来源：双金属铸造专家2016-06-03

其核心技术是pacvd技术，即等离子化学蒸汽沉积。四、以熔炼为中心的节能技术铸件熔炼部分的能耗约占铸件生产总能耗的50％，由于熔炼原因而造成的铸件废品约占总废品的50％。

来源：新材料在线微信2016-05-31

15、cvd法制备石墨烯有哪些优缺点?答：优点：可以制备高质量的石墨烯薄膜;缺点：量产转移等成本较高，工艺条件还需进一步完善。16、石墨烯的表征方法目前主要有哪些?...答：机械剥离法、cvd法、化学氧化还原法、插层剥离法等。12、氧化石墨烯用hummer法制备需要哪些化学物质?答：浓硫酸、高锰酸钾、蒸馏水、双氧水等。13、石墨烯利用化学氧化还原法制备有哪些优缺点?

来源：晶科能源2016-04-28

根据所用镀膜设备的不同，管式pecvd通常采用双层sinx1/sinx2减反射膜，板式pecvd则采用渐进式减反射膜。

来源：材料牛2016-04-22

为了制备具有高容量的可伸展收缩的锂离子电池柔性负极，斯坦福大学崔屹教授课题组通过化学气相沉积（cvd）法先制备出负载有高容量晶体硅的碳骨架负极，再通过聚合反应在骨架表面包覆一层具有高弹性的聚合物以大大提高电极的机械应变性能

来源：技术转移在线2016-04-12

用cvd法可以制备出高质量大面积的石墨烯，但是理想的基片材料单晶镍的价格太昂贵，这可能是影响石墨烯工业化生产的重要因素。cvd法可以满足规模化制备高质量石墨烯的要求，但成本较高，工艺复杂。

来源：中电新闻网2016-03-14

例如，上海理想能源设备公司成功自主研发出高效太阳能异质结（hit）电池核心生产装备pecvd，已实现hit电池效率超过22.3%，并即将突破23%。

来源：元器件交易网2016-03-08

1uh小尺寸电感最大充电电流： 3a集成usb otg升压输出：2.1ahl7016：5v-12v输入工作电压，20v 耐压兼容qc1.0/2.0/3.0， pump express+，usb type-cvdp

来源：正泰集团2016-03-07

发言中，南存辉谈及正泰成功研发我国首台薄膜太阳能电池关键高端生产设备（pecvd），打破西方长期垄断；自主开发基于云计算技术、超过1000万点、技术先进的新型轨道交通综合监控云平台；与西班牙grabat

来源：乐清日报2016-03-05

正泰还成功研发了我国首台薄膜太阳能电池关键高端生产设备（pecvd），打破了西方长期垄断；自主开发了基于云计算技术、超过1000万点、技术先进的新型轨道交通综合监控云平台。

来源：福禄克2016-03-04

以mcvd（改良化学气相沉积法）法工艺为例，该生产过程是向高质量的石英管中通反应原料（以氧气为基体带入），石英管外部用氢氧焰加热，这个加热的火焰是沿着石英管往复移动加热的，同时石英管也自身旋转让加热更均匀

来源：碳纪元2016-03-02

笔者：据了解，目前国内大多数的企业采取氧化还原法生产石墨烯，因为cvd法(化学气相沉淀cvd法)制作成本太高，你认为未来哪条技术路线是主流?以下游应用带动整个行业演进，可以分为几个阶段?...虽然cvd法是目前最有可能实现工业化制备高质量、大面积石墨烯的方法，但现阶段成本较高，工艺条件还需进一步完善，因此cvd法目前在国内企业并未普及。另外，高校实验室做实验可能会使用氧化还原法。

来源：OFweek节能环保网2016-01-25

通过改变mocvd外延生长条件，可以改变alingan中al组分、in组分和ga组分的配比，以此来调节led的发光波长。...2、uv-led技术的提出发光二极管(led)一般是先在蓝宝石(al2o3)衬底上利用金属有机物化学气相沉积(mocvd)设备外延生长氮化镓(gan)材料，然后在gan材料上外延生长铝铟镓氮(alingan

来源：新奥研读2016-01-22

石墨烯市场的主要参与者包括，cvd设备公司(美国)，石墨烯nanochem plc的竞争策略。

来源：中国化工报2016-01-14

他分析，前几年在制备方法上做了很多研究，现在氧化还原方法已经比较成熟，cvd制备石墨烯膜也达到一定的规模。...沈万慈还介绍，目前石墨烯的制备方法基本有两类：一类是以氧化还原技术为代表的剥离方法;另一种是气相化学合成，也就是cvd方法。这两类产品不一样，用途也不一样。

来源：烯碳资讯2016-01-13

如常压化学气相沉积(apcvd)法,是相对较新的技术，是在常压下沉积固态薄膜的一种方法。由于是常压条件，工艺相对传统cvd法更简单且经济。...当石墨烯被应用于电子设备时，也可以利用apcvd法来去除金属催化剂(几乎所有cvd法都依靠金属催化生长石墨烯)和转移石墨烯到介电衬底(sio2/si，sio2，等)。

来源：烯碳资讯2016-01-12

另外一类是通过化学气相沉积(cvd)的方法在衬底上生长大面积的单层石墨烯。大家对这个生物质石墨烯的最大疑问，第一，此生物质石墨烯与其他方法制备的石墨烯的质量有误差异?

来源：cnbeta网站2016-01-04

化学气相沉积（ｃｖｄ）法ｃｖｄ法是以铜和镍等金属材料作为衬底来生长具有原子级厚度的石墨烯材料。...这种方法获得的石墨烯材料的面积大、导电性高、透光性好和成本低，而且ｃｖｄ法制作石墨烯器件的工艺与硅工艺非常兼容，是纳米半导体器件的主要发展方向。

来源：第一电动网2015-12-28

需要采用sio2模板，cvd(化学气相沉积)工艺及设备，氢氟酸以及硝酸。在实验室里这些材料、工艺就成本不低，氢氟酸以及硝酸还有危险性。

来源：第一电动网2015-12-28

本文想就这些问题，介绍一下这方面技术的进展：一、成本问题用sio2模板，然后采用cvd工艺用ch4做碳氮源，长出石墨烯材料，再用氢氟酸腐蚀掉模板，得到三维石墨烯块材料的工艺，确实其成本太高工业化生产难以接受

来源：雷锋网2015-12-24

不仅如此，很多经过物理/化学气相沉积(pvd/cvd)制备的全固态电池，其整体厚度可能只有几十个微米，因此就可以制成非常小的电源器件，整合到mems(微机电系统)领域中。