三星将斥资3.88亿美元从事闪存芯片研发

　　以色列存储芯片开发商赛凡半导体（Saifun Semiconductors）与中国领先半导体制造厂商中芯国际周三联合宣布，双方将合作生产一种性价比更高的8Gb闪存芯片。 　　据路透财经报道，两家公司称，这款独特的新产品将于2008年推出，它将采用中芯国际先进的制造工艺和赛凡的Quad NROM技术。     　　赛凡董事长见首席执行官波阿斯·埃特恩（Boaz Eitan）说：“我们相信中芯国际的创新技术及专业特长与赛凡独特的NROM技术相结合，将推动我们两家公司均成为利润丰厚的数

  　　据厂商和供应商称，DDR、DDR2、SDRAM内存芯片和NAND闪存芯片的合同价格在7月份开始反弹。256MB DDR-400内存芯片的合同价格上涨了2.3%,目前价格为22美元。512MB DDR-400/333/266内存芯片的合同价格上涨了3.3%，目前价格为44美元。  　　据EE Times报道，几家DRAM内存厂商表示，由于季节性需求的增长，这种涨价的趋势预计将持续到9月底。DRAMeXchange预测，256MB DDR-400内存芯片的价格在今年9月和11月期间将达到顶

      AMD将在11月发表MirrorBit芯片技术，此产品的价格和性能均可与NAND型闪存竞争，可望为AMD创造另一营收来源。 　　虽然AMD尚未公布产品细节，但研究公司Semico Research分析师Jim Handy表示，AMD应会在11月12日公开说明MirrorBit技术应用在NAND市场。这个新产品对AMD非常重要，因为公司将可分食NAND每年60亿美元的市场。 　　闪存用于手机、数码相机和数码音乐播放机等装置，在关闭电源仍能储存资料。目前有两种规格NAND和N

      英飞凌和IBM二家公司于当地时间本周三本周二宣布，它们已经展示了一款16兆位MRAM（磁性内存）的原型产品，将这种节能内存技术向商业化应用又推进了一步。  　　MRAM是一种非挥发性存储技术，能够在没有电源供应的情况下保存更长时间的信息。这种技术被认为在未来将会取代闪存，甚至可能会取代目前PC中的DRAM。目前，手机、数码相机等数字产品中大量使用了闪存。  　　利用磁阻材料生产的MRAM通过产生使存储单元成为二种磁性状态之一的磁场存储数据。相比之下，包括DRAM、SRAM