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SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源

2015-06-16 11:44来源:广州金升阳科技有限公司关键词:金升阳SiC Mosfet管驱动电源模块收藏点赞

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三、驱动电路要求

Sic Mosfet具有与Si Mosfet管非常类似的开关特性,通过对Si Mosfet的特性研究,其驱动电路具有相同的特性:

1. 对于驱动电路来讲,最重要的参数是门极电荷,Mosfet管的栅极输入端相当于是一个容性网络,因此器件在稳定导通时间或者关断的截止时间并不需要驱动电流,但是在器件开关过程中,栅极的输入电容需要充电和放电,此时栅极驱动电路必须提供足够大的充放电脉冲电流。如果器件工作频率越快,栅极电容的充放电时间要求越短,则要求输入的栅极电容越小,驱动的脉冲电流越大才能满足驱动要求;

2.栅极驱动电路必须合理选择一定的驱动电压,栅极的驱动电压越高,则Mosfet的感应导电沟道越大,则导通电阻越小;但是栅极驱动电压太大的话,很容易将栅极和漏极之间绝缘层击穿,造成Mosfet管的永久失效;

3.为了增加开关管的速度,减少开关管的关断时间是有必要的;且为了提高Mosfet管在关断状态下的工作可靠性,将驱动电路设计成在关断状态的时候,在栅极加上反向偏置电压,以快速释放栅极输入电容的电荷,减少了关断时间,使得驱动电路更可靠地关断Mosfet;但是反向的驱动电压会增加电路损耗,反向偏置电压最好不要超过-6V;

4.当驱动对象是全桥或者半桥电路的功率Mosfet,或者是为了提高控制电路的抗干扰能力,此时将驱动电路设计成隔离驱动电路;实现电隔离的方式可以通过磁耦合变压器和光耦合器件;但是不管采用磁耦合变压器还是光耦合器件,都要保证耦合器件的延迟时间与耦合分布电容;采用的隔离电源也必须具有高隔离、快速响应时间与低耦合电容的特性。

四、隔离电源特性需求

从驱动电路的特性来看,要求驱动电源具有以下特性:

1.为了适应高频率的使用要求,要求驱动电源具有瞬时的驱动大功率特性,即要求具有大的容性负载能力;

2.为了适应高电压应用使用要求,要求驱动电源具有高耐压能力并且具有超低的隔离电容,来减少高压总线部分对低压控制侧的干扰;

3.隔离驱动电源必须具有合适的驱动电压,即要求电源具有正负输出电压,并且正负输出电压不是对称输出特性;

金升阳针对SiC隔离驱动电路的特点,推出了SiC Mosfet驱动专用电源QA01C。该电源电气性能参数全部达到SiC Mosfet驱动电路的要求,如:

● 不对称驱动电压,输出电压 +20/-4VDC 输出电流+100/-100mA

● 大容性负载能力,容性负载为220uF

● 高隔离电压,达到3500VAC

● 极低的隔离电容,低至3.5pF

投稿与新闻线索:陈女士 微信/手机:13693626116 邮箱:chenchen#bjxmail.com(请将#改成@)

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