2005-02-01

fetky器件封装包括了一个控制mosfet、同步mosfet和肖特基二极管，以图简化单相降压变换器。在这种电路中，肖特基二极管用于减小同步fet中反向恢复的电荷损耗。...共同封装的自然发展结果就是集成化，此时可以将mosfet、二极管、ic和对电路布局来说至关重要的无源元件集成到单个器件上。

2005-01-25

esd在我们的日常生活中经常发生，研究表明，一般的分立器件如mosfet、jfet、ccd和精密稳压二极管所能承受的esd在0~2kv，低至2kv的esd脉冲就可损坏到所有的手持设备的敏感区域如显示屏、

2004-08-31

supply(交流-直流转换器)—1微米40伏、led/lcd driver(发光二极管/液晶显示驱动电路)—0.5微米12伏和40伏、ac compressor driver(交流压缩驱动电路)—mosfet

2004-04-23

在100纳米节点，mosfet内部的开关延迟为5皮秒，而rc反应时间为每1毫米就达30皮秒。这种6比1的差距将演变为100比1的差距。 　　

2003-11-07

全球功率半导体市场现状　　功率半导体所包括的内容，现在可以大致分成两大类：　　1.分立功率器件：包括mosfet，igbt，晶闸管，晶体管，二极管等等。　　2.功率模拟集成电路。　　...主要企业　　在分立功率半导体市场领先的主要厂家有：fairchild，ir(mosfet第一)，st，on semi，toshiba，mitsubishi，infineon，vishay，hitachi

2003-03-28

另外，新的mosfet最小化输入容抗和栅极电荷，简化驱动电路，同时提高开关性能。 新的特性使新的irf8010 mosfet在隔离的拓扑，高效率ups和dc-dc转换器中，成为首要的理想选择。

2003-03-22

集成了200v的mosfet、pwm控制器、故障保护电路。...linkswitch采用创新的拓扑结构，把700v的功率mosfet、pwm控制器，高压启动、限流和热关断电路集成在一个cmos芯片内，开关频率为42khz，简化了滤波器设计，集成了初级钳位、反馈、ic

2007-04-03

在主要功率晶体管产品中，预计今年igbt成长19%，而功率mosfet成长11%。

2007-01-23

因此mosfet半导体场效应晶体管和双极型功率晶体管都不能满足小型、高频和高效率的要求，只有绝缘栅双极型功率晶体管igbt集mosfet场效应晶体管的高速性能和双极型功率晶体管的低电阻性能于一体，具有电压型控制