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2015-06-16 11:44来源:广州金升阳科技有限公司关键词:金升阳SiC Mosfet管驱动电源模块收藏点赞
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此驱动电源还满足了其他性能参数特点,具体功能如下:
● 效率高达83%
● 工作温度范围: -40℃ ~ +105℃
● 可持续短路保护
QA01C具有完整的驱动电路推荐,通过SiC驱动专用电源得到不对称的正向驱动电压20V,负向偏置关断电压-4V;为了防止驱动电压对栅极造成损坏,增加D2和D3来吸收尖峰电压是很有必要的。SiC驱动器采用一般驱动芯片即可;为了实现控制信号与主功率回路的隔离,需要采取隔离措施,推荐采用常见的光耦隔离方案。采用的光耦必须具有高共模抑制比(30KV/us)和比隔离电源大的隔离耐压并且具有极小的延迟时间来适应SiC Mosfet管的高频率工作特性。
五、总结
通过对SiC Mosfet管与Si IGBT管相关电气参数进行比较,我们发现SiC Mosfet将成为高压高频场合下的应用趋势。根据对SiC Mosfet管的开关特性的研究,金升阳推荐了能简化其隔离设计的专用电源QA01C,同时也推荐了基于SiC Mosfet的驱动电路。
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