SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源-第2页-北极星输配电网

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三、驱动电路要求

Sic Mosfet具有与Si Mosfet管非常类似的开关特性，通过对Si Mosfet的特性研究，其驱动电路具有相同的特性：

1. 对于驱动电路来讲，最重要的参数是门极电荷，Mosfet管的栅极输入端相当于是一个容性网络，因此器件在稳定导通时间或者关断的截止时间并不需要驱动电流，但是在器件开关过程中，栅极的输入电容需要充电和放电，此时栅极驱动电路必须提供足够大的充放电脉冲电流。如果器件工作频率越快，栅极电容的充放电时间要求越短，则要求输入的栅极电容越小，驱动的脉冲电流越大才能满足驱动要求;

2.栅极驱动电路必须合理选择一定的驱动电压，栅极的驱动电压越高，则Mosfet的感应导电沟道越大，则导通电阻越小;但是栅极驱动电压太大的话，很容易将栅极和漏极之间绝缘层击穿，造成Mosfet管的永久失效;

3.为了增加开关管的速度，减少开关管的关断时间是有必要的;且为了提高Mosfet管在关断状态下的工作可靠性，将驱动电路设计成在关断状态的时候，在栅极加上反向偏置电压，以快速释放栅极输入电容的电荷，减少了关断时间，使得驱动电路更可靠地关断Mosfet;但是反向的驱动电压会增加电路损耗，反向偏置电压最好不要超过-6V;

4.当驱动对象是全桥或者半桥电路的功率Mosfet，或者是为了提高控制电路的抗干扰能力，此时将驱动电路设计成隔离驱动电路;实现电隔离的方式可以通过磁耦合变压器和光耦合器件;但是不管采用磁耦合变压器还是光耦合器件，都要保证耦合器件的延迟时间与耦合分布电容;采用的隔离电源也必须具有高隔离、快速响应时间与低耦合电容的特性。

四、隔离电源特性需求

从驱动电路的特性来看，要求驱动电源具有以下特性：

1.为了适应高频率的使用要求，要求驱动电源具有瞬时的驱动大功率特性，即要求具有大的容性负载能力;

2.为了适应高电压应用使用要求，要求驱动电源具有高耐压能力并且具有超低的隔离电容，来减少高压总线部分对低压控制侧的干扰;

3.隔离驱动电源必须具有合适的驱动电压，即要求电源具有正负输出电压，并且正负输出电压不是对称输出特性;

金升阳针对SiC隔离驱动电路的特点，推出了SiC Mosfet驱动专用电源QA01C。该电源电气性能参数全部达到SiC Mosfet驱动电路的要求，如：

● 不对称驱动电压，输出电压 +20/-4VDC 输出电流+100/-100mA

● 大容性负载能力，容性负载为220uF

● 高隔离电压，达到3500VAC

● 极低的隔离电容，低至3.5pF

投稿与新闻线索：陈女士微信/手机：13693626116 邮箱：chenchen#bjxmail.com（请将#改成@）

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