来源：大比特2014-01-24

最后是igbt(绝缘栅双极晶体管)，在一个半导体元件(芯片)上集成双极晶体管和mosfet而构成。不仅耗电量小，能够处理大电流。而且可以实现高速开关。

来源：电子发烧友网2013-11-21

今天，不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用，绝缘栅双极晶体管(igbt)都可以提供有效的解决方案，以实现最终产品的高能效和高性能。

来源：中自网2013-11-06

igbt是mos结构的双极器件，它兼具功率mosfet(金属氧化物场效应晶体管)的高速性能和双极晶体管的低电阻性能，具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、安全工作区大等优点，这使得

来源：日经BP社2013-11-01

具体而言，就是将半导体开关元件igbt(insulatedgatebipolartransistor：绝缘栅型双极晶体管)把光伏发电的直流电流转换为供电所需的交流电流时的电路构成，由原来的2级细分为3级

来源：北极星电力网2013-10-23

电力电子行业技术领先的amantys公司今天宣布推出一款针对高功率模块的全新绝缘栅双极晶体管(igbt)栅极驱动器，在风力发电逆变器、光伏逆变器、工业驱动器、hvdc输电和机车牵引逆变器等行业中，有极其广泛的应用

来源：北极星电力网2013-10-23

igbt中文名称为绝缘栅双极晶体管，是功率变换装置的关键部件，也是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通、新能源装备、船舶驱动、航空航天等国计民生的重要领域，被业界誉为绿色经济的核芯

来源：eefocus2013-10-23

基本上在整流器和逆变器的控制开关上有几个选择，分别是绝缘栅双极晶体管(igbt, insulated gate bipolar transistor)、门极可关断晶闸管(gto, gate turn off

来源：电源网2013-05-24

5.按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(igbt)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。

来源：中国知识产权报2013-04-19

绝缘栅双极晶体管(igbt)作为当前电力电子最重要的大功率主流器件之一，主要应用在开关上。该器件是在双极型晶体管和绝缘栅型场效应晶体管基础上发展起来的一种新型复合功率器件。

来源：CSIA-中国半导体行业协会2013-02-25

和晶闸管类器件（thyristors）组成，其中常见的功率晶体管包括以vdmos（verticaldouble-diffusionmosfet）为代表的功率mos器件（powermosfets）、绝缘栅双极晶体管...igbt（insulatedgatebipolartransistors）和功率双极晶体管（powerbipolartransistors或powerbjt：powerbipolarjunctiontransistors

来源：互联网2012-07-27

功率半导体器件的进步：高效率功率变换的根本功率半导体器件的进步特别是powermosfet的进步引发出功率变换的一系列的进步：powermosfet的极快的开关速度，使开关电源的开关频率从双极晶体管的20khz

来源：电子工程世界2011-09-08

就以太阳能逆变器应用来说，绝缘栅双极晶体管(igbt)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制，并能使逆并联二极管与igbt配合。

来源：www.21dianyuan.com2011-08-17

它们被用来连接栅极驱动电路到转换频率范围为150千赫到几兆赫的金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。这些变压器有许多不同的匝比，极性和输出供选。

来源：www.21dianyuan.com2011-08-10

它们被用来连接栅极驱动电路到转换频率范围为150千赫到几兆赫的金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。这些变压器有许多不同的匝比，极性和输出供选。

来源：中国新闻网2011-07-12

随着我国智能电网、高铁建设、新能源汽车以及节能家电等市场的发展，对5英寸及6英寸晶闸管、igct(集成门极换流晶闸管)、igbt(绝缘栅双极晶体管)的需求量巨大。

来源：海威数据2011-05-27

功率半导体器件的进步：高效率功率变换的根本功率半导体器件的进步特别是powermosfet的进步引发出功率变换的一系列的进步：powermosfet的极快的开关速度，使开关电源的开关频率从双极晶体管的20khz

来源：ABB评论2011-05-09

高速门级控制半导体开关( 即绝缘栅双极晶体管，igbt)的应用使最先进的电压源换流器 (vsc) 成为整个系统中不可或缺的组成部分，从而实现迅速注入或吸收无功功率的功能。

来源：互联网2011-05-04

后来，随着igbt(绝缘栅双极晶体管，insulated-gatebipolartransistor)技术的出现，这一状况得到了改变。igbt就是无变压器ups得以存在的核心技术。

来源：赛迪网2011-02-14

后来，随着igbt(绝缘栅双极晶体管，insulated-gate bipolar transistor)技术的出现，这一状况得到了改变。igbt就是无变压器ups得以存在的核心技术。

来源：机电商报网2010-09-01

据悉，在高压变频器中，约有一半的成本来自绝缘栅双极晶体管（igbt）等电力电子元器件。相比中低压变频器，这类产品的价格与质量对高压变频器而言要重要得多。