美军方夸大半导体制造外流 呼吁采取措施

北极星储能网获悉，近日，特斯拉与瑞士汽车半导体公司Annex在中国济南建立一家合资公司——安纳思半导体。这是特斯拉首次在中国大陆布局芯片设计及制造环节。据悉，安纳思半导体(济南)有限公司成立于2022年10月19日，注册地址为济南市历城区华信路3号历城金融大厦1112-16，法定代表人为EnochThomas，注

新日本无线株式会社基于和UMCJ株式会社的合作协议，已经开展进行了半导体制造(前工程的晶片工艺制造)的协同生产，并完成了晶片工艺的开发、产品开发及生产体制的健全，现在样品发货已经开始，特此做以下汇报。1)开发的工艺技术协同开发的工艺技术是基于UMCJ的8inch0.35μCMOS※1工艺技术，其植入了新日本无线杰出的双极元件和BCD※2工艺技术里主要的功率元件DMOS※3元件(Nch、Pch)，开发的有50V耐压BCD工艺技术和35V耐压CMOS工艺技术，两种产品。50V耐压BCD工艺技术是使用了UMCJ平坦化技术而达到最大5层布线及上层3&mu

  据IHSiSuppli公司的研究，2010年无晶圆制造半导体公司扩大了在全球微机电系统(MEMS)市场的份额，去年占总体MEMS营业收入的近四分之一。2010年无晶圆制造半导体公司占总体MEMS营业收入的23.2%，高于四年前的21.3%。这四年的增幅虽然不大，但却表明 MEMS制造业务不再由集成器件制造商(IDM)所独占，继续流向其它厂商。IDM在自己内部设计和生产产品。相反，无晶圆制造半导体公司，顾名思义，没有自己的工厂，而是把生产业务外包给其它专业制造商——代工厂商。图1所示为2006-2010年IDM与无晶圆制造半导体公司的MEM

    日前，一家美国芯片制造商对韩国三星电子提出起诉，表示后者侵犯了其掌握的技术专利权。     据english.yna.co.kr报道，对于该起诉，韩国电器巨头的回应是，“纯属无稽之谈。据悉，这家名为On semiconductor的美国芯片制造商位于凤凰城，目前已经向美国德州法庭提出起诉，要求三星对侵犯的专利权提出经济赔偿。     据悉，作为世界最大的电脑内存芯片制造商，三星被指控在电脑内存和其他消费者电子产品领域，使用了该侵权技术。三星表示，

 　　据《电子工程专辑》(EE.Times)编辑部调查称，尽管2005年下半年电子行业中的半导体制造领域是乐观和复杂的，但在关键的显示器部门，整个全球的趋势是令人烦恼的。 　　由于修正了行业的预期，下半年的回弹似乎使全球的芯片市场表现了一片太平。分析师表示，就全年情况来看，前半年较高的冷漠不应该成为问题。但芯片需求的升温和IC市场的动态对显示器部门是不适宜的。 　　最近数周内，一些行业的执行经理强调，多媒体手机系统的应用可能将给行业中的储存芯片部门提供一个重大的推动，但是当增添了许多功能的下一代多媒体手机出现时，由于激烈的价格竞争和提高了成本

　　索尼周二表示，将在未来两个财年投资600亿日元生产半导体，以便使自己的电子产品更加与众不同。 　　索尼去年十月计划在未来三年在半导体领域投资5000亿日元，这表明该公司要自己生产关键设备，以便提高电子部门的盈利能力。新的投资计划就是该计划的一部分。索尼发言人Yuriko Na  katani表示：“这些设备是将我们的产品和竞争对手的产品区分开来的关键。” 　　索尼将投资500亿日元在Kumamoto技术中心建立新的生产设施并购买制造设备，生产CCD和CMOS传感器，它们用于数码相机和数码摄像机。索尼是全球最大CCD制造商，它能将

      在日前召开的国际电子设备大会(IEDM)，业内一家研究机构表示，尽管在技术上相对落后，但中国将成为全球最大的半导体制造中心。 　　在当日的会议上，日本东京技术协会下属“Frontier Collaborative”研发中心教授Hiroshi Iwai表示：“随着半导体工厂数量的日益增多，中国在全球半导体制造市场的份额也将随之增加。相信，中国市场将是全球半导体制造业的未来。”  　　Iwai还补充道：“如果能够保持政治和经济上的稳定，那么长期角度讲，中国将成为全球最大的

据投资银行Jefferies & Co.最近公布的一份报告指出，尽管目前景气上升，但预期半导体制造设备的订单增长速度将会放慢。  “在过去几周里，我们认为前端设备公司的订单前景有所改善。”Jefferies & Co.的分析师Cristina Osmena表示。  “来自台积电和三星电子的大型订单似乎推动许多设备厂商的6/7月订单上升。订单可见度延伸到第四季度。”Cristina Osmena表示。“但是，我们继续认为，目前来看，订单增长幅度可能在今年晚些时

国际半导体设备暨材料协会(SEMI)近日公布了12项适用于半导体和平面显示器制造业的新技术标准。这些新标准由来自设备供应商、元件制造商和其他参与SEMI国际标准计划的公司的技术专家共同制定。  SEMI标准每年公布三次。加上这些被纳入2004年7月公布周期的新标准，SEMI已经在过去31年内公布了超过680项标准。  此次公布的新标准包括FPD偏光膜标记规范、IC制造设备信息标签规范、退火硅晶圆说明指导，以及对SECS和XML协议关于追踪夹具和工具的规范等。 

    IBM日前发布了两项可提高半导体元件性能、降低耗电量的半导体制造技术。一项是可直接将应变硅和硅及绝缘膜结构(SOI)相结合的SSDOI技术，另一项技术是在生产互补金属氧化物半导体(CMOS)时，在同一晶圆上使用2种硅基层。　　在过去的研究中，IBM表示“通过使用应变硅，能将半导体元件性能提高20%-30%”。不过，据称由于有SiGe层，因此难以利用这种方法进行生产。而该公司首次绕过SiGe层生产出具有极薄SSDOI结构的晶体管，“在实现高电子迁移率的同时，还解决了生产时的问题”。　　另外，该公司通过在一个