来源：中国电力新闻网2007-12-18

该经验是将“精细化”的理念融入到剩余电流动作保护器管理全过程，建立起科学量化的标准和可操作、易执行的工作流程，使台区低压线路总保护的安装率、投运率、正确动作率均达到100；家用漏电开关的安装率也达到了96.5

2006-09-28

对于二极管来说，包括正向压降、反响击穿电压和结漏电流。对于三极管，这包括不同的结击穿电压、结漏电流、集电极或漏极特性等。选择正确的测试仪并通过适当的设定，能够极大地加速这些测试过程。...漏电流ir有时也称为反向饱和电流，is是给二极管施加小于反向击穿电压的一个电压时的电流，它是通过施加一个特定的反向电压并测量产生的电流来得到的。

2006-02-09

此外，90纳米工艺的芯片漏电流更大，使得90纳米工艺的芯片温度更高——即使芯片还没有全速运行。因此，intel不得不把精力从如何设计更快的芯片上挪开，转而关注如何设计低功耗和高能效的芯片。

2005-01-13

测试过程加两次脉冲电压，第一次测真空灭弧室表面漏电流，第二次测真空灭弧室漏电流和动静触头离子电流，用第二次电流减第一次的剩余离子电流来自动查找标定曲线，计算出真空度值，测量三相后，自动打印结果，大屏幕液晶显示

2004-12-28

论文称，它具有0.5na～50na的较宽的关断状态漏电流范围。“而且在这项技术中，我们还提供了附加的低漏电选项用于低功耗器件，门级漏电流小于30 pa/μm，gdil低于10 pa/μm。”

2004-08-12

可伸缩性尤为重要，因为半导体制造商预测到在开发45纳米以下节点的闪存中，会因为物理限制因素而遇到相当大的开发困难，这些限制因素包括小于8-9纳米的隧道氧化物厚度出现的无法接受的大量漏电。...在其中一篇技术论文中，st首次展示了一个可以降低单元电流的微沟道单元结构，该结构能够轻松集成到一个cmos基本工艺中，并详细介绍了这项技术的可制造性和成本。

2004-08-04

最好是采用有源驱动方式，因为有源的电流整流性较无源方式佳，不易产生漏电现象，同时使用在低温多晶硅(poly-si)tft技术时，电流可以产生阻抗较低的小型tft，符合大尺寸、大画面oled显示器的需求。

2003-11-07

晶体管闸是控制晶体管电流的开关，目前主要采用硅；闸电介质是位于闸门之下的一个绝缘层，采用硅氧化物。...intel承认该公司并非唯一探讨利用high-k来解决漏电问题的厂商，不过该公司的上述成果是半导体业重大的突破，没有其它业者之前曾经宣示过。

2007-01-17

其微处理器在1.2v驱动时，漏电流仅为100pa/μm。其中nmos管的漏极电流为0.66ma/μm，pmos管的漏极电流为0.38ma/μm。其sram存储器的待机漏电流仅为常规sram的千分之一。