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导读: 中国首条8英寸IGBT专业芯片线在中国南车株洲电力机车研究所有限公司建成,中国首片8英寸IGBT芯片同时下线。
6月20日,中国首条8英寸IGBT专业芯片线在中国南车株洲电力机车研究所有限公司建成,中国首片8英寸IGBT芯片同时下线。此举打破了国外在高端IGBT芯片技术上的垄断,对保障国民经济安全和推动两型建设具有重大战略意义。
IGBT即“绝缘栅双极型晶体管”,主要应用于船舶、高压电网、轨道交通等大功率电力驱动设备中。与微电子技术中芯片技术(通常所说的CPU)一样,IGBT芯片技术是电力电子行业中的“心脏”和“大脑”,控制并提供大功率的电力设备电能变换,可有效提升设备的能源利用效率、自动化和智能化水平。
IGBT芯片技术含量极高,制造难度非常大,被业内誉为“皇冠上的明珠”,其研发、制造、应用是衡量一个国家科技创新和高端制造业水平的重要标志。过去,全球IGBT技术主要掌握在欧洲和日本等少数几个国家手中。中国的IGBT芯片及其相关产品99%以上依赖进口,国内在芯片、封装、装置、系统应用上还没有形成独立、完整的技术体系和产业体系。
为了实现“IGBT”国产化之梦,中国南车累计投入超过30亿元,上百位专家攻克了30多项重大难题,终于掌握了该器件的成套技术,建立了完整的IGBT规模化、专业化生产工业体系,成功研制出从650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模块,形成了IGBT的完整产业链。2011年5月,南车株洲所在田心高科园开工建设IGBT产业化基地,建设世界第二条8英寸IGBT专业芯片线。这条投资近15亿元的生产线,首期将实现年产12万片8英寸IGBT芯片,配套生产100万只IGBT模块,真正实现IGBT的国产化。
中国工程院院士、南车株洲所总经理丁荣军说,据初步估算,如果将IGBT等电力电子技术应用到全国20%的电机中,每年可节约用电2000亿千瓦时,相当于2个三峡电站的年发电量。同时,高功率等级IGBT的自主研制成功,对于国家经济安全、国防安全具有至关重要的意义。
当天生产的首片8英寸IGBT芯片,移交中国科学技术馆收藏。
市领导贺安杰、毛腾飞、何剑波,中国南车集团总裁刘化龙,以及工信部等国家相关部委、省直部门负责人到场祝贺。市委书记贺安杰希望南车株洲所以此为契机,再接再厉,为株洲乃至世界轨道交通发展,为推进株洲新型工业化进程作出更大贡献。
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