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日本风险企业Sicoxs开发出了低成本生产制作SiC功率元件使用的SiC单晶基片的新方法,主要是通过减小SiC单晶体的厚度来削减成本。据介绍,采用新方法后,可将制造成本降至原来的1/2以下。
制造方法如下。首先,将单晶SiC基片贴合在多晶SiC基片上。然后,一边加热一边将单晶基片从多晶基片上剥离,剥离时使单晶基片的一部分留在多晶基片上。对单晶基片还粘在多晶基片上的部位实施研磨等处理,然后作为制造功率元件使用的基片出货,制造功率元件时,将元器件结构设置在单晶SiC上。
将剥离下来的单晶基片再次贴到多晶基片上,然后进行上述操作。反复进行这一系列操作后,就能由一块单晶基片制作出多块超薄基片,从而降低了每块基片的成本。
Sicoxs还利用通过这种制造方法制作的薄型SiC基片试制出了二极管。据介绍,京都大学大学院工学研究科电子工学专业副教授须田淳的研究团队对该试制品进行了评估,完全可以正常工作。
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2025年4月,德国慕尼黑和中国上海讯——英飞凌宣布与深圳科士达科技股份有限公司深化合作,通过提供英飞凌1200VCoolSiC™MOSFET和CoolSiC™二极管、650VCoolSiC™MOSFET器件以及EiceDRIVER™系列单通道磁隔离驱动器等全套功率半导体解决方案,助力科士达大功率高频UPS系统实现技术突破。英飞凌与科士达
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3月5日,第二十届中国(济南)国际太阳能利用大会暨第四届中国(山东)新能源与储能应用博览会上,隆基绿能全新发布Hi-MOX10防积灰组件。该组件最高功率达670W、转化效率高达24.8%,不仅集成了HPBC2.0的技术优势,更以“防起火、防遮挡、防积灰”的“三防”功能,重新定义了分布式光伏的价值与安全标准。
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2月25日,隆基在嘉兴基地举办了“HPBC2.0媒体‘灯塔工厂’行”活动,这也是“灯塔工厂”自2024年5月首次对外开放之后,HPBC2.0产线的首次对外开放。本次活动邀请到近20家媒体进入HPBC2.0组件产线“沉浸式”参观,零距离见证Hi-MOX10组件的制造全过程。BC二代产线升级正酣HPBC2.0产品于2024年5月面世,
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