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SiC半导体元件沟道MOSFET即将实用化

2013-11-12 16:34来源:OFweek半导体照明网关键词:SICSiC基板半导体元件收藏点赞

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沟道型的研发速度加快

致力於研发沟道型SiC MOSFET的不只是电装,许多半导体企业都已经开始在大力研发。这一点在2013年9月29日~10月4日举办的SiC相关国际学会‘ICSCRM2013’上可见一斑。在该学会上,有关沟道型SiC MOSFET最新成果的发表接连不断(图2)。其中,罗姆明确提到了投产时间。该公司表示将在2014年上半年,投产在栅极、源极上都设置沟槽的‘双沟道型’SiC MOSFET。

图2:各公司全力开发沟道型SiC MOSFET

在SiC相关国际学会‘ICSCRM 2013’上,沟道型SiC MOSFET研发成果的发表络绎不绝。降低电容、提高生产效率都得到了实现。

会上还发表了提高沟道型SiC MOSFET性能,以及提高生产效率压缩成本的研究成果。比方说,三菱电机成功降低了沟道型MOSFET的栅极-漏极之间的电容。电容越小,开关损失越低。MOSFET晶片一般会设置多个叫做‘单元’的微小MOSFET构造,该公司通过使其中的部分单元接地,降低了导致电容增加的偏压。

住友电气工业把目标对准了提高沟道型MOSFET的生产效率。沟道型MOSFET在制造上面临的课题是无法按照设想制造沟槽。为此,该公司准备把沟槽的形状改换为一般的沟道型,借此提高生产效率。

从元件的截面来看,一般沟道型的沟槽呈‘凹字’形,但这一次,该公司将其改为了V字形。这种V字沟槽‘容易通过热化学蚀刻成型,与一般的沟道型相比,更容易提高成品率’(该公司研究人员)。

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