来源：控制工程网2015-02-13

绝缘栅双极晶体管(igbt)是变频器的核心部件，目前国内igbt市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。

来源：日经BP社2014-12-03

意法半导体公司（stmicroelectronics）12月1日发布了光伏发电逆变器（pcs）用的1200v耐压新型绝缘栅双极晶体管（igbt）。1200v耐压的新型绝缘栅双极晶体管封装外观。

来源：北极星环保网2014-11-05

绝缘栅双极晶体管(igbt)是变频器的核心部件，目前国内igbt市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。

来源：北极星电力网2014-08-25

电力电子功率器件，包括金属氧化物半导体场效应管(mosfet)，绝缘栅双极晶体管芯片(igbt)及模块，快恢复二极管(frd)、功率肖特级二极管，中小功率智能模块，5 英寸以上大功率晶闸管(gto)，集成门极换流晶闸管

来源：北极星电力网2014-08-11

绝缘栅双极晶体管(igbt)是北京仟亿达科技有限公司变频器的核心部件，目前国内igbt市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。

来源：北极星环保网2014-07-31

绝缘栅双极晶体管(igbt)是变频器的核心部件，目前国内igbt市场仍主要由外资企业所把控，拥有技术优势的企业有望率先实现进口替代。

来源：中国电力电子产业网2014-06-09

igbt，学名绝缘栅双极晶体管，是全球最为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统，其地位相当于计算机世界中的cpu。...目前，中心已成功研制出sic肖特基二极管样品，并组合封装成混合型igbt模块。

来源：中国电力电子产业网2014-05-19

全球功率半导体和管理方案领先供应商国际整流器公司 (international rectifier，简称ir) 宣布扩充节能的600v绝缘栅双极晶体管 (igbt) 系列，并提供多种封装选择。...新器件与软恢复低qrr二极管共同封装，通过5s短路额定值来优化超高速开关，还具备有助于并联的低vce(on) 和正vce(on) 温度系数。

来源：UPS应用2014-02-25

绝缘栅双极型晶体管(igbt)是一种mosfet与双极晶体管复合的器件。...它既有功率mosfet易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大，损耗小的显著优点1、igbt在ups中的应用情况绝缘栅双极型晶体管(igbt)是一种mosfet与双极晶体管复合的器件

来源：大比特2014-01-24

最后是igbt(绝缘栅双极晶体管)，在一个半导体元件(芯片)上集成双极晶体管和mosfet而构成。不仅耗电量小，能够处理大电流。而且可以实现高速开关。...功率半导体保护整流二极管、功率晶体管、晶闸管。其中，功率晶体管具有放大和开关的作用。放大是指低频功率变为高频功率，开关是指切换电路的开与关。充分利用放大作用，就可以使用小功率驱动马达。

来源：电子发烧友网2013-11-21

今天，不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用，绝缘栅双极晶体管(igbt)都可以提供有效的解决方案，以实现最终产品的高能效和高性能。...两者均可降低并联续流二极管的正向导通电压。

来源：中自网2013-11-06

igbt是mos结构的双极器件，它兼具功率mosfet(金属氧化物场效应晶体管)的高速性能和双极晶体管的低电阻性能，具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、安全工作区大等优点，这使得

来源：日经BP社2013-11-01

具体而言，就是将半导体开关元件igbt(insulatedgatebipolartransistor：绝缘栅型双极晶体管)把光伏发电的直流电流转换为供电所需的交流电流时的电路构成，由原来的2级细分为3级

来源：北极星电力网2013-10-23

电力电子行业技术领先的amantys公司今天宣布推出一款针对高功率模块的全新绝缘栅双极晶体管(igbt)栅极驱动器，在风力发电逆变器、光伏逆变器、工业驱动器、hvdc输电和机车牵引逆变器等行业中，有极其广泛的应用

来源：北极星电力网2013-10-23

igbt中文名称为绝缘栅双极晶体管，是功率变换装置的关键部件，也是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应用于轨道交通、新能源装备、船舶驱动、航空航天等国计民生的重要领域，被业界誉为绿色经济的核芯

来源：eefocus2013-10-23

基本上在整流器和逆变器的控制开关上有几个选择，分别是绝缘栅双极晶体管(igbt, insulated gate bipolar transistor)、门极可关断晶闸管(gto, gate turn off

来源：电源网2013-05-24

5.按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(igbt)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。...前者，不具备自关断能力，元器件在导通后即失去控制作用，故称之为半控型普通晶闸管即属于这一类;后者，则具有自关断能力，即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制，故称之为全控型，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管

来源：中国知识产权报2013-04-19

绝缘栅双极晶体管(igbt)作为当前电力电子最重要的大功率主流器件之一，主要应用在开关上。该器件是在双极型晶体管和绝缘栅型场效应晶体管基础上发展起来的一种新型复合功率器件。

来源：CSIA-中国半导体行业协会2013-02-25

）和功率双极晶体管（powerbipolartransistors或powerbjt：powerbipolarjunctiontransistors）。...vdmos（verticaldouble-diffusionmosfet）为代表的功率mos器件（powermosfets）、绝缘栅双极晶体管igbt（insulatedgatebipolartransistors

来源：互联网2012-07-27

功率半导体器件的进步：高效率功率变换的根本功率半导体器件的进步特别是powermosfet的进步引发出功率变换的一系列的进步：powermosfet的极快的开关速度，使开关电源的开关频率从双极晶体管的20khz...开关电源的损耗主要为：无源元件损耗和有源元件损耗开关损耗一直困惑着开关电源设计者，由于功率半导体器件在开关过程中，器件上同时存在电流、电压，因而不可避免地存在开关损耗，如果开关电源中开关管和输出整流二极管能实现零电压开关或零电流开关