Vishay将在成都西安两地举办中国西部电源研讨会

MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)，金属氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effecttransistor)。MOSFET依照其通道(工作载流子)的极性不同，可分为N型与P型的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，

2014年三季度过去了，在过去的一个季度里中国变频器市场各大上市公司的盈利状况如何，我们进行了整理汇总。此前我们介绍了上半部分企业，下面来看看十大上市公司中的下半部分企业有哪些。6、华微电子 600360吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的高新技术企业。华微电子拥有3英寸、4英寸、5英寸与6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线，芯片加工能力为每年400余万片，封装资源为45亿只/年。公司在终端设计、工艺制造和产品设计方面拥有多项专利，各系列产品采用双极、MOS技术及集成电路等核心制造技术，公司

太阳能发电目前是全球最有投资前景的热点市场之一。欧盟目前是全球光伏发电量最大的地区。在2008年，这个区域占全球光伏发电量的80%。欧盟预计在2020年，太阳能光伏发电将占欧盟总发电量的12%。日本也是太阳能发电的强国，一般家庭都可以使用太阳能光伏装置发电。到2020年，日本的太阳能发电量将会达到2005年的20倍左右；到2030年，将达到40倍左右。美国奥巴马政府则出台一系列鼓励发展新能源的政策，计划到2025年要使可再生能源发电量占到电力供应总量的25%。中国也不例外，中国政府近年内也出台了一系列发展可再生能源的政策，其中以《关于实施金太阳示范工程

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 7 月11 日 — 日前，全球分立半导体和无源电子元件的最大制造商之一Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，收购日本的钽电容器制造商Holy Stone Polytech有限公司(“Holy Stone Polytech”)，该公司之前隶属于Holy Stone Enterprise有限公司。按照惯例的结算后调整数，收购价格大约2100万美元。Vishay的执行主席和首席业务发展官Marc Zandman说

2014 年 6 月17 日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其光电子产品部发布通过AEC-Q101认证的，工作温度可达+105℃的新款全集成距离和环境光传感器--- VCNL4020X01。该传感器在小尺寸4.8mm x 2.3mm x 0.8mm矩形无引线(LLP)封装内集成了一个红外发射器、一个探测距离的光电二极管、一个环境光探测器、一个信号处理IC和一个16位ADC。这颗三合一传感器具有中断功能，支持I2C总线通信接口，在各种汽车、消费和工业应用中能极大简化窗口和传感器的摆放位置设计。Vishay发布通过AEC-Q

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 5 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.)宣布，其QUAD HIFREQ系列高功率表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)新增一款quad 2525外形尺寸的器件。QUAD HIFREQ 2525外形的器件是针对磁共振成像(MRI)的线圈和发电机、射频仪表、电信基站、激光器和军用通信系统里的高频RF应用而设计的，具有超高Q值(在10MHz条件下大于4000，1pF)，低至0.018Ω的超低ESR，直流电压高达3600V。今天发布的V

Vishay推出新系列高功率、大电流栅极电阻2014 年 5 月15 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列高功率、大电流栅极电阻---GRE1。Vishay Milwaukee GRE1器件具有6.5kW的高功率和+400℃的工作温度，以及稳健的设计，可直接替换竞争的解决方案。Vishay推出新系列高功率、大电流栅极电阻今天发布的栅极电阻在+40℃下的功率为1kW～6.5kW，适用于机车、谐波滤波器、可再生能源以及工业系统里的电容器预充电和放电、电阻制动、负载测试、加热器和中性点接地应用

精密器件具有10MΩ的高阻值、低至±0.01%的公差和±5ppm/℃的TCR宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 5 月13 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新系列通孔单输入线薄膜电阻---HVPS。Vishay Dale薄膜HVPS器件适合精密、高压仪表和放大器中的高精度应用，具有高达10MΩ的阻值、低至±0.01%的严格公差和1800V的高工作电压。今天发布的电阻采用高工作电

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。VOW3120-X017T的最短电气间隙和外爬电距离为10mm。该器件不仅具有长隔离距离，还具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔离电压，非常适合在高工作电压下运转的应用及污染程度较重的环境。除了具有优异的隔离能力，使用可靠和久经考验的光电子技术，VOW3120-X017T还具有目前最好的的电性能。VOW3120能抑制

原型助手通过AEC-Q200认证，提供TNPW0402 e3和TNPW0603 e3封装的E-96系列所有第4档数值。 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出高稳定性薄膜片式电阻的实验室样品套件---TNPW0402 e3 (LTW0402 e3 96/4)和TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4)，它们可帮助工程师开发原型，加快电子系统的上市时间。今天发布的样品套件分别提供了采用TNPW0402 e3和TNPW0603 e3封装的大约100个最常用阻值，严格的电阻公差为

3mm x 3mm封装的集成式microBUCK®器件提供4.5V～15V宽输入电压和可调节输出，效率高达95%。日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款可编程开关--- Vishay Siliconix SiP12109，其频率高达1.5MHz，输入电压4.5～15V的4A器件，扩充了Vishay的microBUCK®系列集成式同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiP12109在节省空间的3mm x 3mm QFN-16封装内集成了高边和低边功率MOSF