Vishay将在成都西安两地举办中国西部电源研讨会

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 7 月11 日 — 日前，全球分立半导体和无源电子元件的最大制造商之一Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，收购日本的钽电容器制造商Holy Stone Polytech有限公司(“Holy Stone Polytech”)，该公司之前隶属于Holy Stone Enterprise有限公司。按照惯例的结算后调整数，收购价格大约2100万美元。Vishay的执行主席和首席业务发展官Marc Zandman说

2014 年 6 月17 日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其光电子产品部发布通过AEC-Q101认证的，工作温度可达+105℃的新款全集成距离和环境光传感器--- VCNL4020X01。该传感器在小尺寸4.8mm x 2.3mm x 0.8mm矩形无引线(LLP)封装内集成了一个红外发射器、一个探测距离的光电二极管、一个环境光探测器、一个信号处理IC和一个16位ADC。这颗三合一传感器具有中断功能，支持I2C总线通信接口，在各种汽车、消费和工业应用中能极大简化窗口和传感器的摆放位置设计。Vishay发布通过AEC-Q

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 5 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.)宣布，其QUAD HIFREQ系列高功率表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)新增一款quad 2525外形尺寸的器件。QUAD HIFREQ 2525外形的器件是针对磁共振成像(MRI)的线圈和发电机、射频仪表、电信基站、激光器和军用通信系统里的高频RF应用而设计的，具有超高Q值(在10MHz条件下大于4000，1pF)，低至0.018Ω的超低ESR，直流电压高达3600V。今天发布的V

Vishay推出新系列高功率、大电流栅极电阻2014 年 5 月15 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列高功率、大电流栅极电阻---GRE1。Vishay Milwaukee GRE1器件具有6.5kW的高功率和+400℃的工作温度，以及稳健的设计，可直接替换竞争的解决方案。Vishay推出新系列高功率、大电流栅极电阻今天发布的栅极电阻在+40℃下的功率为1kW～6.5kW，适用于机车、谐波滤波器、可再生能源以及工业系统里的电容器预充电和放电、电阻制动、负载测试、加热器和中性点接地应用

精密器件具有10MΩ的高阻值、低至±0.01%的公差和±5ppm/℃的TCR宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 5 月13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列通孔单输入线薄膜电阻---HVPS。Vishay Dale薄膜HVPS器件适合精密、高压仪表和放大器中的高精度应用，具有高达10MΩ的阻值、低至±0.01%的严格公差和1800V的高工作电压。今天发布的电阻采用高工作电

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压，非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。除了具有优异的隔离能力，使用可靠和久经考验的光电子技术，VOW3120-X017T还具有目前最好的的电性能。VOW3120能抑制

原型助手通过AEC-Q200认证，提供TNPW0402 e3和TNPW0603 e3封装的E-96系列所有第4档数值。 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出高稳定性薄膜片式电阻的实验室样品套件---TNPW0402 e3 (LTW0402 e3 96/4)和TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4)，它们可帮助工程师开发原型，加快电子系统的上市时间。今天发布的样品套件分别提供了采用TNPW0402 e3和TNPW0603 e3封装的大约100个最常用阻值，严格的电阻公差为

3mm x 3mm封装的集成式microBUCK®器件提供4.5V～15V宽输入电压和可调节输出，效率高达95%。日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款可编程开关--- Vishay Siliconix SiP12109，其频率高达1.5MHz，输入电压4.5～15V的4A器件，扩充了Vishay的microBUCK®系列集成式同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiP12109在节省空间的3mm x 3mm QFN-16封装内集成了高边和低边功率MOSF

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，将其159 PUL-SI系列卡扣式功率铝电容器在+105℃下的额定电压提升至500V。这些增强型器件是针对太阳能光伏逆变器、工业电机控制和电源而设计的，具有长使用寿命和高纹波电流，在100Hz下的纹波电流达2.80A，工作温度为+105℃，最大ESR低至150mΩ。今天推出的新款Vishay Bccomponents卡扣式电容器采用圆柱形铝外壳和压力释放阀，用蓝色套筒绝缘，有22 x 25 mm～35 x 60 mm等多种外形尺寸。在500V下，器件的最高工作温度为+1

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列高精度薄膜MELF电阻--- UMB 0207。Vishay Beyschlag UMB 0207系列器件是针对对高可靠性和稳定性有严格要求的应用而设计的，是业内首款在标准0207外形尺寸内实现±5ppm/K的TCR和±0.02%的容差的MELF电阻。UMB 0207系列产品具有高可靠性并兼具最高水平的精度和稳定性的专业品质，它通过轴向薄膜高精度电阻目前所能达到的MELF产品的最严格验证要求。这种独特的组合使这些器件极为适合测量和校准设备、工业控制

器件导通电阻低至1.5Ω，具有11pF的CS(OFF)的低寄生电容、100ns的开关时间和0.033μW的功耗。日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模拟工艺，导通电阻只有1.5Ω。与前一代产品和在相同占位内具有近似导通电阻的竞争模拟开关相比，这些器件在关闭状态下的源极寄生电容要