等优点,广泛用于包括电机驱动、各种逆变器、变频驱动、泵、空气交换机等工业领域的硬开关电路。安森美半导体开发了用于IGBT测试三相全桥2千瓦电机驱动系统测试平台。

图3:电机驱动系统测试平台

投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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