来源：中国电力电子产业网2015-05-06

电阻r2连接在双向晶闸管栅极g和接线端子a1之间，用于阻止每当施加瞬变电压时光耦双向晶闸管电容器产生的电流。...图 2：左图) 光耦驱动电路，右图)电流过零尖峰电压事实上，在一个光耦双向晶闸管驱动电路内，要想施加栅极电流，双向晶闸管a1和接线端子a2之间必须存在电压。

来源：OFweek 电子工程网2015-05-04

事实上，在一个光耦双向晶闸管驱动电路内，要想施加栅极电流，双向晶闸管a1和接线端子a2之间必须存在电压。...电阻r2连接在双向晶闸管栅极g和接线端子a1之间，用于阻止每当施加瞬变电压时光耦双向晶闸管电容器产生的电流。

来源：德州仪器2015-02-26

此外，将数据和电源传输过隔离栅的技术已经在栅极驱动器和工业传感器中得以应用。...针对高压驱动器、工业测量与监控以及工业以太网的栅极驱动器是这项技术的诸多应用之一。

来源：中国电工网2015-02-17

针对高压驱动器、工业测量与监控以及工业以太网的栅极驱动器是这项技术的诸多应用之一。...此外，将数据和电源传输过隔离栅的技术已经在栅极驱动器和工业传感器中得以应用。ti可提供大量的全新隔离技术，并且正保持持续的发展以实现在保证高效的前提下提供更高数据速率数字隔离。

来源：中国产业洞察网2015-01-09

2、德国石墨烯行业发展重点方向基金资助领域主要包括：适合石墨烯基电子设备的制备;石墨烯电子、结构、机械、振动等性能表征与操控;石墨烯纳米结构制备和表征及性能操控;石墨烯与衬底材料、栅极材料相互作用的理解和控制

来源：能源观察网2014-11-24

ibm 的研究人员开发出了石墨烯场效应晶体管，其截止频率可达100ghz，频率性能远超相同栅极长度的最先进硅晶体管的截止频率(40ghz)。(三) 传感器领域。

来源：金投能源2014-10-29

如采用激光刻槽埋栅极技术,也就是说利用激光技术在硅表面上刻槽,然后填入金属,以起到前表面电接触栅极的作用。与标准的前表面镀敷金属层相比,这种技术的优点能减少屏蔽损耗。

来源：能源观察网微信2014-10-24

ibm 的研究人员开发出了石墨烯场效应晶体管，其截止频率可达100ghz，频率性能远超相同栅极长度的最先进硅晶体管的截止频率(40ghz)。(四)生物医学领域。

来源：能源观察网微信2014-10-22

ibm 的研究人员开发出了石墨烯场效应晶体管，其截止频率可达100ghz，频率性能远超相同栅极长度的最先进硅晶体管的截止频率(40ghz)。(四)生物医学领域。

来源：日经技术在线2014-07-09

该igbt在栅极形成方面，采用了离子注入与外延膜生长组合的ie构造。已通过实验证实，使用这些器件以及新开发的高温高耐压密封材料，在250℃下实施5kv开关操作时，可实现20a以上、2s的开关工作。

来源：日经技术在线2014-07-09

该igbt在栅极形成方面，采用了离子注入与外延膜生长组合的ie构造。已通过实验证实，使用这些器件以及新开发的高温高耐压密封材料，在250℃下实施5kv开关操作时，可实现20a以上、2s的开关工作。

来源：中国电力电子产业网2014-05-19

vishay推出新系列高功率、大电流栅极电阻2014 年 5 月15 日 日前，vishay intertechnology, inc.宣布，推出新系列高功率、大电流栅极电阻---gre1。

来源：北极星电力网（原创）2014-05-06

双方的这一合作所产生的协作优势包括：例如：sic 电源开关专用的隔离式栅极驱动器hades 技术;高温 sic mosfet;及 sic 传感元件的高温信号调节器。...cissoid 拥有高温隔离式栅极驱动器、高压 sic mosfet 开关等强大的半导体产品与评估套件组合。其他产品还包括直流到直流转换器和线性稳压器、功率驱动器 ic、通用 ic 及分立组件。

来源：电子工程世界2014-03-21

bq25505采用自动功率多路复用器栅极驱动器，可通过能量采集电源与原电池实现无缝系统工作，在能量采集器不提供电能时，也能提供恒定电源，从而满足系统工作需要。

来源：新电子2014-03-18

在桥式电路和大功率应用情况下，为了避免干扰，在igbt关断时，栅极加负电压，一般在-5- 15v，保证igbt的关断，避免miller效应影响。...4、影响igbt可靠性因素1)栅电压igbt工作时，必须有正向栅电压，常用的栅驱动电压值为15～187，最高用到20v， 而棚电压与栅极电阻rg有很大关系，在设计igbt驱动电路时， 参考igbt datasheet

来源：科学时报 作者：张娟2014-02-11

具体目标包括：优化关键的加工技术，涉及接触电阻、栅极堆栈、钝化、带隙工程和不同二维材料的整合;确定制造石墨烯基高频集成电路面临的关键技术瓶颈，并开发相应的解决方案;针对石墨烯基高频器件的制造提出新理念;

来源：EEPW2014-01-06

随着用于电力机车、风力发电机组、高压直流和工业驱动应用的高压igbt市场需求不断增长，高压和超高压igbt栅极驱动器应运而生。...据amantys市场营销副总裁steveevans介绍，除了实现高压特征外，这款产品还开创了栅极驱动器智能化管理的先河。

来源：OFweek半导体照明网2013-11-12

但过去投产的sic mosfet，是在元件表面设置栅极的平面型，在栅极部分挖沟的沟道型尚未投产。沟道型的导通电阻能够缩小到平面型的几分之一。因此能够进一步降低损耗。...该公司表示将在2014年上半年，投产在栅极、源极上都设置沟槽的双沟道型sic mosfet。

来源：电气自动化技术网2013-11-01

(5)效率：许多控制结果都会影响到效率，包括死区时间、开关频率、栅极驱动等级、二极管仿真、加相和缺相等。针对这些因素，当前数字控制所提供的数字控制算法在整个工作条件范围内进行了优化。

来源：中国电源网2013-11-01

ltc3774 可与 power block、drmos 等外部功率链器件以及分立式 n 沟道 mosfet 和有关栅极驱动器一起工作，从而实现了灵活的设计配置。