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IBM与英飞凌称MRAM技术于2005年实现商业化

2003-06-17 00:00关键词:技术IBM英飞凌收藏点赞

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IBM英飞凌科技日前在日本京都的VLSI研讨会上联合宣布,通过将磁性存储元件集成在高性能逻辑器件上,他们已开发出磁性随机存储器(MRAM)技术。 

IBM与英飞凌科技称,这种突破性的存储技术有可能在2005年初开始取代今天的一些存储技术。采用MRAM技术将取消计算机启动和关闭的等待时间,即计算机便可以象电视机和收音机一样快速开关,还可延长手提电脑、手机等便携式设备的电池使用寿命。 

在研讨会上,IBM和英飞凌展示了他们的高速128Kb MRAM内核。该内核采用0.18微米的逻辑器件工艺技术制造,是迄今为止宣布的最小尺寸的MRAM器件,这项技术将促使IBM与英飞凌能够整合体积最小的1.4平方微米MRAM,约为普通铅笔笔尖的二千万分之一,透过在这么小的单元中精确地架构实现磁阻结构,IBM与英飞凌的研究人员能够进行内存读写动作的控制。 

“MRAM有可能成为未来的通用存储技术”,IBM研发中心科技部副总裁T. C. Chen博士说,“这一突破表明MRAM技术正在迅速成熟,并能在未来的几年内从根本上改变整个存储器市场。” 

英飞凌存储产品部首席技术官Wilhelm Beinvogl博士说:“非易失性存储技术MRAM将在技术解决方案模式中起关键作用,我们与IBM将于2004年初合作开发出MRAM芯片样品,此外,我们还将与IBM和英飞凌的合资公司Altis Semiconductor一起,为2005年初MRAM的生产铺平道路。” 

业内分析家表示,MRAM芯片技术将明显改变消费者使用电子设备的方式。包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等一些问题都将因为MRAM芯片技术而得以解决。据Semico调查公司分析,MRAM所具有的快速读写和低成本的特性使其极有潜力取代DRAM和Flash,从而占据大部分存储器市场。 

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