半导体制造设备订单增长放慢，年底前持平

3月27日，陕西省印发陕西省培育千亿级第三代半导体产业创新集群行动计划（陕发改高技〔2024〕601号），其中提到，依托我省新能源汽车、光伏逆变、智能电网、储能装置、轨道交通、5G通信以及国防军工等行业优势，加强产业链上下游企业合作，推进第三代半导体应用创新。到2035年，带动新能源汽车、光伏逆

北京时间3月19日凌晨，被新能源圈推上风口浪尖的英伟达创始人黄仁勋，在芯片新品发布会上再抛重磅发言，“我们的目标是不断降低生产成本并提高能源利用效率。”人工智能AI热潮带来的算力需求彻底重塑了其市场格局，算力的需求推动了半导体行业成为全球科技创新的焦点。尤其半导体行业面临的能源挑战吸

创新技术突破将提高芯片生产能力，并提供结构更为复杂的1200V绝缘栅双极晶体管（IGBT）。日立能源应用于IGBT功率半导体器件的300毫米晶圆日前，日立能源成功推出300毫米（mm）晶圆，在功率半导体领域实现了重要的技术突破。这一创新成果不仅提升了芯片的生产能力，并实现结构更加复杂的1200VIGBT，该半

3月6日，正泰新能分别与美科股份、双良硅材料、丽豪半导体达成战略合作，共同致力于打造绿色供应链，提升光伏行业绿色化发展水平，同时满足终端组件产品最大程度覆盖全球市场，推动全球可持续发展。正泰新能首席供应链官陈家彬、美科股份战略供应链中心总经理冯琰、双良硅材料副总经理吴刚、丽豪半导体

经上海市人民政府批准，《半导体行业污染物排放标准》（DB31/374-2024）为上海市地方污染物排放标准，现予以发布。2024年5月1日起实施。本文件规定了半导体行业水污染物排放控制要求、大气污染物排放控制要求、污染物监测要求、达标判定要求、实施与监督等内容。本文件适用于半导体行业现有企业水和大

2月22日，浙江开化县人民政府办公室发布关于印发《开化县2024年度招商引资工作实施意见》《开化县2024年度招商引资工作考核办法》的通知。《意见》指出，2024年开化县瞄准项目招引三大主攻方向。其中包括围绕开化县有机硅、糖醇（无糖饮料）、光伏半导体、卡牌“2+2”产业链，突出产业转型、强链补链、

2月2日，芯联集成全资子公司芯联动力科技（绍兴）有限公司（下称“芯联动力”）与国电南瑞控股子公司南京南瑞半导体有限公司（下称“南瑞半导体”）的签约仪式在南京举行。芯联集成CEO赵奇、南瑞半导体董事长陈英毅代表双方签约。根据协议，两家公司将在碳化硅芯片等产品上展开科技研发、供应链保障、

广东省培育半导体及集成电路战略性新兴产业集群行动计划（2023-2025年）为贯彻省委、省政府关于推进制造强省建设的工作部署，加快培育半导体及集成电路战略性新兴产业集群，促进产业迈向全球价值链高端，依据《广东省人民政府关于培育发展战略性支柱产业集群和战略性新兴产业集群的意见》（粤府函〔202

12月13日，云南省发展和改革委员会关于云南宇泽半导体有限公司年产3GW单晶硅片生产线项目节能报告的审查意见。云南省发展改革委委托云南省节能监察中心组织有关专家对该项目（项目代码：2211-532301-04-01-153877）节能报告进行了评审，对项目能源消费情况、能效水平、用能工艺及节能管理措施等提出如

中国是全球最大的半导体设备市场，随着需求不断上升而推动的高代工资本支出、工艺的开发、存储芯片的开发、环保生产驱动的光伏需求、LED、MEMS、功率器件和先进封装的需求不断增长，未来10年，中国极有可能成为全球半导体芯片制造的中心。作为国内较早具备碳化硅(SiC)功率器件制造能力的企业，积塔专注

北极星电力软件网获悉，10月9日，河北省人民政府办公厅发布印发《关于支持第三代半导体等5个细分行业发展的若干措施》（以下简称《措施》）的通知。《措施》指出，支持大数据中心集群建设。支持“东数西算”国家一体化算力网络京津冀枢纽节点建设,利用好可再生能源消费不纳入能耗总量和强度控制政策,加

北极星储能网获悉，近日，特斯拉与瑞士汽车半导体公司Annex在中国济南建立一家合资公司——安纳思半导体。这是特斯拉首次在中国大陆布局芯片设计及制造环节。据悉，安纳思半导体(济南)有限公司成立于2022年10月19日，注册地址为济南市历城区华信路3号历城金融大厦1112-16，法定代表人为EnochThomas，注

新日本无线株式会社基于和UMCJ株式会社的合作协议，已经开展进行了半导体制造(前工程的晶片工艺制造)的协同生产，并完成了晶片工艺的开发、产品开发及生产体制的健全，现在样品发货已经开始，特此做以下汇报。1)开发的工艺技术协同开发的工艺技术是基于UMCJ的8inch0.35μCMOS※1工艺技术，其植入了新日本无线杰出的双极元件和BCD※2工艺技术里主要的功率元件DMOS※3元件(Nch、Pch)，开发的有50V耐压BCD工艺技术和35V耐压CMOS工艺技术，两种产品。50V耐压BCD工艺技术是使用了UMCJ平坦化技术而达到最大5层布线及上层3&mu

