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日本风险企业Sicoxs开发出了低成本生产制作SiC功率元件使用的SiC单晶基片的新方法,主要是通过减小SiC单晶体的厚度来削减成本。据介绍,采用新方法后,可将制造成本降至原来的1/2以下。
制造方法如下。首先,将单晶SiC基片贴合在多晶SiC基片上。然后,一边加热一边将单晶基片从多晶基片上剥离,剥离时使单晶基片的一部分留在多晶基片上。对单晶基片还粘在多晶基片上的部位实施研磨等处理,然后作为制造功率元件使用的基片出货,制造功率元件时,将元器件结构设置在单晶SiC上。
将剥离下来的单晶基片再次贴到多晶基片上,然后进行上述操作。反复进行这一系列操作后,就能由一块单晶基片制作出多块超薄基片,从而降低了每块基片的成本。
Sicoxs还利用通过这种制造方法制作的薄型SiC基片试制出了二极管。据介绍,京都大学大学院工学研究科电子工学专业副教授须田淳的研究团队对该试制品进行了评估,完全可以正常工作。
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日前,光伏发电及产业化标准推进组系统与部件工作组在无锡组织专家对国家太阳能光伏产品质量监督检验中心主持编写的国家标准《光伏组件接线盒用二极管技术要求》送审稿进行了审定,来自中国标准化研究院、中国电子技术标准化研究院、江苏省标准化研究院、江苏省光伏产业协会、无锡尚德、常州天合等企事
太阳能电池板在制造、运输、设置时以及因老化,会发生各种各样的故障。笔者将就检测这些故障的方法,介绍Chemitox(东京都大田区)在评测服务中的事例和积累的知识。本文介绍旁路二极管故障。结晶硅类电池板,是将所有的电池单元(发电元件)串联连接的。因此,只要有一枚电池单元因故障不发电,就会影
三菱电机将于2014年11月28日开始销售用于太阳能发电系统逆变器的智能功率半导体模块“PV用大型混合SiCDIPIPM(双列直插型智能功率模块)”。该模块采用碳化硅(SiC)二极管,型号为“PSH50YA2A6”。该产品采用混合构造,即二极管部分配备SiC制肖特基势垒二极管(SBD)、晶体管部分配备采用三菱电机自主开发的CSTBT(利用载流子积聚效应的IGBT)构造的第七代IGBT。据介绍,新产品的功耗与三菱电机的原产品“PS61A99”相比降低了约25%,这样便可实现逆变器系统
北京时间10月7日,据诺贝尔奖官方网站消息,2014年度诺贝尔物理学奖授予来自三名来自美国和日本的科学家中村修二、赤崎勇及天野浩,以表彰他们发明 “高亮度蓝色发光二极管”。消息一出,整个LED行业内企业或是专家学者都为此感到无比光荣。世界的发明如此之多,蓝光LED凭借怎样的魅力获得诺贝尔物理学奖?就连奖项的获得者中村修二被告知获奖的消息时,也对记者表示:“这简直难以置信。”诺奖本质:给人类生活带来巨大改变2014年9月,赤崎先生在接受《产经新闻》采访时雄心勃勃地曾说:“LED的普及将改变世界。
“随着光伏发电需求的增加,光伏逆变器的销量越来越大。量产效果应该有助于降低功率半导体的成本”,日本田渊电机公司常务执行董事、统管功率电子业务的坂本幸隆这样说道。光伏逆变器是将太阳能电池板生产的电力从直流电转换成交流电(DC/AC转换)的装置。在日本,随着光伏发电固定价格收购制度的实施,以百万瓦(MW)级光伏电站为中心,光伏发电装机容量呈现“泡沫增长”景象。所需的光伏逆变器数量也随之增加,光伏发电领域形成了性能提高、同时成本降低的环境。田渊电机是日本首家在光伏逆变器中采用SiC二极管的企业。在7月3日举办的
日本京都大学工学研究科教授木本恒畅在2014年7月4日召开的“新一代功率半导体的冲击:SiC从下一代走向现代”尖端技术论坛(主办:《日经电子》)上,以“超高电压应用SiC功率器件的发展”为题发表了演讲,绍了日本学术振兴会的最尖端研究开发项目的成果。登台演讲的京都大学教授木本恒畅SiC作为取代Si的功率器件备受期待,在高耐压领域尤其被看好。在600V~6000V耐压领域,瞄准混合动力车及铁道车辆用途的开发日益活跃,这一耐压下的应用需求,目前可通过肖特基势垒二极管(SBD)及MOSFET等SiC单极性器件满足
2014年6月16日——英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性,该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、三相SMPS(开关电源)和电机驱动等应用中大大提高效率,并且可靠运行。“第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计,将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。这种设计降低了芯片区的微分电阻。
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出其瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)的最新成员:SD和SD-C系列450W分散式单向和双向瞬态抑制二极管。 此类快熔型瞬态抑制二极管设计用于保护破坏性静电放电(ESD)和雷击引致的浪涌电流,是替代低速和直流应用中多层压敏电阻(MLV)的理想选择,因为其可在±30kV的条件下安全吸收反复性ESD震击而不会对性能造成不利影响,并可安全地耗散高达30A的浪涌电流。 其低动态电阻提供比其它竞争技术低50%的箝位电压,因此非常适用于保护按钮、开关、电源端口,以及汽车电子、测试设备、销
中国,北京,2014年6月10日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出其瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)的最新成员:SD和SD-C系列450W分散式单向和双向瞬态抑制二极管。 此类快熔型瞬态抑制二极管设计用于保护破坏性静电放电(ESD)和雷击引致的浪涌电流,是替代低速和直流应用中多层压敏电阻(MLV)的理想选择,因为其可在±30kV的条件下安全吸收反复性ESD震击而不会对性能造成不利影响,并可安全地耗散高达30A的浪涌电流。 其低动态电阻提供比其它竞争技术低50%的箝位电压,因此非常适
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出了新款双通道、通用型瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)系列,该系列针对保护敏感设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损坏进行了优化设计。SM系列瞬态抑制二极管阵列提供五种电压选项:5V、12V、15V、24V、36V。 所有电压选项都具有极低的动态电阻,因而能够提供优于同类元件的箝位性能。 这确保了最佳的性能,从而为现代敏感电子设备提供保护。 SM系列瞬态抑制二极管阵列可以吸收超过国际标准中最高等级的重复ESD震击而不会影响性能,并可安全耗散高达
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