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实例解析IGBT对EMC影响的两大技术问题

2014-02-12 14:02来源:电子元件技术网论坛关键词:IGBT电容整流器收藏点赞

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关于IGBT对EMC影响的两个问题,如图所示IGBT在关断的瞬间,Vce电压上升所形成的du/dt对IGBT与散热器之间的寄生电容充放电,根据公式I=C*du/dt所形成的共模噪声电流从散热器导入地然后回流至电源端LISN上的50Ω电阻,接收机取50欧姆两端压降测试传导骚扰电压,然后回流至电源线经整流器,然后过母线回流至干扰源IGBT。

问题一:根据上述变频器共模噪声电流回流路径,如果IGBT在导通瞬间,Vce电压为下降沿为-du/dt,那么此时的共模噪声电流环路方向是否和上述相反,那么在此瞬间接收机测得的传导骚扰电压与正向环流有何不同。

问题二:在IGBT导通瞬间,集电极电流Ic为上升沿,那么di/dt,如何形成接收机测得的传导骚扰电压呢?还想了解一下是不是di/dt直接转化为以其上升时间决定频带宽度的骚扰电流,还有就是这个骚扰电流的幅值大小由什么决定?

投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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