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IBM深次微米工艺 利用高分子自组装特性

北极星电力网新闻中心  来源:    2003/12/12 0:00:00  我要投稿  
所属频道: 储能   关键词: IBM 
IBM日前利用高分子自组装特性,成功地开发出了用于半导体制造的深次微米加工技术。该技术利用某种高分子具有的自组装特性,形成了采用现有光刻技术的微加工技术无法形成的纳米级电路图案。与光刻法相比,“可形成更小、密度更高、精度更高的均匀的电路图案”(IBM)。

  该公司此次采用这种技术,试制出了闪存EEPROM。制造工艺如下:

(1)利用高分子自组装特性,形成六方密积结构(Hexagonal Closed Packed Structure)图案(见图1-a)图案尺寸方面,图1-a的黑色部分直径为20nm,排列间隔为40nm。排列尺寸取决于高分子尺寸。

(2)将(1)中生成的高分子图案用于形成二氧化硅图案的掩膜图案(见图1-b)。所形成的二氧化硅图案尺寸精度低于高分子图案精度(见图1-d。图中(a)为高分子图案尺寸分布图,(b)为中间工艺的尺寸分布图,(c)为硅微结晶的尺寸分布图)。高分子图案在二氧化硅图案形成后将被删除。

(3)通过对硅材料进行成膜和蚀刻处理,形成硅微结晶图案(见图1-c)。

  IBM预测,今后3~5年内将可以在试制水平上使用该技术。此项开发成果将在12月8月于美国华盛顿特区召开的“IEDM 2003”国际半导体制造技术会议上发表。


图1:闪存EEPROM制造工艺的SEM照片



图2:试制的闪存EEPROM的截面SEM照片



图3:试制的闪存EEPROM的截面示意图


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