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IMEC与美国国家半导体合作开发基于硅锗技术的BiCMOS工

2003-03-31 13:22关键词:IC合作美国收藏点赞

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比利时独立微电子研发中心IMEC与美国国家半导体(National Semiconductor)开展合作,共同开发面向低功耗应用进行优化的0.18微米及下一代硅锗(SiGe)基BiCMOS工艺技术。

美国国家半导体计划在2003年12月以前在其South Portland的生产厂采用0.18微米硅锗基BiCMOS工艺。根据两家公司之间为期四年的协议,他们希望在2005年上半年验证下一代0.13微米工艺。

IMEC和美国国家半导体自从2002年1月以来一直在合作开发0.18微米硅锗异质结双极型晶体管(HBT)模块,目标是集成到后者现有的高速BiCMOS工艺家族之中。

根据非排他性协议,IMEC将向美国国家半导体授权使用0.18微米硅锗HBT模块,以及测试芯片结构和双极型模型。

美国国家半导体将在不影响CMOS性能的前提下把硅锗HBT模块集成到现有的0.18微米CMOS之中。螺旋电感器、变容二极管、金属-绝缘物-金属(MIM)电容和多晶硅电阻等全套射频无源元件也将全部集成到该工艺之中。
投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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