2003-04-04

美国商业部称，韩国政府对其国内dram芯片(该芯片用于计算机中)的补贴率由对三星(samsung electronics)公司的0.16%到对hynix公司的57.37%不等。...位于爱达荷州boise的micro technology公司以前曾经抱怨韩国政府对其存储芯片产业进行不公正补贴，这之后，美国国际贸易委员会12月份就对美国国内的那些有可能因此遭受伤害的dram制造商进行了裁决

2003-04-03

据悉，在接获亿恒、elpida的dram代工订单后，中芯国际和宏力半导体2003年将积极购入193纳米微影设备及光学校正仪，供应商以荷兰asml及日本nikon为主。

2003-04-25

包括hynix及三星电子等内存芯片公司都增加对闪存的投资比重，而减少在波动性较大的动态随机存取内存(dram)芯片的投资。 分析师预估，手机及数码化设备的强劲需求将可带动闪存市场的复苏。

2006-12-28

dram技术更新快，茂德、力晶现在过来生产0.25微米产品，没任何竞争力。”一家半导体设计公司人士说。...而该公司发言人谭仲民上周说，由于此次只开放到0.25微米，技术落伍，不适合发展dram(存储芯片)，因此初期将规划手机芯片。茂德仍处于45天缄默期。

2006-12-26

，恐将造成进一步的价格大跌，包括dram与nand型flash，皆左右着美光的获利能力。...报导指出，华尔街投资人失去信心不是没有原因的，在vista效应驱动下，各家内存业者莫不加速扩产，却也使得投资人担心2007年上半全球dram市场供过于求，而nand型flash缺乏杀手级应用带动市场需求

2006-12-22

力晶发言人谭仲民表示，投资大陆的晶圆代工厂初期规划以生产手机芯片为主，暂不涉及内存(dram)，因0.25微米技术工艺暂时不能满足dram工艺要求。

2006-12-18

许多合资公司相继投产，很多原本生产电脑用的dram内存芯片的厂商也开始转产闪存了。” 　　

2007-04-16

由于在dram上获利颇丰，isuppli曾报道三星和海力士在去年第4季度曾减少nand闪存产量，转而生产dram内存。这也导致了今年第一季度nand闪存产量大减的现象。...isuppli认为三星和海力士由于受dram毛利润要比nand闪存大的影响，在短期将不会调整产量。 　　

2007-04-13

然而，似乎dram市场的利好势头再次让内存供应商们一窝蜂地增加投资和扩容。 　

2007-04-13

2007年以后，dram和闪存也将增产，尔必达内存和台湾力晶半导体的合营公司将会进行大规模投资等，因此需求有望进一步扩大。 　...回顾2006年的需求，安装微软新操作系统“windowsvista”的个人电脑和支持任天堂的新一代游戏机“wii”用的dram均采用了该材料。

2007-04-10

gartner表示，三星电子营收的增长主要得益于dram、norflash、psram和cmos图像传感器销量的提升。

来源：国际电子商情2007-04-03

三星半导体部门的总裁hwang chang-gyu在一个论坛会议上表示：“全球闪存市场将在未来一个季度内走稳，尽管目前dram市场可能仍然不稳定。”

来源：网易科技2007-03-22

据台湾媒体日前报道，美国的电脑芯片制造大厂美光科技公司昨天正式开工建设在中国西安市一个新工厂，该公司是美光科技公司开设的第一个制造工厂，它被设计成为美光科技公司半导体产品进行封装和测试，这些半导体产品包括dram

来源：《中国电子报》2007-03-16

而dram成为2006年中国集成电路市场增长最快的产品，其在2006年的增长率超过50%。 　　

来源：赛迪网2007-03-13

据统计，去年dram产品全球市场营收增长率达到36％，而今年这一数字将只能维持在9％左右。不过如今的dram芯片制造商在生产过程中更为灵活，因此将不会出现2005年那种产品大规模积压的局面。

2007-02-05

推动半导体销售增长的产品有：数字信号处理器、dram内存芯片、闪存芯片、诸如电力晶体管之类的独立设备、针对消费者、汽车和工业应用的专门芯片。 　　

2007-01-22

据悉，茂德科技在全球dram产业以前瞻技术领导者与优异的生产效率著称，是台湾具有自主知识产权、唯一自行开发先进制程技术与高阶内存产品能力的dram业者，位列全球dram内存芯片企业前十名。

2007-01-17

美国ibm还开发出了基于65nm工艺的soi衬底的混载dram技术。所开发的混载dram的存储单元面积为0.127平方微米，dram的电容器采用了沟道型结构。电源电压为1v。