  据IHSiSuppli公司的研究，2010年无晶圆制造半导体公司扩大了在全球微机电系统(MEMS)市场的份额，去年占总体MEMS营业收入的近四分之一。2010年无晶圆制造半导体公司占总体MEMS营业收入的23.2%，高于四年前的21.3%。这四年的增幅虽然不大，但却表明 MEMS制造业务不再由集成器件制造商(IDM)所独占，继续流向其它厂商。IDM在自己内部设计和生产产品。相反，无晶圆制造半导体公司，顾名思义，没有自己的工厂，而是把生产业务外包给其它专业制造商——代工厂商。图1所示为2006-2010年IDM与无晶圆制造半导体公司的MEM

    日前，一家美国芯片制造商对韩国三星电子提出起诉，表示后者侵犯了其掌握的技术专利权。     据english.yna.co.kr报道，对于该起诉，韩国电器巨头的回应是，“纯属无稽之谈。据悉，这家名为On semiconductor的美国芯片制造商位于凤凰城，目前已经向美国德州法庭提出起诉，要求三星对侵犯的专利权提出经济赔偿。     据悉，作为世界最大的电脑内存芯片制造商，三星被指控在电脑内存和其他消费者电子产品领域，使用了该侵权技术。三星表示，

 　　据《电子工程专辑》(EE.Times)编辑部调查称，尽管2005年下半年电子行业中的半导体制造领域是乐观和复杂的，但在关键的显示器部门，整个全球的趋势是令人烦恼的。 　　由于修正了行业的预期，下半年的回弹似乎使全球的芯片市场表现了一片太平。分析师表示，就全年情况来看，前半年较高的冷漠不应该成为问题。但芯片需求的升温和IC市场的动态对显示器部门是不适宜的。 　　最近数周内，一些行业的执行经理强调，多媒体手机系统的应用可能将给行业中的储存芯片部门提供一个重大的推动，但是当增添了许多功能的下一代多媒体手机出现时，由于激烈的价格竞争和提高了成本

　　美国五角大楼的一份报告夸大了对于美国半导体制造业务流向亚洲的担忧。报告警告说，美国半导体制造业务正在以“令人担忧的”速度流向中国等国家，危及美国的国家安全和经济安全。  　　报告称，最令人担忧的是用于美国军事及情报应用的微电子供应来源萎缩。  　　“我们要求，以快于平常的速度执行我们研究报告所提出的建议，”美国国防科学委员会高性能微芯片供应小组的主席William Howard表示。  　　该小组的主要结论是，美国国防部及其供应商“面临重大的IC供应问题，威胁到机密和敏感电路设计信息的安全与完整性、电子系统的

　　索尼周二表示，将在未来两个财年投资600亿日元生产半导体，以便使自己的电子产品更加与众不同。 　　索尼去年十月计划在未来三年在半导体领域投资5000亿日元，这表明该公司要自己生产关键设备，以便提高电子部门的盈利能力。新的投资计划就是该计划的一部分。索尼发言人Yuriko Na  katani表示：“这些设备是将我们的产品和竞争对手的产品区分开来的关键。” 　　索尼将投资500亿日元在Kumamoto技术中心建立新的生产设施并购买制造设备，生产CCD和CMOS传感器，它们用于数码相机和数码摄像机。索尼是全球最大CCD制造商，它能将

      在日前召开的国际电子设备大会(IEDM)，业内一家研究机构表示，尽管在技术上相对落后，但中国将成为全球最大的半导体制造中心。 　　在当日的会议上，日本东京技术协会下属“Frontier Collaborative”研发中心教授Hiroshi Iwai表示：“随着半导体工厂数量的日益增多，中国在全球半导体制造市场的份额也将随之增加。相信，中国市场将是全球半导体制造业的未来。”  　　Iwai还补充道：“如果能够保持政治和经济上的稳定，那么长期角度讲，中国将成为全球最大的

国际半导体设备暨材料协会(SEMI)近日公布了12项适用于半导体和平面显示器制造业的新技术标准。这些新标准由来自设备供应商、元件制造商和其他参与SEMI国际标准计划的公司的技术专家共同制定。  SEMI标准每年公布三次。加上这些被纳入2004年7月公布周期的新标准，SEMI已经在过去31年内公布了超过680项标准。  此次公布的新标准包括FPD偏光膜标记规范、IC制造设备信息标签规范、退火硅晶圆说明指导，以及对SECS和XML协议关于追踪夹具和工具的规范等。 

    IBM日前发布了两项可提高半导体元件性能、降低耗电量的半导体制造技术。一项是可直接将应变硅和硅及绝缘膜结构(SOI)相结合的SSDOI技术，另一项技术是在生产互补金属氧化物半导体(CMOS)时，在同一晶圆上使用2种硅基层。　　在过去的研究中，IBM表示“通过使用应变硅，能将半导体元件性能提高20%-30%”。不过，据称由于有SiGe层，因此难以利用这种方法进行生产。而该公司首次绕过SiGe层生产出具有极薄SSDOI结构的晶体管，“在实现高电子迁移率的同时，还解决了生产时的问题”。　　另外，该公司通过在一个