来源：工信部网站2012-02-24

高密度离子刻蚀机、大角度离子注入机等集成电路核心制造设备进入生产线。千万亿次高性能计算机研制成功，迈入国际先进行列。

来源：工信部网站2012-02-24

芯片制造能力持续增强，65纳米先进工艺和高压工艺、模拟工艺等特色技术实现规模生产;方形扁平无引脚封装(qfn)、球栅阵列封装(bga)、圆片级封装(wlp)等各种先进封装技术开发成功并产业化;高密度离子刻蚀机、大角度离子注入机

来源：北极星太阳能光伏网2011-11-02

半导体设备有限公司维利安(variansemiconductorequipmentassociates)和正泰(astronergy)公司表示，经过短短两个月的合作，他们通过使用维利安的沙里昂离子注入系统开发了新的生产工艺

来源：北极星太阳能光伏网2011-09-01

记者近日从浦东企业上海凯世通半导体有限公司获悉，该公司研制的太阳能电池关键设备离子注入机将在今年年底前完成出样，这也将成为首台在中国出产的太阳能离子注入机，预计到2013年将实现量产。...根据凯世通的规划，从现在起将太阳能离子注入机实现产业化和市场化，2013年实现量产，到2015年，成为引领太阳能专用离子注入机研发和生产的行业领头羊，年收入达到2亿美元，并实现公司上市，预计未来10年后

来源：常州日报2011-03-26

中科院上海微系统所已有80多年历史，中国第一颗具有自主知识产权的存储转发通信小卫星、第一炉电弧炉钢、第一台60万伏离子注入机、第一块双极型集成电路和第一块单片光集成器件均在此诞生。

来源：中国电子报2011-02-17

48所而言，我们一下步将围绕现有光伏设备提高自动化程度，建立智能的而不是粗放的太阳能电池生产线;今年将投入1.6亿元集中把mocvd设备开发出来并延伸出自己的led产业链和产业集群;ic设备领域要围绕离子注入机进一步提高水平

2006-10-10

4、赢得国际平等对话 　　100纳米离子注入机是芯片制造装备的核心设备，然而，我国在离子注入机核心技术上始终技不如人，这种局面一直使得国内从事离子注入机技术的科研人员抬不起头来。

2006-09-29

科技部高新技术发展及产业化司司长冯纪春评价说，这次100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机两种设备的研制成功，让中国高端集成电路核心设备技术水平跨越了5代。 　　...　　中国863计划集成电路制造装备重大专项“100纳米高密度等离子体刻蚀机和大角度离子注入机”28日在北京宣布通过科技部与北京市组织的项目验收，这标志着中国集成电路制造核心装备的研发取得了重大突破。

2006-09-05

离子注入机、刻蚀机、光刻机、mocvd等关键设备应是国产设备选择的技术突破点。 　　

2006-02-22

针对对我国设限的关键设备，如光刻机、mocvd、离子注入机等，以及新型半导体材料，如氮化镓、soi材料等，开展自主创新，争取在全球新一轮半导体技术的竞争中占据一席之地。 　　

2004-10-15

国家高科技项目中的光刻机、离子注入机、刻蚀机、大直径硅单晶炉项目等正在加紧进行。...这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统

2004-08-30

国家高科技项目中的光刻机、离子注入机、刻蚀机、大直径硅单晶炉项目等正在加紧进行。...这14种设备包括电子束曝光机、分步重复投影曝光机、m-rie金属刻蚀设备、rie介质刻蚀设备、imd-cvd设备、lpcvd、大束流离子注入机、磁控溅射系统、氧化扩散系统、ecr-cvd、硅片匀胶显影处理系统

2006-12-27

中关村软件园规划图 　　2.集成电路关键装备在京实现重大突破填补国家空白 　　——100纳米刻蚀机与离子注入机首次签出亿元大单 100纳米刻蚀机 　　9月，北京北方微电子公司和中科信公司承担的国家100

来源：《中国电子报》2007-03-14

在6-8英寸用光刻机、刻蚀机、离子注入机、立式扩散炉、快速热处理设备，氧化扩散设备、化学腐蚀设备、硅片清洗设备、划片机、键合机、集成电路自动封装系统等设备实用化的基础上，提供批量供应。...英寸硅抛光片和8英寸、12英寸硅外延片，锗硅外延片，soi材料，宽禁带化合物半导体材料，新型互连材料等材料；努力掌握6-8英寸集成电路设备的制造技术；力争实现12英寸65纳米激光步进光刻机、大角度倾斜大剂量离子注入机