2005-04-15

芯片的绝缘层只有很少的原子来防止电流泄露。 　　其它问题也浮出了水平。随着芯片制造工艺的发展，芯片中个别晶体管的缺陷也越来越明显了。...amd公司负责技术发展的副总裁克莱格说，在取代硅晶体管成为芯片的核心前，硅纳米管将首先被应用为芯片的结构层。 　　物理学极限 　　从实验室走向生产工厂，碳纳米管还面临着巨大的挑战。

2004-10-14

soi技术在芯片的晶体管与硅基片之间增加了一个绝缘埋层。这个绝缘层能够降低硅基片与活性晶体管之间的电容，从而使生产出的芯片速度更快，并且消耗的功率也更低。...中国台湾省的台积电（tsmc）公司是全球最大的合约芯片制造商，它与freescale半导体公司10月12日在一份声明中表示，两公司已经联手，将合作开发用于65nm芯片加工工艺的soi（绝缘硅）技术

2004-08-18

当硅晶片被依次铺上绝缘层、光刻胶以及光刻掩膜之后，紫外线就能透过掩膜并按照人们的意愿在硅片上画线(也被业内人士形象地称作“印刷”)，最终通过一些化学处理在硅晶片上形成裸露的电路。 　　

2004-05-12

由于铜和低k介电质集成的困难仍然存在，芯片工业面临另外一个考验是：在关键门绝缘层转向高k介电质。 “我们遭遇的最困难的可靠性问题与门氧化物有关，”stork声称。

2004-02-11

当在芯片上集成的晶体管越来越多时，二氧化硅绝缘层会变得非常薄，使电流能够泄露出去。英特尔公司的解决方案是一种被称为“高k绝缘体”的较厚的金属材料，使晶体管不会发生电流泄露。 　　...威罗纳尔表示，由于新的绝缘材料与现有的硅栅极不兼容，英特尔公司还将在栅极中使用金属材料。 　　英特尔公司没有披露新材料的成份。

2003-11-25

采用标准光刻技术，通过将这些孔状图案用作光绝缘层有可能构造出平面光电路。 携带信号所使用的光波长规定了结构的外形尺寸。对于标准光通信波长，需要间距500nm直径100nm的孔。...该结构在用于cmos-soi工艺的绝缘硅层内构建。由硅氧化物组成的soi层折射指数很高，这有助于构建光波导器件。通过在soi层内蚀刻规则的孔图案，形成以特殊波长完全反射光振荡模式的光区。

2003-11-12

当在芯片上集成的晶体管越来越多时，二氧化硅绝缘层会变得非常薄，使电流能够泄露出去。英特尔公司的解决方案是一种被称为“高k绝缘体”的较厚的金属材料，使晶体管不会发生电流泄露。 　　...威罗纳尔表示，由于新的绝缘材料与现有的硅栅极不兼容，英特尔公司还将在栅极中使用金属材料。 　　英特尔公司没有披露新材料的成份。

2003-11-07

晶体管闸是控制晶体管电流的开关，目前主要采用硅；闸电介质是位于闸门之下的一个绝缘层，采用硅氧化物。...之前业者致力将硅氧化物绝缘层变得更薄，但变薄导致漏电的问题更形严重；而所谓的high-k是比较厚的材质，半导体业已经研究high-k长达十五年，而intel也有一个团队从五年前开始专攻这个问题。

来源：新华网福建频道2007-08-07

借着路灯和手电筒的灯光，电力人员发现有7个用户直接剥开了电线的绝缘层，将导线搭在上面进行窃电，他们立即对现场进行了摄像和拍照，以便取证。

来源：新华社2007-07-23

通电前，由于担心居民室内线路被水淹后，导线的绝缘层可能因浸泡损坏而漏电伤人，电力职工拿着话筒和宣传单，上街挨家挨户地宣传注意事项。

来源：丽水日报2007-04-29

4月23日上午，记者在兴乐电线电缆公司上万平方米的厂房里看到，在国内一流的数控式高速生产设备的操控下，导线、绝缘层、保护层正通过电机带动，源源不断地缠绕在巨大的木制电缆盘上。