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2、壮大芯片制造业规模,增强先进和特色工艺能力
持续支持12英寸先进工艺制造线和8英寸/6英寸特色工艺制造线的技术升级和产能扩充。加快45纳米及以下制造工艺技术的研发与应用,加强标准工艺、特色工艺模块开发和IP核的开发。多渠道吸引投资进入集成电路领域,引导产业资源向有基础、有条件的企业和地区集聚,形成规模效应,推进集成电路芯片制造线建设的科学发展。
专栏2:先进工艺/特色工艺生产线建设和能力提升工程
(1)先进工艺开发及生产线建设。加快12英寸先进工艺生产线的规模化、集约化建设。坚持国际化原则,采取开放合作的方式,推动45纳米/32纳米/28纳米先进工艺的研发及产业化,为22纳米研发和量产奠定基础,从而大大缩短与国际技术的差距,形成具有国际竞争力和持续发展力的专业代工业。
(2)特色工艺开发及生产线建设。支持模拟工艺、数模混合工艺、微电子机械系统(MEMS)工艺、射频工艺、功率器件工艺等特色技术开发,推动特色的工艺生产线建设。加快以应变硅、绝缘衬底上的硅(SOI)、化合物半导体材料为基础的制造工艺开发和产业化。
3、提升封测业层次和能力,发展先进封测技术和产品
顺应集成电路产品向功能多样化的重要发展方向,大力发展先进封装和测试技术,推进高密度堆叠型三维封装产品的进程,支持封装工艺技术升级和产能扩充。提高测试技术水平和产业规模。
4、完善产业链,突破关键专用设备、仪器和材料
推进8英寸集成电路设备的产业化进程,支持12英寸集成电路生产设备的研发,加强新设备、新仪器、新材料的开发,形成成套工艺,推动国产装备在生产线上规模应用,培育一批具有较强自主创新能力的骨干企业,推进集成电路产业链各环节(设计、制造、封测、设备仪器、材料等)的紧密协作,建立试验平台,加快产业化。
专栏3:集成电路产业链延伸工程
(1)先进封装测试。支持BGA、CSP、多芯片组件封装(MCM)、WLP、3D、硅通孔(TSV)等先进封装和测试技术,推进MCP、SiP、封装内封装(PiP)、封装上封装(PoP)等集成电路产品特别是高密度堆叠型三维封装产品的进程。
(2)专用设备、仪器、材料。支持刻蚀机、离子注入机、外延炉设备、平坦化设备、自动封装系统等设备的开发与应用,形成成套工艺,加强12英寸硅片、SOI、引线框架、光刻胶等关键材料的研发与产业化,支持国产集成电路关键设备和仪器、原材料在生产线上规模应用。
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