北极星
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      2007-01-17

      其sram存储器的待机漏电流仅为常规sram的千分之一。这是由于增大了栅氧化层的厚度和增长了栅极长度。   ...日本东京大学和神户大学合作开发出采用有机晶体管的sram存储器。通过控制有机晶体管的背栅(back gate),可补偿性能的降低并提高工作速度和可靠性。

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