来源：工信部网站2012-02-24

、大角度离子注入机、45纳米清洗设备等重要装备应用于生产线，光刻胶、封装材料、靶材等关键材料技术取得明显进展。...;芯片制造能力持续增强，65纳米先进工艺和高压工艺、模拟工艺等特色技术实现规模生产;方形扁平无引脚封装(qfn)、球栅阵列封装(bga)、圆片级封装(wlp)等各种先进封装技术开发成功并产业化;高密度离子刻蚀机

来源：北极星太阳能光伏网2011-11-02

半导体设备有限公司维利安(variansemiconductorequipmentassociates)和正泰(astronergy)公司表示，经过短短两个月的合作，他们通过使用维利安的沙里昂离子注入系统开发了新的生产工艺

来源：北极星太阳能光伏网2011-09-01

记者近日从浦东企业上海凯世通半导体有限公司获悉，该公司研制的太阳能电池关键设备离子注入机将在今年年底前完成出样，这也将成为首台在中国出产的太阳能离子注入机，预计到2013年将实现量产。

来源：常州日报2011-03-26

中科院上海微系统所已有80多年历史，中国第一颗具有自主知识产权的存储转发通信小卫星、第一炉电弧炉钢、第一台60万伏离子注入机、第一块双极型集成电路和第一块单片光集成器件均在此诞生。

来源：中国电子报2011-02-17

48所而言，我们一下步将围绕现有光伏设备提高自动化程度，建立智能的而不是粗放的太阳能电池生产线;今年将投入1.6亿元集中把mocvd设备开发出来并延伸出自己的led产业链和产业集群;ic设备领域要围绕离子注入机进一步提高水平

2006-10-10

4、赢得国际平等对话 　　100纳米离子注入机是芯片制造装备的核心设备，然而，我国在离子注入机核心技术上始终技不如人，这种局面一直使得国内从事离子注入机技术的科研人员抬不起头来。

2006-09-29

科技部高新技术发展及产业化司司长冯纪春评价说，这次100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机两种设备的研制成功，让中国高端集成电路核心设备技术水平跨越了5代。 　　

2006-09-05

离子注入机、刻蚀机、光刻机、mocvd等关键设备应是国产设备选择的技术突破点。 　　...其本身的技术难度也相对于曝光、刻蚀和离子注入等关键设备要稍微小一些，又是ic线上所用的数量巨大的设备类型。

2006-02-22

针对对我国设限的关键设备，如光刻机、mocvd、离子注入机等，以及新型半导体材料，如氮化镓、soi材料等，开展自主创新，争取在全球新一轮半导体技术的竞争中占据一席之地。 　　

2004-10-15

国家高科技项目中的光刻机、离子注入机、刻蚀机、大直径硅单晶炉项目等正在加紧进行。...这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统

2004-08-30

国家高科技项目中的光刻机、离子注入机、刻蚀机、大直径硅单晶炉项目等正在加紧进行。...这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统

来源：《中国电子报》2007-03-14

大角度倾斜大剂量离子注入机、金属氧化物化学气相沉积设备，高密度等离子体刻蚀机、大尺寸扩散炉等重大关键装备的产业化；加强企业和研发中心之间的合作。