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在2013年10月举办的‘CEATEC JAPAN 2013’上,电装展示了SiC的相关技术(图1)。其中包括了两大‘惊喜’。一是电装宣布SiC功率元件将在2015年实用化。在此之前,SiC功率元件的成果虽然频繁出现在学会和展会等场合,但大家对於实用化的时间表都讳莫如深。
二是名为‘沟道型’的新一代SiC MOSFET的实用化。作为功率半导体材料,SiC与一般的Si相比,能够制造出损耗更低的功率元件。相关研发十分活跃,市面上已经出现了SiC材料的二极体和电晶体等产品。
但过去投产的SiC MOSFET,是在元件表面设置栅极的‘平面型’,在栅极部分挖沟的沟道型尚未投产。沟道型的导通电阻能够缩小到平面型的几分之一。因此能够进一步降低损耗。
降低导通电阻还有助於压缩SiC MOSFET的成本。因为达到相同的载流量,沟道型的晶片面积要小於平面型。也就是说,1枚SiC基板可以制造出更多的晶片,从而压缩成本。
图1:电装即将把沟道型SiC MOSFET投入实用
电装在‘CEATEC JAPAN 2013’上展出了该公司开发的沟道型SiC MOSFET。预定於2015年左右投入实用。除此之外,还展示了150mm(6寸)口径的SiC基板。
因为具备这些特点,沟道型如今成为了‘发挥SiC优势的电晶体最佳选择’(多位SiC功率元件技术人员)。
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