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2014-06-12 09:05来源:中国电力电子产业网关键词:LittelfuseSD和SD-C系列二极管系列收藏点赞
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Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出其瞬态抑制二极管阵列(SPA二极管)的最新成员:SD和SD-C系列450W分散式单向和双向瞬态抑制二极管。 此类快熔型瞬态抑制二极管设计用于保护破坏性静电放电(ESD)和雷击引致的浪涌电流,是替代低速和直流应用中多层压敏电阻(MLV)的理想选择,因为其可在±30kV的条件下安全吸收反复性ESD震击而不会对性能造成不利影响,并可安全地耗散高达30A的浪涌电流。 其低动态电阻提供比其它竞争技术低50%的箝位电压,因此非常适用于保护按钮、开关、电源端口,以及汽车电子、测试设备、销售点终端设备、超级本、服务器和医疗设备中的其它各种低速I/O。
Littelfuse SD和SD-C系列
Littelfuse瞬态抑制二极管系列产品总监Chad Marak表示:“SD和SD-C系列对于那些需要在印刷电路板上不能使用阵列的地方设置ESD和浪涌保护器件的设计人员而言是理想的解决方案。SOD-323封装给了电路设计人员和制造商更大的灵活性,使他们能够替代现有的0805保护组件,而不需要改变电路板或焊盘。”
SD和SD-C系列瞬态抑制二极管阵列具有下列突出优势:
●可靠的浪涌和增强的ESD保护,即使在世界上最具挑战性的环境中也能安全运行。
●其低动态电阻确保为现代电子设备带来快速反应和低箝位保护,可提供较竞争技术低50%的箝位电压。
●坚固的单片式结构意味着它们不存在内在损耗因素,因此使用寿命比受保护的设备更长。
●其设计可以应对多种ESD或浪涌瞬变而不降低性能。
●工业标准SOD-323封装规格适配现有的0805电路板尺寸。
●符合AEC-Q101标准,适用于汽车电子设备,具有最高的可靠性。
供货情况
SD和SD-C系列瞬态抑制二极管阵列可提供3000只的卷带包装。 样品可向世界各地的授权Littelfuse经销商索取。
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中国,北京,2014年6月10日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出其瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)的最新成员:SD和SD-C系列450W分散式单向和双向瞬态抑制二极管。 此类快熔型瞬态抑制二极管设计用于保护破坏性静电放电(ESD)和雷击引致的浪涌电流,是替代低速和直流应用中多层压敏电阻(MLV)的理想选择,因为其可在±30kV的条件下安全吸收反复性ESD震击而不会对性能造成不利影响,并可安全地耗散高达30A的浪涌电流。 其低动态电阻提供比其它竞争技术低50%的箝位电压,因此非常适
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出了新款双通道、通用型瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)系列,该系列针对保护敏感设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损坏进行了优化设计。SM系列瞬态抑制二极管阵列提供五种电压选项:5V、12V、15V、24V、36V。 所有电压选项都具有极低的动态电阻,因而能够提供优于同类元件的箝位性能。 这确保了最佳的性能,从而为现代敏感电子设备提供保护。 SM系列瞬态抑制二极管阵列可以吸收超过国际标准中最高等级的重复ESD震击而不会影响性能,并可安全耗散高达
中国,北京,2014年6月10日讯 - Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出其瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)的最新成员:SD和SD-C系列450W分散式单向和双向瞬态抑制二极管。 此类快熔型瞬态抑制二极管设计用于保护破坏性静电放电(ESD)和雷击引致的浪涌电流,是替代低速和直流应用中多层压敏电阻(MLV)的理想选择,因为其可在±30kV的条件下安全吸收反复性ESD震击而不会对性能造成不利影响,并可安全地耗散高达30A的浪涌电流。 其低动态电阻提供比其它竞争技术低50%的箝位电压,因此非常适
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布推出了新款双通道、通用型瞬态抑制二极管阵列(SPA®二极管)系列,该系列针对保护敏感设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击感应浪涌造成的损坏进行了优化设计。SM系列瞬态抑制二极管阵列提供五种电压选项:5V、12V、15V、24V、36V。 所有电压选项都具有极低的动态电阻,因而能够提供优于同类元件的箝位性能。 这确保了最佳的性能,从而为现代敏感电子设备提供保护。 SM系列瞬态抑制二极管阵列可以吸收超过国际标准中最高等级的重复ESD震击而不会影响性能,并可安全耗散高达
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