来源：输配电线路2016-09-29

金属氧化物避雷器(压敏避雷器)是以氧化锌(zno)基压敏电阻(非线性电阻)组成的。1.2 分类线路避雷器的分类如下避雷器分类图所示。

来源：电力合伙人2016-09-13

10、为什么要在电力电容器与其断路器之间装设一组zno避雷器？答：装设zno避雷器可以防止电力电容器在拉、合操作时可能出现的操作过电压，保证电气设备的安全运行。

来源：中联电力2016-08-26

10、为什么要在电力电容器与其断路器之间装设一组zno避雷器？答：装设zno避雷器可以防止电力电容器的拉、合操作时可能出现的操作过电压，保证电气设备的安全运行。

来源：中微环保2016-08-26

光催化的缺点是难以找到合适的触媒材料，目前比较常用的光触媒材料有硫化镉(cds)、氧化锌(zno)以及二氧化钛(tio2)。

来源：思屋2016-08-09

(2)采用金属氧化物避雷器，它采用zno压敏电阻，是无灭弧间隙的避雷器，具有半导体晶体管稳定的特性。在正常工作电压下阻值很大，电流很小，当电压增高至某一值后，阻值下降，呈现稳定特性。

来源：湖南城市学院学报2016-07-26

李雪银等采用溶胶-凝胶法制得tio2和zno作为光催化剂降解敌百虫，探究农药初始浓度，ph值，光催化剂投加量等因素的影响，结果表明，tio2和zno最佳投加量范围为100-150mg/l，降解率随初始浓度增加而降低

来源：配电通2016-06-17

10、为什么要在电力电容器与其断路器之间装设一组zno避雷器？答：装设zno避雷器可以防止电力电容器在拉、合操作时可能出现的操作过电压，保证电气设备的安全运行。

来源：电气圈2016-06-08

10、为什么要在电力电容器与其断路器之间装设一组zno避雷器?答：装设zno避雷器可以防止电力电容器在拉、合操作时可能出现的操作过电压，保证电气设备的安全运行。

来源：OFweek2016-05-04

avancis此款刷新效率记录的组件是在德国torgau工厂生产，主要是通过缩减电池宽度、优化zno层，铝正面接触并通过改善激光烧蚀，以缩减cigs电池的死区。

来源：工业水处理微信2016-03-11

其催化剂多为n型半导体材料，常见的有tio2、zno、sno2和fe2o3。1976年j.h.carey首次采用光催化氧化法处理水中的有机污染物，其中纳米tio2以活性好、热稳定性

来源：净水技术2015-12-25

xiaohua fang等就从形态学研究了25nm和200nm的纳米zno、ceo2和tio2对n.europaea的影响，通过tem对细胞尺寸进行比较，发现25nm和200nm的纳米zno和tio2以及

来源：柚动在线微信2015-12-03

化铜产生的废气主要是粉（烟）尘，它含有cuo、pbo、zno、cu、pb、zn、sn等，粒径大都在0.5m以下。

来源：北极星售电网2015-09-29

王中林发明了纳米发电机，用单根纳米线结构实现了从机械能到电能的转化，这背后涉及一维氧化物纳米结构，特别是zno纳米带和纳米线的制备、表征和基本物理性能等方面的研究。

来源：中国污水处理工程网2015-08-19

顾晓清等发现在自制的zno-fe(ⅱ)混合体系中，束缚在zno表面的fe(ⅱ)对tce的还原脱氯作用强于均质溶液中的fe2+。

来源：北极星电力网整理2015-06-02

10、为什么要在电力电容器与其断路器之间装设一组zno避雷器?答：装设zno避雷器可以防止电力电容器在拉、合操作时可能出现的操作过电压，保证电气设备的安全运行。

来源：中国钢铁新闻网2015-05-21

光催化氧化技术使用的催化剂有tio2、zno、wo3、cds、zns、sno2和fe3o4等。tio2是最常用的催化剂，在光催化反应中，tio2的光催化活性主要受晶相、晶粒尺寸和比表面积的影响。

来源：水博网微信2015-05-05

而含有mno2、zno、fe2o3的组合，可能由于这些氧化物只有部分活化和协同作用而导致催化氧化的总体效果较差。...由图2可知，4种组成不同的催化剂均具有一定的催化活性，其中以cuo/nio/la2o3/ceo2组合的催化剂性能最好，其次是cuo/coo2/zno/la2o3组合的催化剂。

来源：能源与节能2015-04-30

经过检查，110 kv线路内4-9 tv端子箱中二次绕组，其二次回路经zno的避雷器接地点已被击穿，从而导致tv二次回路中出现了两点接地，具体如图2所示，图2中，u、v、w、l分别为201断路器下的并联线路

来源：污水技术微信2015-03-24

3.光催化氧化法光催化氧化技术的原理是利用能量等于或大于半导体材料(tio2、zno、cds等)禁带宽度(一般3ev以下)的光照射半导体材料，使其价带上的电子(e-)被激发跃迁到导带，在价带上产生相应的空穴

来源：PV-Tech2014-09-01

技术研发方面，报告期内公司共投入研发费用3899981.35元，主要为太阳能组件抗pid的研究、组件封装材料对功率的提升（焊带）研究、zno型透明电极新型晶体硅太阳能电池的研究、丝印磷墨法生产选择发射极太阳能电池的研究等项目