来源：电子工程世界网2011-09-15

现在的芯片，包括那些带有3d晶体管的芯片，实际上都是2d芯片，采用的是平面结构，ibm研发副总裁bernardmeyerson说，我们的科学家正致力于研发新的材料，将极其强大的计算能力集成到一种全新的封装形式

来源：电子工程世界2011-09-08

就以太阳能逆变器应用来说，绝缘栅双极晶体管(igbt)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制，并能使逆并联二极管与igbt配合。...(4)可优化低压侧igbt的反并联二极管，以尽量减低续流和反向恢复导致的损耗。igbt技术igbt基本上是具备金属门氧化物门结构的双极型晶体管(bjt)。

来源：Solarbe2011-09-06

湖南共创的硅薄膜光伏模块能够将日光直接转换为电能，其生产方式与硅薄膜晶体管液晶显示器(tft-lcd)类似。作为tft-lcd行业领先的供应商，空气产品公司是这一新的生产设施的理想供应商。

来源：价值人生网2011-09-01

大尺寸区融单晶硅是生产功率器件普通晶闸管(scr)、电力晶体管gtr、gto以及新型电力电子器件-mosfet、igbt以及功率集成电路(pic)等的必须基础材料。

来源：www.21dianyuan.com2011-08-17

它们被用来连接栅极驱动电路到转换频率范围为150千赫到几兆赫的金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。这些变压器有许多不同的匝比，极性和输出供选。

来源：环球光伏网2011-08-16

当晶体管关闭时，二极管作为续流二极管使用时，晶体管可为电感器充电。这就是说，当晶体管再次打开时，二极管可以主动关闭。下图给出了常用硅二极管的典型反向恢复特性（图2中的黑色和红色曲线）。

来源：chinaaet2011-08-16

全桥逆变电路克服了推挽电路的缺点，功率晶体管调节输出脉冲宽度，输出交流电压的有效值即随之改变。由于该电路具有续流回路，即使对感性负载，输出电压波形也不会畸变。...中、小容量逆变器一般有推挽逆变电路、全桥逆变电路和高频升压逆变电路三种，推挽电路，将升压变压器的中性插头接于正电源，两只功率管交替工作，输出得到交流电力，由于功率晶体管共地边接，驱动及控制电路简单，另外由于变压器具有一定的漏感

来源：Solarbe2011-08-15

硅薄膜光伏电池板能够将日光直接转换为电能，其生产方式与硅薄膜晶体管液晶显示器(tft-lcd)类似。作为tft-lcd行业的几大供应商之一，空气产品公司同时也是硅薄膜光伏制造厂商的理想供应商。...公司服务于更广泛的电子行业的专业经验，也使其成为其他主要的光伏技术，如晶体硅、cdte(碲化镉)、cigs(铜铟镓硒)和iii-v化合物电池的首选供应商。

来源：www.21dianyuan.com2011-08-10

它们被用来连接栅极驱动电路到转换频率范围为150千赫到几兆赫的金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。这些变压器有许多不同的匝比，极性和输出供选。

来源：OFweek2011-08-08

逆变器主要由晶体管等开关元件构成，通过有规则地让开关元件重复开-关（on-off），使直流输入变成交流输出。当然，这样单纯地由开和关回路产生的逆变器输出波形并不实用。

来源：证券之星2011-07-22

据估计，辉钼制成的晶体管在待机状态下消耗的能量只是硅晶体管的约十万分之一。

来源：Semi2011-06-30

这些绝缘层上硅的厚度只有不到10纳米，而且均匀性控制在艾米量级soi晶圆对生产合格的全耗尽型晶体管是至关重要的。...mark bohr称，如果英特尔采用超薄衬底的soi晶圆来实现3-d 三栅极晶体管，其晶圆的成本将增加10%。

来源：电源网2011-06-15

﹐从而保护二级关和其它晶体管﹐它们的响应时间一般在微毫秒级。...图一为一个实际的采用电容降压的led驱动电路﹕请注意﹐大部分应用电路中没有连接压敏电阻或瞬变电压抑制晶体管﹐建议连接上﹐因压敏电阻或瞬变电压抑制晶体管能在电压突变瞬间(如雷电﹑大用电设备起动等)有效地将突变电流泄放

来源：EDN电子设计技术2011-06-01

英飞凌展出了全新650v coolmos cfd2，它是世界上第一款漏源击穿电压为650v并且集成了快速体二极管的高压晶体管。...作为全球领先的功率半导体供应商，英飞凌通过提供igbt(绝缘栅双极型晶体管)、coolmos、optimos和碳化硅等产品，为降低全球能耗作出了巨大贡献。

来源：www.21dianyuan.com2011-05-31

在德国纽伦堡举办的pcim europe 2011展会上，英飞凌展出了全新推出的650v coolmos cfd2，它是世界上第一款漏源击穿电压为650v并且集成了快速体二极管的高压晶体管。

来源：海威数据2011-05-27

功率半导体器件的进步：高效率功率变换的根本功率半导体器件的进步特别是powermosfet的进步引发出功率变换的一系列的进步：powermosfet的极快的开关速度，使开关电源的开关频率从双极晶体管的20khz...开关电源的损耗主要为：无源元件损耗和有源元件损耗开关损耗一直困惑着开关电源设计者，由于功率半导体器件在开关过程中，器件上同时存在电流、电压，因而不可避免地存在开关损耗，如果开关电源中开关管和输出整流二极管能实现零电压开关或零电流开关

来源：Solarbe.com2011-05-26

该基地的研究重点之一是，探索可代替现有晶体管的新一代开关元件。据悉，其目标是推出能源效率比现有晶体管高10倍的元件。

来源：ABB评论2011-05-09

该系统在变流过程中采用晶体管取代原先的晶闸管。此外，该系统还采用了低强度的地下及水下电缆或架空线保证远距离输电。...高速门级控制半导体开关( 即绝缘栅双极晶体管，igbt)的应用使最先进的电压源换流器 (vsc) 成为整个系统中不可或缺的组成部分，从而实现迅速注入或吸收无功功率的功能。

来源：北极星电力新闻网2011-05-09

随着芯片工艺日趋复杂和晶体管体积的缩小，半导体行业对全功能集成三维离子注入设备的需求不断高涨，此次收购据称将增强应用材料在晶体管和半导体前端工艺的技术储备。...在这一趋势的驱动下，我们的消费者都开始寻找更小的晶体管和更快、性能更强大的处理器，并不断推动创新。

来源：互联网2011-05-04

后来，随着igbt(绝缘栅双极晶体管，insulated-gatebipolartransistor)技术的出现，这一状况得到了改变。igbt就是无变压器ups得以存在的核心技术。