2005-08-05
近日,中国科学院半导体研究所科研人员在新型高速直接数字频率合成(dds)芯片研制中取得突破性进展,采用0.35微米常规互补金属氧化物半导体电路(cmos)工艺,研制出合成时钟频率达2千兆赫兹的新一代不需要只读存储器的低功耗直接数字频率合成
2004-08-12
可伸缩性尤为重要,因为半导体制造商预测到在开发45纳米以下节点的闪存中,会因为物理限制因素而遇到相当大的开发困难,这些限制因素包括小于8-9纳米的隧道氧化物厚度出现的无法接受的大量漏电。...采用这项技术的一个创新成果是,通过使一个薄型纵向半金属加热器与一个沉积了gst的沟道(微沟道)形成交叉形状,以定义gst与加热器之间的接触面 ,从而简化了纵向集成方式,同时降低了编程电流。
2003-11-07
晶体管闸是控制晶体管电流的开关,目前主要采用硅;闸电介质是位于闸门之下的一个绝缘层,采用硅氧化物。...晶体管原先采用硅氧化物的主要缺点就是漏电,因此科学家致力研究如何用其它材质取而代之。 当半导体业进展到45奈米技术时,芯片将会包含十亿个晶体管,因此耗电量的问题特别受到关注。
2007-02-02
世界各国科学家曾对百万吨级的煤电与核电站每年向大气排放的有害物质做过比较:煤电排放二氧化碳约为700吨、二氧化硫约为6万吨、氮氧化物约为9万吨、火渣及飞灰约为80万吨;而在核电生产过程中,以上物质皆为零排放