来源：ABB评论2011-05-09

高速门级控制半导体开关( 即绝缘栅双极晶体管，igbt)的应用使最先进的电压源换流器 (vsc) 成为整个系统中不可或缺的组成部分，从而实现迅速注入或吸收无功功率的功能。

来源：互联网2011-05-04

后来，随着igbt(绝缘栅双极晶体管，insulated-gatebipolartransistor)技术的出现，这一状况得到了改变。igbt就是无变压器ups得以存在的核心技术。

来源：赛迪网2011-02-14

后来，随着igbt(绝缘栅双极晶体管，insulated-gate bipolar transistor)技术的出现，这一状况得到了改变。igbt就是无变压器ups得以存在的核心技术。

来源：机电商报网2010-09-01

据悉，在高压变频器中，约有一半的成本来自绝缘栅双极晶体管（igbt）等电力电子元器件。相比中低压变频器，这类产品的价格与质量对高压变频器而言要重要得多。

来源：技术在线2010-08-26

与sbd成对使用的晶体管仍是igbt(insulatedgatebipolartransistor，绝缘栅双极晶体管)。三菱电机表示，“此次sic制sbd的作用是‘突击队长’。

2010-05-27

５．按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管（ｉｇｂｔ）逆变器等。又可将其归纳为“半控型”逆变器和“全控制”逆变器两大类。

2010-04-22

国家政策支持重点明确 　　随着我国特高压直流输电、高压变频、交流传动机车/动车组、城市轨道交通等技术发展和市场需求的增加，对5英寸及6英寸晶闸管、igct（集成门极换流晶闸管）、igbt（绝缘栅双极晶体管

2006-07-21

整流管和双极晶体管技术最为成熟，其应用也十分广泛，随着各种电子设备开关频率的提高，上述产品的开关频率将难以满足要求，其应用将会被mosfet和igbt的器件进一步取代。

2005-12-05

svc light是abb基于绝缘栅双极晶体管（igbt）的新型电力半导体技术，运用专利倒装式（press-pack）封装技术。

2004-08-12

选择晶体管是一个直接安装在加热器下面的pnp双极晶体管。

2003-10-09

ibm公司的新成果不仅有助于大幅提高硅锗双极晶体管性能，也为以同一块“绝缘体上硅”晶片为基础，同时集成互补金属氧化物半导体晶体管和硅锗双极晶体管铺平了道路。...　　美国国际商用机器公司(ibm)30日宣布，首次成功利用“绝缘体上硅”技术设计出硅锗双极晶体管，它的速度达到现有硅锗双极晶体管的4倍，能耗比后者降低80%，有望用于制造下一代高性能移 动电话等设备。　　

2003-05-06

这就是所谓的双极晶体管技术。这样就使得纳米管led与目前的硅电路线有机地组合到一起成为了可能。 ibm的这种新技术很有可能使纳米管在2015年之前就用于商用芯片制造领域。

2007-01-23

例如，三菱电机公司将带来其第五代高性能、小型化、低损耗智能功率模块(ipm)，它的主要特点有：采用第5代新沟槽型igbt(绝缘栅双极晶体管)硅片，绝缘电压最高达2500v，其功耗比第一代产品降低70%，