来源：电子工程世界2011-09-08

就以太阳能逆变器应用来说，绝缘栅双极晶体管(igbt)能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制，并能使逆并联二极管与igbt配合。...(4)可优化低压侧igbt的反并联二极管，以尽量减低续流和反向恢复导致的损耗。igbt技术igbt基本上是具备金属门氧化物门结构的双极型晶体管(bjt)。

来源：www.21dianyuan.com2011-08-17

它们被用来连接栅极驱动电路到转换频率范围为150千赫到几兆赫的金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。这些变压器有许多不同的匝比，极性和输出供选。

来源：www.21dianyuan.com2011-08-10

它们被用来连接栅极驱动电路到转换频率范围为150千赫到几兆赫的金属氧化物半导体场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管。这些变压器有许多不同的匝比，极性和输出供选。

来源：海威数据2011-05-27

功率半导体器件的进步：高效率功率变换的根本功率半导体器件的进步特别是powermosfet的进步引发出功率变换的一系列的进步：powermosfet的极快的开关速度，使开关电源的开关频率从双极晶体管的20khz...开关电源的损耗主要为：无源元件损耗和有源元件损耗开关损耗一直困惑着开关电源设计者，由于功率半导体器件在开关过程中，器件上同时存在电流、电压，因而不可避免地存在开关损耗，如果开关电源中开关管和输出整流二极管能实现零电压开关或零电流开关

来源：ABB评论2011-05-09

高速门级控制半导体开关( 即绝缘栅双极晶体管，igbt)的应用使最先进的电压源换流器 (vsc) 成为整个系统中不可或缺的组成部分，从而实现迅速注入或吸收无功功率的功能。...该系统在变流过程中采用晶体管取代原先的晶闸管。此外，该系统还采用了低强度的地下及水下电缆或架空线保证远距离输电。

来源：互联网2011-05-04

后来，随着igbt(绝缘栅双极晶体管，insulated-gatebipolartransistor)技术的出现，这一状况得到了改变。igbt就是无变压器ups得以存在的核心技术。

来源：赛迪网2011-02-14

后来，随着igbt(绝缘栅双极晶体管，insulated-gate bipolar transistor)技术的出现，这一状况得到了改变。igbt就是无变压器ups得以存在的核心技术。

来源：机电商报网2010-09-01

据悉，在高压变频器中，约有一半的成本来自绝缘栅双极晶体管（igbt）等电力电子元器件。相比中低压变频器，这类产品的价格与质量对高压变频器而言要重要得多。

来源：技术在线2010-08-26

与sbd成对使用的晶体管仍是igbt(insulatedgatebipolartransistor，绝缘栅双极晶体管)。三菱电机表示，“此次sic制sbd的作用是‘突击队长’。...首先用于二极管　　　　不过，此次在逆变器模块中，采用sic制造的只有肖特基势垒二极管(sbd)。

2010-05-27

５．按逆变器主开关器件的类型分，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管（ｉｇｂｔ）逆变器等。又可将其归纳为“半控型”逆变器和“全控制”逆变器两大类。...前者，不具备自关断能力，元器件在导通后即失去控制作用，故称之为“半控型”普通晶闸管即属于这一类；后者，则具有自关断能力，即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制，故称之为“全控型”，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管

2010-04-22

国家政策支持重点明确 　　随着我国特高压直流输电、高压变频、交流传动机车/动车组、城市轨道交通等技术发展和市场需求的增加，对5英寸及6英寸晶闸管、igct（集成门极换流晶闸管）、igbt（绝缘栅双极晶体管...支持的重点包括以下方面：在芯片产业化方面，主要支持igbt、金属氧化物半导体场效应管（mosfet）、快恢复二极管（frd）、功率集成电路（pic）、igct等产品的芯片设计、制造、封装测试和模块组装;

2006-07-21

整流管和双极晶体管技术最为成熟，其应用也十分广泛，随着各种电子设备开关频率的提高，上述产品的开关频率将难以满足要求，其应用将会被mosfet和igbt的器件进一步取代。

2005-12-05

svc light是abb基于绝缘栅双极晶体管（igbt）的新型电力半导体技术，运用专利倒装式（press-pack）封装技术。

2004-08-12

选择晶体管是一个直接安装在加热器下面的pnp双极晶体管。...虽然演示产品是基于一个pcm单元和一个双极选择晶体管，但是pcm体系结构仍然完全兼容使用一个场效应mos管选择单元，在这种情况下，单元面积将会扩大约4倍，但是需要的掩模却非常少。

2003-10-09

ibm公司的新成果不仅有助于大幅提高硅锗双极晶体管性能，也为以同一块“绝缘体上硅”晶片为基础，同时集成互补金属氧化物半导体晶体管和硅锗双极晶体管铺平了道路。...　　美国国际商用机器公司(ibm)30日宣布，首次成功利用“绝缘体上硅”技术设计出硅锗双极晶体管，它的速度达到现有硅锗双极晶体管的4倍，能耗比后者降低80%，有望用于制造下一代高性能移 动电话等设备。　　

2003-05-06

另外一个新发明就是ibm在2001年所研制的新型晶体管。传统的硅晶体管只能单独处理电子束或正极空位，二者不可兼得。但ibm的新型硅晶体管就能做到同时处理两种电子束。这就是所谓的双极晶体管技术。

2007-01-23

因此mosfet半导体场效应晶体管和双极型功率晶体管都不能满足小型、高频和高效率的要求，只有绝缘栅双极型功率晶体管igbt集mosfet场效应晶体管的高速性能和双极型功率晶体管的低电阻性能于一体，具有电压型控制