来源：电子工程世界2012-01-29

2.3新器件、新材料的支撑绝缘栅双极型晶体管（igbt）、功率场效应晶体管（mosfet）、智能igbt功率模块（ipm）、mos栅控晶闸管（mct）、静电感应晶体管（sit）、超快恢复二极管、无感电容器

来源：新电子2011-09-26

由igbt的构造图可看出，igbt是由n-ch型的mosfe与pnp型双极面结型晶体管(bipolarjunctiontransistor,bjt)组合而成。

来源：飞象网2011-09-20

iddq测试）的回读供电或供电/dmm组合其它应用包括：-有源/无源器件测试，电压/电流/电阻测量-便携电子器件的电池工作验证-分析可植入式医疗器件（如起搏器等）-分析低漏电电子器件/电路特性（正向/反向、晶体管增益

来源：电子工程世界2011-09-08

(4)可优化低压侧igbt的反并联二极管，以尽量减低续流和反向恢复导致的损耗。igbt技术igbt基本上是具备金属门氧化物门结构的双极型晶体管(bjt)。

来源：EDN电子设计技术2011-06-01

作为全球领先的功率半导体供应商，英飞凌通过提供igbt(绝缘栅双极型晶体管)、coolmos、optimos和碳化硅等产品，为降低全球能耗作出了巨大贡献。...英飞凌展出了全新650v coolmos cfd2，它是世界上第一款漏源击穿电压为650v并且集成了快速体二极管的高压晶体管。

来源：电子工程世界2011-03-23

)、mgt(mos控制晶体管)、mct(mos控制晶闸管)、igbt(绝缘栅双极型晶体管)、hvigbt(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)的发展过程，器件的更新促进了电力电子变换技术的不断发展。

来源：索比太阳能网2010-11-29

世纪80年代，功率场效应管、绝缘栅型晶体管、mos控制晶闸管等功率器件的诞生为逆变器向大容量方向发展奠定了基础。...第一阶段：20世纪50-60年代，晶闸管scr的诞生为正弦波逆变器的发展创造了条件；第二阶段：20世纪70年代，可关断晶闸管gto及双极型晶体管bjt的问世，使得逆变技术得到发展和应用； 第三阶段：20

来源：索比太阳能网2010-11-26

世纪80年代，功率场效应管、绝缘栅型晶体管、mos控制晶闸管等功率器件的诞生为逆变器向大容量方向发展奠定了基础。...第一阶段：20世纪50-60年代，晶闸管scr的诞生为正弦波逆变器的发展创造了条件；第二阶段：20世纪70年代，可关断晶闸管gto及双极型晶体管bjt的问世，使得逆变技术得到发展和应用； 第三阶段：20

2010-05-27

５．按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管（ｉｇｂｔ）逆变器等。又可将其归纳为“半控型”逆变器和“全控制”逆变器两大类。

2010-04-22

国家政策支持重点明确 　　随着我国特高压直流输电、高压变频、交流传动机车/动车组、城市轨道交通等技术发展和市场需求的增加，对5英寸及6英寸晶闸管、igct（集成门极换流晶闸管）、igbt（绝缘栅双极晶体管

来源：互联网2010-04-19

35亿元，以生产锂离子电池及正极材料、电动汽车及配套为主的锦州天路工业园项目；大连佐源集团投资8亿元的食品综合加工基地项目；深圳中洋田电子技术有限公司投资12亿元的聚焦砷化镓太阳能电池及igbt(绝缘栅双极型晶体管

2006-08-21

低压小容量变频器普遍采用的功率开关器件是：功率m osfet、ig－bt（绝缘栅双极度晶体管）和ipm（智能功率模块）。...中压大容量变频器采用有：gto（门极可关断晶闸管）、igct（集成门极换流晶闸管）、sgct（对称门极换流晶闸管）、iegt（注入增强栅晶体管）和高压igbt。

2003-05-06

另外一个新发明就是ibm在2001年所研制的新型晶体管。传统的硅晶体管只能单独处理电子束或正极空位，二者不可兼得。但ibm的新型硅晶体管就能做到同时处理两种电子束。这就是所谓的双极晶体管技术。

2003-03-31

imec和美国国家半导体自从2002年1月以来一直在合作开发0.18微米硅锗异质结双极型晶体管(hbt)模块，目标是集成到后者现有的高速bicmos工艺家族之中。

2007-01-23

因此mosfet半导体场效应晶体管和双极型功率晶体管都不能满足小型、高频和高效率的要求，只有绝缘栅双极型功率晶体管igbt集mosfet场效应晶体管的高速性能和双极型功率晶体管的低电阻性能于一体，具有电压型控制